MOSFET ၏ လည်ပတ်မှုနိယာမကား အဘယ်နည်း။

MOSFET (FieldEffect Transistor အတိုကောက် (FET)) ခေါင်းစဉ်MOSFET. multi-pole junction transistor ဟုလည်းလူသိများသော thermal conductivity တွင်ပါဝင်ရန်သယ်ဆောင်သူအနည်းစုအားဖြင့်။ ၎င်းကို ဗို့အားထိန်းချုပ်သော တစ်ပိုင်းစူပါကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာအဖြစ် အမျိုးအစားခွဲခြားထားသည်။ ရှိပြီးသား output resistance မြင့်မားသည် (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω)၊ ဆူညံသံနိမ့်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းသော၊ တည်ငြိမ်သောအကွာအဝေး၊ ပေါင်းစပ်ရန်လွယ်ကူသည်၊ ဒုတိယပြိုကွဲမှုဖြစ်စဉ်မရှိ၊ ကျယ်ပြန့်သောပင်လယ်၏အာမခံလုပ်ငန်းနှင့်အခြားအားသာချက်များကိုယခုအခါပြောင်းလဲသွားပြီ၊ bipolar junction transistor နှင့် power junction transistor များ၏ အားကောင်းသော ပူးပေါင်းပါဝင်မှုများ။

MOSFET လက္ခဏာများ

ပထမအချက်- MOSFET သည် ဗို့အားကျွမ်းကျင်သည့်ကိရိယာဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် VGS (ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား) မှတဆင့် မာစတာ ID (drain DC) သို့၊

ဒုတိယ-MOSFET ရဲ့output DC သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် ၎င်း၏ output resistance သည် အလွန်ကြီးမားသည်။

သုံးခု- အပူကိုသယ်ဆောင်ရန် အနည်းငယ်သော သယ်ဆောင်သူအား အသုံးပြုထားသောကြောင့် ၎င်းသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုအတိုင်းအတာရှိသည်။

လေးခု- ၎င်းတွင် ထရန်စစ္စတာထက် သေးငယ်သော သေးငယ်သော ကိန်းဂဏန်းများ၏ လျှပ်စစ်လျှော့ချရေး လမ်းကြောင်းကို လျှော့ချပေးသည့် လမ်းကြောင်းတစ်ခု ပါဝင်ပြီး သေးငယ်သော ကိန်းဂဏန်းများ လျှပ်စစ်လျှော့ချရေး လမ်းကြောင်းကို လျှော့ချပေးသည်။

ပဉ္စမ- MOSFET ဓာတ်ရောင်ခြည်ဆန့်ကျင်စွမ်းအား၊

ခြောက်- ဆူညံသံနည်းသောကြောင့်၊

MOSFET လုပ်ငန်းတာဝန် နိယာမ

MOSFETဝါကျတစ်ကြောင်းတွင် တာဝန်မူအရ၊ ဆိုလိုသည်မှာ "Drain - source သည် ID ကိုကျွမ်းကျင်ရန် ID ကိုကျွမ်းကျင်စေရန်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် pn အကြားချန်နယ်နှင့်အတူလမ်းကြောင်းကိုဖောက်သည် - အရင်းအမြစ်လမ်းလျှောက်သည်" ။ ပိုမိုတိကျစွာ၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ လမ်းကြောင်းဖြတ်ပိုင်းဖြတ်ပိုင်းဧရိယာ၊ ဆိုလိုသည်မှာ circuit ကိုဖြတ်၍ ID ၏ပမာဏ၊ pn junction တန်ပြန်ဘက်လိုက်သောကွဲလွဲမှု၊ အကြောင်းပြချက်၏ကျွမ်းကျင်မှုကိုချဲ့ထွင်ရန် depletion layer ၏ပေါ်ပေါက်မှုဖြစ်သည်။ VGS=0 ၏ မပြည့်ဝသောပင်လယ်တွင်၊ ညွှန်ပြထားသော အကူးအပြောင်းအလွှာ၏ ချဲ့ထွင်မှုသည် အလွန်ကြီးမားခြင်းမရှိသောကြောင့်၊ မြောင်း-ရင်းမြစ်ကြားတွင် ထည့်သွင်းထားသော VDS ၏ သံလိုက်စက်ကွင်းအရ၊ အရင်းအမြစ်ပင်လယ်ရှိ အီလက်ထရွန်အချို့ကို မြောင်းမှ ဆွဲထုတ်သွားပါသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ၊ မြောင်းမှအရင်းအမြစ်သို့ DC ID လုပ်ဆောင်ချက်တစ်ခုရှိသည်။ ဂိတ်ပေါက်မှ မြောင်းအထိ ချဲ့ထွင်ထားသော အလယ်အလတ်အလွှာသည် ချန်နယ်၏ ကိုယ်ထည်တစ်ခုလုံး၊ ID အပြည့်ဖြင့် ပိတ်ဆို့ခြင်းအမျိုးအစားတစ်ခု ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ဤပုံစံကို pinch-off အဖြစ် ရည်ညွှန်းပါ။ ၎င်းသည် အကူးအပြောင်းအလွှာသည် ချန်နယ်တစ်ခုလုံးကို အဟန့်အတားဖြစ်စေကြောင်း သင်္ကေတပြုကာ DC ကို ဖြတ်တောက်လိုက်ခြင်းမဟုတ်ပါ။

အကူးအပြောင်းအလွှာတွင် အီလက်ထရွန်နှင့် အပေါက်များ ရွေ့လျားမှုမရှိသောကြောင့် ယေဘူယျ DC လျှပ်စီးကြောင်းတည်ရှိမှု၏ အစစ်အမှန် insulating ဝိသေသပုံစံတွင် ရွေ့လျားရန်ခက်ခဲသည်။ သို့သော်၊ မြောင်း - ရင်းမြစ်ကြားရှိ သံလိုက်စက်ကွင်းသည် လက်တွေ့တွင်၊ အသွင်ကူးပြောင်းရေးအလွှာနှစ်ခုမှ ဆက်သွယ်ထားသော မြောင်းနှင့် ဂိတ်ဝင်ရိုးစွန်းမှ ဘယ်ဘက်အောက်ဘက်သို့ ပျံ့လွင့်နေသော သံလိုက်စက်ကွင်းသည် အသွင်ကူးပြောင်းရေးအလွှာမှတစ်ဆင့် မြန်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်များကို ဆွဲယူသွားသောကြောင့် ဖြစ်သည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ပျံ့နေသော သံလိုက်စက်ကွင်း၏ အစွမ်းသတ္တိသည် ID မြင်ကွင်း၏ ပြည့်စုံမှုကို မပြောင်းလဲနိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။ ဒုတိယအချက်မှာ VGS သည် အနုတ်လက္ခဏာအနေအထားသို့ ပြောင်းလဲသွားသည်၊ ထို့ကြောင့် VGS = VGS (off) ထို့နောက် အသွင်ကူးပြောင်းရေးအလွှာသည် ပင်လယ်တစ်ခုလုံးကို လွှမ်းခြုံထားသည့် ပုံသဏ္ဍာန်ကို ပြောင်းလဲသွားစေပါသည်။ VDS ၏ သံလိုက်စက်ကွင်းကို အကူးအပြောင်းအလွှာသို့ အများအပြားထည့်ထားသည်၊ ၎င်းသည် အီလက်ထရွန်အား ပျံ့လွင့်နေသည့် အနေအထားသို့ ဆွဲယူသည့် သံလိုက်စက်ကွင်း၊ အလွန်တိုတောင်းသော အရင်းအမြစ်ဝင်ရိုးစွန်းနှင့် နီးကပ်နေသမျှ ကာလပတ်လုံး DC ပါဝါမရှိစေရန်၊ ငြိမ်သွားနိုင်သည်။