N-channel တိုးမြှင့်မုဒ် MOSFET - Olukey ၏ လုပ်ဆောင်မှုနိယာမ

(1) ID နှင့် ချန်နယ်အပေါ် vGS ၏ ထိန်းချုပ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှု

① vGS=0 ၏ ဖြစ်ရပ်

ပိုမိုကောင်းမွန်သောမုဒ်၏ D နှင့် အရင်းအမြစ် s တို့ကြားတွင် နောက်ကျောမှ နောက်ပြန် PN လမ်းဆုံနှစ်ခုရှိသည်ကို တွေ့မြင်နိုင်သည်။MOSFET.

gate-source ဗို့အား vGS=0 တွင်၊ drain-source voltage vDS ကို ထည့်ထားလျှင်ပင်၊ vDS ၏ polarity မည်သို့ပင်ရှိစေ၊ ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်သောအခြေအနေတွင် PN လမ်းဆုံတစ်ခု အမြဲရှိနေပါသည်။ မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်ကြားတွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းမရှိသောကြောင့် ယခုအချိန်တွင် Drain current ID≈0။

② vGS>0 ၏ဖြစ်ရပ်

vGS>0 ဆိုလျှင်၊ တံခါးနှင့် အလွှာကြားရှိ SiO2 လျှပ်ကာအလွှာတွင် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ထုတ်ပေးသည်။ လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ ဦးတည်ရာသည် ဂိတ်ပေါက်မှ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ မျက်နှာပြင်ရှိ အလွှာဆီသို့ ဦးတည်သော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် ထောင့်မှန်ကျသည်။ ဤလျှပ်စစ်စက်ကွင်းသည် အပေါက်များကို တွန်းလှန်ပြီး အီလက်ထရွန်များကို ဆွဲဆောင်သည်။ ပြန်ထုတ်သည့်အပေါက်များ- ဂိတ်အနီးရှိ P-type အလွှာရှိ အပေါက်များကို တွန်းထုတ်ပြီး မရွေ့မပြောင်းနိုင်သော လက်ခံနိုင်သော အိုင်းယွန်းများ (အနုတ်လက္ခဏာအိုင်းယွန်း) များ လျော့ပါးသွားသော အလွှာတစ်ခုအဖြစ် ကျန်ရစ်သည်။ အီလက်ထရွန်များကို ဆွဲဆောင်ခြင်း- P-type အလွှာရှိ အီလက်ထရွန်များ (လူနည်းစု သယ်ဆောင်သူ) များကို အလွှာမျက်နှာပြင်သို့ ဆွဲဆောင်သည်။

(၂) လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းဖွဲ့စည်းခြင်း-

vGS တန်ဖိုးသည် သေးငယ်ပြီး အီလက်ထရွန်များကို ဆွဲဆောင်နိုင်မှု အားကောင်းခြင်းမရှိသောအခါ၊ မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်ကြားတွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းမရှိပေ။ vGS တိုးလာသည်နှင့်အမျှ P substrate ၏ မျက်နှာပြင်အလွှာသို့ အီလက်ထရွန်များ ပိုများလာသည်။ vGS သည် တိကျသောတန်ဖိုးတစ်ခုသို့ရောက်ရှိသောအခါ၊ အဆိုပါအီလက်ထရွန်များသည် ဂိတ်ပေါက်အနီးရှိ P အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် N-type ပါးလွှာသောအလွှာတစ်ခုဖြစ်လာပြီး N+ ဒေသနှစ်ခုနှင့် ချိတ်ဆက်ကာ N-type conductive ချန်နယ်တစ်ခုအဖြစ် N-type conductive channel ကိုဖွဲ့စည်းသည်။ ၎င်း၏ conductivity အမျိုးအစားသည် P substrate နှင့်ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းကို inversion layer ဟုလည်းခေါ်သည်။ ပိုကြီးသော vGS သည်၊ semiconductor မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအား ပိုမိုအားကောင်းလေဖြစ်ပြီး P ၏မျက်နှာပြင်သို့ အီလက်ထရွန်များကို ပိုမိုဆွဲဆောင်လေ၊ conductive channel သည် ပိုထူလေဖြစ်ပြီး channel resistance သည် သေးငယ်လေဖြစ်သည်။ ချန်နယ်စတင်ဖွဲ့စည်းသည့်အခါ gate-source voltage ကို VT ကိုယ်စားပြုသည့် turn-on voltage ဟုခေါ်သည်။

ဟိN-ချန်နယ် MOSFETအထက်တွင် ဆွေးနွေးခဲ့သည့် vGS < VT သည် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းအဖြစ် မဖွဲ့စည်းနိုင်ပါ၊ နှင့် ပြွန်သည် ဖြတ်တောက်ထားသော အခြေအနေတွင် ရှိနေပါသည်။ vGS≥VT ချန်နယ်တစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းနိုင်မှသာလျှင်။ ဒီလိုမျိုးMOSFETvGS≥VT ကို မြှင့်တင်မှုမုဒ်ဟု ခေါ်သောအခါတွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းတစ်ခု ဖွဲ့စည်းရမည်။MOSFET. ချန်နယ်ကိုဖွဲ့စည်းပြီးနောက်၊ မြောင်းနှင့်အရင်းအမြစ်ကြားတွင်ရှေ့ဆက်ဗို့အား vDS ကိုအသုံးပြုသောအခါတွင် Drain Current ကိုထုတ်ပေးသည်။ ID ပေါ်ရှိ vDS ၏ လွှမ်းမိုးမှုသည် vGS > VT နှင့် အချို့သောတန်ဖိုးဖြစ်သောအခါ၊ conductive channel ပေါ်ရှိ drain-source voltage vDS ၏လွှမ်းမိုးမှုနှင့် လက်ရှိ ID သည် junction field effect transistor နှင့်ဆင်တူသည်။ ချန်နယ်တစ်လျှောက်ရှိ Drain current ID မှထုတ်ပေးသော ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် ချန်နယ်ရှိ အမှတ်တစ်ခုစီနှင့် ဂိတ်ကြားရှိ ဗို့အားများ မညီမျှတော့ပါ။ အရင်းအမြစ်နှင့် နီးစပ်သော အဆုံးရှိ ဗို့အားသည် အကြီးဆုံးဖြစ်ပြီး၊ ချန်နယ်သည် အထူဆုံးဖြစ်သည်။ မြောင်းအဆုံးရှိ ဗို့အားသည် အသေးငယ်ဆုံးဖြစ်ပြီး ၎င်း၏တန်ဖိုးမှာ VGD=vGS-vDS ဖြစ်သောကြောင့် ချန်နယ်သည် ဤနေရာတွင် အပါးဆုံးဖြစ်သည်။ သို့သော် vDS သည် သေးငယ်သောအခါ (vDS