MOSFET ၏ လုပ်ဆောင်ချက်များသည် အဘယ်နည်း။

MOSFET ၏ အဓိက အမျိုးအစား နှစ်မျိုး ရှိသည်- ခွဲလမ်းဆုံ အမျိုးအစား နှင့် လျှပ်ကာတံခါး အမျိုးအစား။ Junction MOSFET (JFET) သည် PN လမ်းဆုံနှစ်ခုနှင့် insulated gate ပါသောကြောင့်၊MOSFET(JGFET) သည် အခြားလျှပ်ကူးပစ္စည်းများမှ လုံးဝလျှပ်ကာထားသောကြောင့် (JGFET) ဟုခေါ်သည်။ လက်ရှိတွင်၊ insulated gate MOSFET များကြားတွင် အသုံးအများဆုံးမှာ MOSFET ဖြစ်ပြီး MOSFET (metal-oxide-semiconductor MOSFET) ဟုရည်ညွှန်းသည်။ ထို့အပြင် PMOS၊ NMOS နှင့် VMOS ပါဝါ MOSFET များအပြင် မကြာသေးမီကမှထွက်ရှိထားသော πMOS နှင့် VMOS ပါဝါ module များ စသည်တို့လည်း ရှိပါသည်။

 

မတူညီသောချန်နယ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများအရ လမ်းဆုံအမျိုးအစားနှင့် insulating gate အမျိုးအစားကို channel နှင့် P channel ဟူ၍ခွဲခြားထားသည်။ conductivity mode အရ ပိုင်းခြားပါက MOSFET ကို depletion type နှင့် enhancement type ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ Junction MOSFET များသည် depletion type အားလုံးဖြစ်ပြီး insulated gate MOSFET များသည် depletion type နှင့် enhancement type နှစ်မျိုးလုံးဖြစ်သည်။

Field effect ထရန်စစ္စတာကို junction field effect transistors နှင့် MOSFET ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ MOSFET များကို အမျိုးအစားလေးမျိုး ခွဲခြားထားသည်- N-channel depletion type နှင့် enhancement type; P-channel depletion အမျိုးအစားနှင့် မြှင့်တင်မှုအမျိုးအစား။

 

MOSFET ၏အင်္ဂါရပ်များ

MOSFET ၏ထူးခြားချက်မှာ တောင်တံခါးဗို့အား UG ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ Drain လက်ရှိ ID ကို ထိန်းချုပ်သည်။ သာမာန်စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOSFET များသည် မြင့်မားသော input impedance၊ ဆူညံမှုနည်းသော၊ ကြီးမားသော dynamic range၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးပြီး ပေါင်းစပ်ရလွယ်ကူသော လက္ခဏာများရှိသည်။

 

အနုတ်ဘက်လိုက်ဗို့အား (-UG) ၏ ပကတိတန်ဖိုး တိုးလာသောအခါ၊ ဆုတ်ယုတ်မှုအလွှာ တိုးလာကာ ချန်နယ် လျော့နည်းသွားကာ စီးဆင်းနေသော လက်ရှိ ID လျော့နည်းသွားသည်။ အနုတ်ဘက်လိုက်ဗို့အား (-UG) ၏ ပကတိတန်ဖိုး လျော့နည်းသွားသောအခါ၊ ဆုတ်ယုတ်မှုအလွှာ လျော့နည်းသွားသည်၊ ချန်နယ်များ တိုးလာကာ ယိုစီးနေသော လက်ရှိ ID တိုးလာသည်။ Drain current ID ကို gate voltage ဖြင့်ထိန်းချုပ်ထားသည်ကိုတွေ့မြင်နိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် MOSFET သည် voltage-controlled device ဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ output current တွင်ပြောင်းလဲမှုများကို input voltage အပြောင်းအလဲများဖြင့်ထိန်းချုပ်သည်၊ ထို့ကြောင့် amplification နှင့်အောင်မြင်ရန်၊ အခြားရည်ရွယ်ချက်များ။

 

စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာများကဲ့သို့ပင်၊ MOSFET ကို ချဲ့ထွင်ခြင်းကဲ့သို့သော ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုသောအခါ၊ ဘက်လိုက်ဗို့အားကိုလည်း ၎င်း၏ဂိတ်ပေါက်တွင် ထည့်သွင်းသင့်သည်။

လမ်းဆုံလယ်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုပြွန်၏ဂိတ်တံခါးအား ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်ဗို့အားဖြင့်အသုံးပြုသင့်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ အနုတ်တံခါးဗို့အား N-channel tube သို့သက်ရောက်သင့်ပြီး P-channel tube တွင် positive gate claw ကိုအသုံးပြုသင့်သည်။ အားဖြည့်ထားသော insulated gate MOSFET သည် forward gate voltage ကိုအသုံးပြုသင့်သည်။ depletion-mode insulating MOSFET ၏ဂိတ်ဗို့အားသည် အပြုသဘော၊ အနှုတ် သို့မဟုတ် "0" ဖြစ်နိုင်သည်။ ဘက်လိုက်မှုပေါင်းထည့်သည့်နည်းလမ်းများတွင် ပုံသေဘက်လိုက်မှုနည်းလမ်း၊ ကိုယ်တိုင်ပံ့ပိုးပေးသောဘက်လိုက်မှုနည်းလမ်း၊ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်မှုနည်းလမ်း စသည်တို့ပါဝင်သည်။

MOSFETDC parameters များ၊ AC parameter များနှင့် limit parameters များ အပါအဝင် parameters များစွာ ပါရှိသော်လည်း ပုံမှန်အသုံးပြုရာတွင် အောက်ပါ ပင်မဘောင်များကိုသာ အာရုံစိုက်ရန် လိုအပ်ပါသည်- saturated drain-source current IDSS pinch-off voltage Up၊ (junction tube and depletion mode insulated ဂိတ်ပြွန် သို့မဟုတ် အဖွင့်ဗို့အား UT (အားဖြည့်ထားသော လျှပ်ကာတံခါးပြွန်)၊ transconductance gm၊ Drain-source ပြိုကွဲဗို့အား BUDS၊ အမြင့်ဆုံးပါဝါ dissipation PDSM နှင့် အမြင့်ဆုံး drain-source current IDSM။

(၁) Saturated drain-source လျှပ်စီးကြောင်း

saturated drain-source current IDSS သည် လမ်းဆုံတစ်ခုရှိ gate voltage UGS=0 သို့မဟုတ် depletion insulated gate MOSFET ရှိသောအခါတွင် drain-source current ကိုရည်ညွှန်းသည်။

(2) Pinch-off voltage

pinch-off voltage UP သည် Drain-source ချိတ်ဆက်မှုကို လမ်းဆုံတစ်ခုတွင် သို့မဟုတ် depletion-type insulated gate MOSFET တွင် ဖြတ်တောက်လိုက်သောအခါတွင် gate voltage ကို ရည်ညွှန်းသည်။ N-channel tube ၏ UGS-ID မျဉ်းကွေးအတွက် 4-25 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း IDSS နှင့် UP ၏အဓိပ္ပာယ်ကို ရှင်းလင်းစွာမြင်နိုင်သည်။

(၃) ဗို့အားဖွင့်ပါ။

အဖွင့်ဗို့အား UT သည် အားဖြည့်ထားသော insulated gate MOSFET တွင် Drain-source ချိတ်ဆက်မှုကို ပြုလုပ်သောအခါတွင် gate voltage ကိုရည်ညွှန်းသည်။ ပုံ 4-27 သည် N-channel tube ၏ UGS-ID မျဉ်းကွေးကို ပြသထားပြီး UT ၏အဓိပ္ပါယ်ကို ရှင်းလင်းစွာမြင်နိုင်သည်။

(၄) Transconductance

Transconductance gm သည် drain current ID ကို ထိန်းချုပ်ရန် gate-source voltage UGS ၏ စွမ်းရည်ကို ကိုယ်စားပြုသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ gate-source voltage UGS တွင် ပြောင်းလဲခြင်း၏ အချိုးအစား၊ 9m သည် ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာရန် အရေးကြီးသော ဘောင်တစ်ခုဖြစ်သည်။MOSFET.

(5) Drain-source ပြိုကွဲဗို့အား

Drain-source breakdown voltage BUDS သည် gate-source ဗို့အား UGS သည် စဉ်ဆက်မပြတ်ဖြစ်နေသောအခါ MOSFET မှ လက်ခံနိုင်သော အမြင့်ဆုံး drain-source voltage ကို ရည်ညွှန်းသည်။ ၎င်းသည် ကန့်သတ်ဘောင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး MOSFET တွင် အသုံးပြုသည့် လည်ပတ်ဗို့အားသည် BUDS ထက်နည်းရမည်ဖြစ်သည်။

(၆) အမြင့်ဆုံး ပါဝါ ဖြန့်ကျက်ခြင်း။

အမြင့်ဆုံး ပါဝါ dissipation PDSM သည် MOSFET စွမ်းဆောင်ရည် ယိုယွင်းမှုမရှိဘဲ ခွင့်ပြုထားသော အများဆုံး drain-source power dissipation ကို ရည်ညွှန်းသည့် ကန့်သတ်ဘောင်တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။ အသုံးပြုသည့်အခါ၊ MOSFET ၏ အမှန်တကယ် ပါဝါသုံးစွဲမှုသည် PDSM ထက် နည်းသင့်ပြီး အချို့သော အနားသတ်များကို ချန်ထားသင့်သည်။

(၇) အများဆုံး မြောင်း-ရင်းမြစ် ရေစီးကြောင်း

MOSFET သည် ပုံမှန်လည်ပတ်နေချိန်တွင် မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်အကြား ဖြတ်သန်းခွင့်ပြုသည့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်း IDSM သည် အခြားကန့်သတ်ဘောင်ဘောင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ MOSFET ၏လည်ပတ်နေသောလက်ရှိသည် IDSM ထက်မပိုသင့်ပါ။

1. MOSFET ကို အသံချဲ့ထွင်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။ MOSFET amplifier ၏ input impedance သည် အလွန်မြင့်မားသောကြောင့် coupling capacitor သည် သေးငယ်နိုင်ပြီး electrolytic capacitors ကို အသုံးပြုရန် မလိုအပ်ပါ။

2. MOSFET ၏ high input impedance သည် impedance အသွင်ပြောင်းရန်အတွက် အလွန်သင့်လျော်ပါသည်။ Multi-stage amplifiers ၏ input stage တွင် impedance အသွင်ပြောင်းရန်အတွက် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

3. MOSFET ကို variable resistor အဖြစ်သုံးနိုင်သည်။

4. MOSFET ကို အဆက်မပြတ် လက်ရှိရင်းမြစ်အဖြစ် အဆင်ပြေစွာ အသုံးပြုနိုင်သည်။

5. MOSFET အား အီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်အဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။

 

MOSFET တွင် နိမ့်သောအတွင်းခံခုခံမှု၊ မြင့်မားသောဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အမြန်ပြောင်းခြင်းနှင့် မြင့်မားသောနှင်းလျှောစီးစွမ်းအင်တို့၏ လက္ခဏာများရှိသည်။ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော လက်ရှိအတိုင်းအတာမှာ 1A-200A ဖြစ်ပြီး ဗို့အားမှာ 30V-1200V ဖြစ်သည်။ ဝယ်ယူသူ၏ထုတ်ကုန်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ အလုံးစုံပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုနှင့် ထုတ်ကုန်စျေးနှုန်းယှဉ်ပြိုင်နိုင်မှုတို့ကို မြှင့်တင်ရန် ဖောက်သည်၏လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များနှင့် အပလီကေးရှင်းအစီအစဥ်များအလိုက် လျှပ်စစ်ကန့်သတ်ချက်များကို ချိန်ညှိနိုင်သည်။

 

MOSFET နှင့် Transistor နှိုင်းယှဉ်မှု

(1) MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်မှုဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး ထရန်စစ္စတာသည် လက်ရှိထိန်းချုပ်မှုဒြပ်စင်ဖြစ်သည်။ အချက်ပြရင်းမြစ်မှ လျှပ်စီးကြောင်းအနည်းငယ်ကိုသာ ထုတ်ယူခွင့်ပြုသောအခါ MOSFET ကို အသုံးပြုသင့်သည်။ Signal Voltage နည်းပါးပြီး signal အရင်းအမြစ်မှ လျှပ်စီးကြောင်း အများအပြားကို ထုတ်ယူခွင့်ပြုသောအခါ၊ Transistor ကို အသုံးပြုသင့်သည်။

(၂) MOSFET သည် လျှပ်စစ်စီးဆင်းရန် အများစုသော သယ်ဆောင်သူအား အသုံးပြုသောကြောင့် ၎င်းကို unipolar device ဟုခေါ်တွင်ပြီး ထရန်စစ္စတာများတွင် အများစုမှာ သယ်ဆောင်သူနှင့် လူနည်းစုကယ်ရီယာများပါရှိသည်။ ၎င်းကို စိတ်ကြွကိရိယာဟုခေါ်သည်။

(၃) အချို့သော MOSFET များ၏ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကို အပြန်အလှန်အသုံးပြုနိုင်ပြီး ဂိတ်ဗို့အား အပေါင်း သို့မဟုတ် အနုတ်လက္ခဏာ ဖြစ်နိုင်သည်၊ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများထက် ပို၍ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသည်။

(4) MOSFET သည် အလွန်သေးငယ်သော လက်ရှိနှင့် အလွန်နိမ့်သော ဗို့အားအခြေအနေများအောက်တွင် အလုပ်လုပ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီလီကွန် wafer တစ်ခုပေါ်တွင် MOSFET အများအပြားကို အလွယ်တကူပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် MOSFET များကို အကြီးစားပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။

 

MOSFET ၏အရည်အသွေးနှင့် polarity ကိုဘယ်လိုဆုံးဖြတ်မလဲ။

multimeter ၏အကွာအဝေးကို RX1K သို့ရွေးချယ်ပါ၊ အနက်ရောင်စမ်းသပ်မှုခဲကို D တိုင်သို့ချိတ်ဆက်ပါ၊ အနီရောင်စမ်းသပ်မှုသည် S တိုင်ဆီသို့ဦးတည်သည်။ G နှင့် D တိုင်များကို သင့်လက်ဖြင့် တချိန်တည်းထိပါ။ MOSFET သည် ချက်ချင်းလျှပ်ကူးနိုင်သောအခြေအနေတွင်ရှိသင့်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ မီတာအပ်သည် သေးငယ်သောခုခံမှုရှိသောအနေအထားသို့ပြောင်းသွားသင့်သည်။ ပြီးနောက် G နှင့် S တိုင်များကို သင့်လက်ဖြင့်ထိပါ၊ MOSFET သည် တုံ့ပြန်မှုမရှိသင့်ပါ၊ ဆိုလိုသည်မှာ မီတာအပ်သည် သုညအနေအထားသို့ ပြန်ရွေ့မည်မဟုတ်ပါ။ ဤအချိန်တွင် MOSFET သည် ကောင်းမွန်သောပြွန်တစ်ခုဖြစ်သည်ဟု စီရင်သင့်သည်။

multimeter ၏အကွာအဝေးကို RX1K မှရွေးချယ်ပြီး MOSFET ၏ pins သုံးခုကြားခံနိုင်ရည်ကိုတိုင်းတာပါ။ အကယ်၍ pin တစ်ခုနှင့် အခြား pin နှစ်ခုကြား ခံနိုင်ရည်သည် အဆုံးမရှိ ၊ စမ်းသပ်မှု ခဲများကို လဲလှယ်ပြီးနောက် အဆုံးမရှိ ဖြစ်နေသေးပါက၊ ဤ pin သည် G တိုင်ဖြစ်ပြီး ကျန် pin နှစ်ခုမှာ S နှင့် D တိုင်ဖြစ်သည်။ ထို့နောက် S တိုင်နှင့် D တိုင်ကြားခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးကို တိုင်းတာရန် မာလ်တီမီတာကို အသုံးပြုကာ စမ်းသပ်မှုလမ်းကြောင်းများကို လဲလှယ်ပြီး ထပ်မံတိုင်းတာပါ။ ခုခံမှုတန်ဖိုး သေးငယ်သည် အနက်ရောင်ဖြစ်သည်။ စမ်းသပ်ခဲကို S တိုင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး အနီရောင်စမ်းသပ်ခဲကို D တိုင်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။

 

MOSFET ထောက်လှမ်းမှုနှင့် အသုံးပြုမှု ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများ

1. MOSFET ကိုသိရှိရန် pointer multimeter ကိုသုံးပါ။

1) လမ်းဆုံ MOSFET ၏လျှပ်ကူးပစ္စည်းကိုဖော်ထုတ်ရန် ခံနိုင်ရည်တိုင်းတာခြင်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုပါ။

MOSFET ၏ PN လမ်းဆုံ၏ ရှေ့နှင့်နောက်ပြန်ခုခံမှုတန်ဖိုးများ ကွဲပြားနေသည်ဟူသော ဖြစ်စဉ်အရ၊ လမ်းဆုံ MOSFET ၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်းသုံးခုကို ဖော်ထုတ်နိုင်သည်။ တိကျသောနည်းလမ်း- မာလ်တီမီတာကို R×1k အကွာအဝေးတွင်သတ်မှတ်ပါ၊ မည်သည့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကိုမဆို ရွေးချယ်ကာ ၎င်းတို့၏ရှေ့နှင့်နောက်ပြန်ခုခံမှုတန်ဖိုးများကို အသီးသီးတိုင်းတာပါ။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခု၏ ရှေ့နှင့်နောက်ပြန်ခုခံမှုတန်ဖိုးများသည် ညီမျှပြီး ထောင်ပေါင်းများစွာသော ohms ဖြစ်ပါက လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုမှာ D နှင့် အရင်းအမြစ် S အသီးသီးဖြစ်သည်။ လမ်းဆုံ MOSFET များအတွက်၊ မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်သည် လဲလှယ်၍ရနိုင်သောကြောင့် ကျန်လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် G တံခါးဖြစ်ရပါမည်။ အနက်ရောင်စမ်းသပ်ခဲကို သင်လည်း ထိနိုင်သည် (အနီရောင်စမ်းသပ်မှုခဲကိုလည်း လက်ခံနိုင်သည်) multimeter ၏ မည်သည့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့်မဆို အခြားစမ်းသပ်မှုဆီသို့ ဦးတည်သွားနိုင်သည်။ ခုခံမှုတန်ဖိုးကို တိုင်းတာရန် ကျန်ရှိသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကို ဆက်တိုက်ထိပါ။ နှစ်ကြိမ်တိုင်းတာသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများသည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် တူညီသောအခါ၊ အနက်ရောင်စမ်းသပ်ခဲနှင့် ထိတွေ့သည့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် ဂိတ်ပေါက်ဖြစ်ပြီး အခြားလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုမှာ မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ် အသီးသီးဖြစ်သည်။ နှစ်ကြိမ်တိုင်းတာသော ခုခံမှုတန်ဖိုးများသည် နှစ်ခုစလုံး အလွန်ကြီးမားပါက၊ ၎င်းသည် PN လမ်းဆုံ၏ ပြောင်းပြန်ဦးတည်ချက်ဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ၎င်းတို့နှစ်ခုလုံးသည် ပြောင်းပြန်ခုခံမှုဖြစ်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။ ၎င်းသည် N-channel MOSFET ဖြစ်သည်ဟု ဆုံးဖြတ်နိုင်ပြီး အနက်ရောင်စမ်းသပ်ခဲကို ဂိတ်ပေါက်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ အကယ်၍ ခုခံမှုတန်ဖိုးများကို နှစ်ကြိမ်တိုင်းတာပါက ခုခံမှုတန်ဖိုးများသည် အလွန်သေးငယ်ပြီး ၎င်းသည် ရှေ့သို့ PN လမ်းဆုံဖြစ်ပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ ရှေ့ခံခုခံမှုတစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် P-channel MOSFET ဟုသတ်မှတ်ထားသည်။ အနက်ရောင်စမ်းသပ်ခဲကို ဂိတ်ပေါက်နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားသည်။ အထက်ဖော်ပြပါ အခြေအနေများ မဖြစ်ပေါ်ပါက၊ သင်သည် အနက်ရောင်နှင့် အနီရောင် စမ်းသပ်မှု ဦးဆောင်လမ်းပြများကို အစားထိုးနိုင်ပြီး ဇယားကွက်ကို မဖော်ထုတ်မချင်း အထက်ပါနည်းလမ်းအတိုင်း စမ်းသပ်လုပ်ဆောင်နိုင်ပါသည်။

 

2) MOSFET ၏ အရည်အသွေးကို ဆုံးဖြတ်ရန် ခံနိုင်ရည်တိုင်းတာခြင်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုပါ။

ခံနိုင်ရည်တိုင်းတာခြင်းနည်းလမ်းမှာ MOSFET ၏အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်း၊ ဂိတ်နှင့်ရင်းမြစ်၊ ဂိတ်နှင့်မြောင်း၊ ဂိတ် G1 နှင့် ဂိတ် G2 အကြား ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာရန် Multimeter ကိုအသုံးပြုပြီး ၎င်းသည် MOSFET လက်စွဲစာအုပ်တွင်ဖော်ပြထားသည့် ခုခံတန်ဖိုးနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိမရှိ ဆုံးဖြတ်ရန်ဖြစ်သည်။ စီမံခန့်ခွဲမှုက ကောင်းလား ဆိုးလား ။ တိကျသောနည်းလမ်း- ပထမဦးစွာ၊ Multimeter ကို R×10 သို့မဟုတ် R×100 အကွာအဝေးတွင် သတ်မှတ်ပြီး အရင်းအမြစ် S နှင့် D အကြား ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာပါ၊ အများအားဖြင့် ဆယ် ohms မှ ထောင်ပေါင်းများစွာသော ohms အကွာအဝေးတွင် (၎င်းကို ကြည့်ရှုနိုင်သည်။ မော်ဒယ်မျိုးစုံပြွန်များ၊ ၎င်းတို့၏ ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများ ကွဲပြားသည်)၊ တိုင်းတာထားသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးသည် သာမန်တန်ဖိုးထက် ကြီးနေပါက၊ အတွင်းပိုင်းထိတွေ့မှု ညံ့ဖျင်းခြင်းကြောင့် ဖြစ်နိုင်သည်။ တိုင်းတာထားသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးသည် အဆုံးမရှိပါက၊ ၎င်းသည် အတွင်းပိုင်းကျိုးသွားသည့်တိုင် ဖြစ်နိုင်သည်။ ထို့နောက် multimeter ကို R×10k အကွာအဝေးသို့ သတ်မှတ်ပြီး G1 နှင့် G2 ကြား၊ ဂိတ်ပေါက်နှင့် အရင်းအမြစ်ကြား၊ ဂိတ်နှင့် မြောင်းကြားတွင် ခုခံမှုတန်ဖိုးများကို တိုင်းတာပါ။ တိုင်းတာထားသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများ အားလုံးသည် အဆုံးမရှိသောအခါ၊ ၎င်းသည် tube သည် ပုံမှန်ဖြစ်သည်၊ အထက်ဖော်ပြပါ ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများ အလွန်သေးငယ်ပါက သို့မဟုတ် လမ်းကြောင်းတစ်ခု ရှိနေပါက၊ ၎င်းသည် tube မကောင်းကြောင်း ဆိုလိုသည်။ ပြွန်အတွင်း တံခါးနှစ်ပေါက် ကျိုးသွားပါက အစိတ်အပိုင်း အစားထိုးနည်းလမ်းကို ထောက်လှမ်းရန် အသုံးပြုနိုင်ကြောင်း သတိပြုသင့်သည်။

 

3) MOSFET ၏ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို ခန့်မှန်းရန် induction signal input method ကို အသုံးပြုပါ။

တိကျသောနည်းလမ်း- မာလ်တီမီတာခံနိုင်ရည်ရှိသော R×100 အဆင့်ကိုသုံးပါ၊ အနီရောင်စမ်းသပ်မှုဦးဆောင်လမ်းပြကို အရင်းအမြစ် S သို့ ချိတ်ဆက်ကာ အနက်ရောင်စမ်းသပ်မှုကို မြောင်း D သို့ပို့ဆောင်ပါ။ MOSFET သို့ 1.5V ပါဝါထောက်ပံ့သည့်ဗို့အားကို ပေါင်းထည့်ပါ။ ဤအချိန်တွင်၊ မြောင်းနှင့်အရင်းအမြစ်အကြားခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးကိုမီတာအပ်ဖြင့်ညွှန်ပြသည်။ ထို့နောက် လမ်းဆုံ MOSFET ၏ G တံခါးကို သင့်လက်ဖြင့် ခေါက်ပြီး လူ့ခန္ဓာကိုယ်၏ induced voltage signal ကို ဂိတ်ထဲသို့ ထည့်ပါ။ ဤနည်းအားဖြင့်၊ tube ၏ချဲ့ထွင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့်၊ drain-source voltage VDS နှင့် drain current Ib သည်ပြောင်းလဲသွားသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ drain နှင့် source အကြားခံနိုင်ရည်သည်ပြောင်းလဲလိမ့်မည်။ ယင်းမှနေ၍ မီတာအပ်သည် ကြီးမားသောအတိုင်းအတာအထိ ရွေ့သွားသည်ကို သတိပြုနိုင်သည်။ လက်ကိုင်ဂရစ်ဆေးထိုးအပ်၏ အပ်သည် အနည်းငယ်လွှဲပါက ပြွန်၏ ချဲ့ထွင်နိုင်မှု ညံ့ဖျင်းသည်ဟု ဆိုလိုသည်။ အပ်သည် အလွန်ရွေ့လျားပါက ပြွန်၏ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းသည် ကြီးမားသည်ဟု ဆိုလိုသည်။ အပ်မရွေ့ပါက ပြွန်မကောင်းဟု ဆိုလိုသည်။

 

အထက်ဖော်ပြပါနည်းလမ်းအရ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် လမ်းဆုံ MOSFET 3DJ2F ကိုတိုင်းတာရန် multimeter ၏ R×100 စကေးကို အသုံးပြုသည်။ ပထမဦးစွာ Tube ၏ G electrode ကိုဖွင့်ပြီး Drain-source resistance RDS ကို 600Ω ဖြစ်စေရန် တိုင်းပါ။ G လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို လက်ဖြင့် ကိုင်ပြီးနောက်၊ မီတာအပ်သည် ဘယ်ဘက်သို့ ရွေ့လျားသည်။ ညွှန်ပြသောခုခံမှု RDS သည် 12kΩဖြစ်သည်။ မီတာအပ်သည် ပိုကြီးလျှင် ပြွန်ကောင်းသည်ဟု ဆိုလိုသည်။ နှင့် ပိုမိုချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းရှိသည်။

 

ဤနည်းလမ်းကိုအသုံးပြုရာတွင် သတိပြုရန်အချက်အနည်းငယ်ရှိသည်- ပထမဦးစွာ MOSFET ကိုစမ်းသပ်ပြီး တံခါးကိုသင်၏လက်ဖြင့်ကိုင်ထားသောအခါ၊ မီလီမီတာအပ်သည် ညာဘက်သို့လွှဲနိုင်သည် (ခုခံမှုတန်ဖိုးကျဆင်းသည်) သို့မဟုတ် ဘယ်ဘက်သို့ (ခုခံမှုတန်ဖိုးတိုးလာသည်)၊ . ၎င်းမှာ လူ့ခန္ဓာကိုယ်မှ လှုံ့ဆော်ပေးသော AC ဗို့အား အတော်လေး မြင့်မားသောကြောင့်ဖြစ်ပြီး မတူညီသော MOSFET များသည် ခုခံမှုအကွာအဝေး (saturated zone သို့မဟုတ် unsaturated zone) တွင် လည်ပတ်သောအခါတွင် မတူညီသော အလုပ်ရမှတ်များ ရှိနိုင်ပါသည်။ စစ်ဆေးမှုများက ပြွန်အများစု၏ RDS တိုးလာကြောင်း ပြသခဲ့သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ၊ နာရီလက်သည် ဘယ်ဘက်သို့ လှည့်သည်။ ပြွန်အနည်းငယ်၏ RDS သည် လျော့နည်းသွားပြီး နာရီလက်ကို ညာဘက်သို့ လွှဲသွားစေသည်။

လက်ပတ်နာရီလက်လွှဲသည့် လမ်းကြောင်းကို မည်သို့ပင်ဖြစ်စေ လက်ပတ်နာရီလက်သည် ပိုကြီးသရွေ့ရွေ့လျားနေသရွေ့၊ ၎င်းသည် ပြွန်တွင် ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းပိုကြီးသည်ဟု ဆိုလိုသည်။ ဒုတိယ၊ ဤနည်းလမ်းသည် MOSFET များအတွက်လည်းအလုပ်လုပ်သည်။ သို့သော် MOSFET ၏ input resistance သည် မြင့်မားသည်၊ gate G ၏ခွင့်ပြုထားသော induced voltage သည် အလွန်မြင့်မားနေသင့်သည်၊ ထို့ကြောင့် gate ကို လက်ဖြင့် တိုက်ရိုက်မဆွဲပါနှင့်။ တံခါးကို သတ္တုတုတ်တံဖြင့်ထိရန် ဝက်အူလှည့်လက်ကိုင်ကို အသုံးပြုရပါမည်။ လူ့ခန္ဓာကိုယ်မှ တွန်းပို့သော အားအား ဂိတ်ပေါက်ထဲသို့ တိုက်ရိုက်ထည့်ခြင်းမှ တားဆီးရန်၊ ဂိတ်ပေါက် ပြိုကွဲစေပါသည်။ တတိယ၊ တိုင်းတာမှုတစ်ခုစီပြီးနောက်၊ GS တိုင်များသည် တိုတောင်းသော circuit ဖြစ်သင့်သည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် VGS ဗို့အားကိုတည်ဆောက်ပေးသော GS junction capacitor တွင် အားအနည်းငယ်သာရှိနေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် မီတာ၏လက်များသည် ထပ်မံတိုင်းတာသောအခါတွင် မရွေ့နိုင်ပေ။ အားအား ထုတ်လွှတ်ရန် တစ်ခုတည်းသောနည်းလမ်းမှာ GS လျှပ်ကူးပစ္စည်းကြားတွင် လျှပ်စီးကြောင်းတိုစေရန်ဖြစ်သည်။

4) အမှတ်အသားမပါသော MOSFET များကိုဖော်ထုတ်ရန် ခံနိုင်ရည်တိုင်းတာခြင်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြုပါ။

ပထမဦးစွာ၊ အရင်းအမြစ် S နှင့် D သည် ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးများပါရှိသော ပင်တန်းနှစ်ခုကို ရှာဖွေရန် ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာသည့်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုပါ။ ကျန်သော pin နှစ်ခုမှာ ပထမတံခါး G1 နှင့် ဒုတိယတံခါး G2 ဖြစ်သည်။ စမ်းသပ်မှုနှစ်ခုဖြင့် ဦးစွာတိုင်းတာသော အရင်းအမြစ် S နှင့် D အကြား ခုခံမှုတန်ဖိုးကို ချရေးပါ။ စမ်းသပ်မှုအား ပြောင်းပြီး ထပ်မံတိုင်းတာပါ။ တိုင်းတာသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးကို ချရေးပါ။ နှစ်ကြိမ်တိုင်းတာသော ပိုကြီးသောခုခံမှုတန်ဖိုးသည် အနက်ရောင်စမ်းသပ်ခဲဖြစ်သည်။ ချိတ်ဆက်ထားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် မြောင်း D; အနီရောင်စမ်းသပ်ခဲသည် အရင်းအမြစ် S နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဤနည်းလမ်းဖြင့် ဖော်ထုတ်ထားသော S နှင့် D တိုင်များသည် ပြွန်၏ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို ခန့်မှန်းခြင်းဖြင့်လည်း အတည်ပြုနိုင်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ၊ ကြီးမားသောချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းရှိသည့်အနက်ရောင်စမ်းသပ်ခဲကို D တိုင်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ အနီရောင်စမ်းသပ်ခဲကို 8-pole မှမြေပြင်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ နည်းလမ်းနှစ်ခုလုံး၏ စမ်းသပ်မှုရလဒ်များသည် တူညီသင့်သည်။ D နှင့် ရင်းမြစ် S ၏ တည်နေရာများကို ဆုံးဖြတ်ပြီးနောက်၊ D နှင့် S တို့၏ သက်ဆိုင်ရာ အနေအထားများအတိုင်း ဆားကစ်ကို တပ်ဆင်ပါ။ ယေဘုယျအားဖြင့် G1 နှင့် G2 သည်လည်း အစဉ်လိုက်အတိုင်း လိုက်နေမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် G1 နှင့် G2 ဂိတ်နှစ်ခု၏ ရာထူးများကို ဆုံးဖြတ်သည်။ ၎င်းသည် D၊ S၊ G1 နှင့် G2 ပင်များ၏ အစီအစဥ်ကို ဆုံးဖြတ်သည်။

5) Transconductance ၏အရွယ်အစားကိုဆုံးဖြတ်ရန် ပြောင်းပြန်ခုခံမှုတန်ဖိုးပြောင်းလဲမှုကို အသုံးပြုပါ။

VMOSN ချန်နယ်အဆင့်မြှင့်တင်မှု MOSFET ၏ transconductance စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုင်းတာသောအခါ၊ အရင်းအမြစ် S နှင့် အနက်ရောင်စမ်းသပ်မှုကို မြောင်း D သို့ ချိတ်ဆက်ရန် အနီရောင်စမ်းသပ်မှုကို သင်အသုံးပြုနိုင်သည်။ ၎င်းသည် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားတွင် ပြောင်းပြန်ဗို့အားကို ပေါင်းထည့်ခြင်းနှင့် ညီမျှသည်။ ဤအချိန်တွင်၊ တံခါးသည် ဖွင့်ထားသော ဆားကစ်ဖြစ်ပြီး ပြွန်၏ ပြောင်းပြန်ခုခံမှုတန်ဖိုးသည် အလွန်မတည်မြဲပါ။ multimeter ၏ ohm အကွာအဝေးကို R×10kΩ ၏ မြင့်မားသောခုခံမှုအကွာအဝေးသို့ ရွေးချယ်ပါ။ ထိုအချိန်တွင် မီတာအတွင်းရှိ ဗို့အားက ပိုမြင့်လာသည်။ ဇယားကွက် G ကို လက်ဖြင့် ထိသောအခါ၊ ပြွန်၏ ပြောင်းပြန်ခုခံမှုတန်ဖိုးသည် သိသိသာသာ ပြောင်းလဲသွားသည်ကို တွေ့ရလိမ့်မည်။ ပြောင်းလဲမှုကြီးလေလေ၊ tube ၏ transconductance တန်ဖိုး မြင့်မားလေဖြစ်သည်။ စမ်းသပ်မှုအောက်ရှိ tube ၏ transconductance အလွန်သေးငယ်ပါက၊ ဘယ်သောအခါတွင် reverse resistance သည် အနည်းငယ်ပြောင်းလဲသွားသည်ကို တိုင်းတာရန် ဤနည်းလမ်းကို အသုံးပြုပါ။

 

MOSFET အသုံးပြုခြင်းအတွက်သတိထားပါ။

1) MOSFET ကို ဘေးကင်းစွာ အသုံးပြုနိုင်ရန်၊ ပြွန်၏ dissipated power၊ အများဆုံး drain-source ဗို့အား၊ အမြင့်ဆုံး gate-source voltage နှင့် အမြင့်ဆုံး current ကဲ့သို့သော ကန့်သတ်တန်ဖိုးများကို circuit design တွင် ကျော်လွန်၍မရနိုင်ပါ။

2) MOSFET အမျိုးအစားအမျိုးမျိုးကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ ၎င်းတို့အား လိုအပ်သောဘက်လိုက်မှုများနှင့်အညီ တင်းကြပ်စွာ circuit နှင့် ချိတ်ဆက်ထားရမည်ဖြစ်ပြီး MOSFET ဘက်လိုက်မှု၏ polarity ကို စောင့်ကြည့်ရမည်ဖြစ်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဂိတ်ရင်းမြစ်နှင့် လမ်းဆုံ MOSFET ၏မြောင်းကြားတွင် PN လမ်းဆုံတစ်ခုရှိပြီး N-channel tube ၏တံခါးသည် အပြုသဘောဘက်လိုက်၍မရနိုင်ပါ။ P-channel tube ၏တံခါးသည် အနုတ်လက္ခဏာဘက်လိုက်၍မဖြစ်နိုင်ပါ။

3) MOSFET ၏ input impedance သည် အလွန်မြင့်မားသောကြောင့်၊ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် သိုလှောင်မှုအတွင်း ပင်များကို short-circuit ထားရမည်ဖြစ်ပြီး တံခါးပေါက်ကွဲသွားခြင်းမှ ပြင်ပမှ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သော အလားအလာများကို ကာကွယ်ရန်အတွက် သတ္တုအကာအကာဖြင့် ထုပ်ပိုးထားရပါမည်။ အထူးသဖြင့် MOSFET ကို ပလပ်စတစ်သေတ္တာထဲတွင် ထည့်၍မရကြောင်း သတိပြုပါ။ ၎င်းကို သတ္တုသေတ္တာထဲတွင် သိမ်းဆည်းခြင်းသည် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ ပြွန်အစိုဓာတ်ကိုထိန်းထားရန်အာရုံစိုက်ပါ။

4) MOSFET တံခါးပေါက် inductive ပြိုကွဲခြင်းကိုကာကွယ်ရန်အတွက်၊ စမ်းသပ်ကိရိယာများ၊ အလုပ်ခုံများ၊ ဂဟေသံများနှင့် ဆားကစ်များအားလုံးကို ကောင်းစွာအခြေချရပါမည်။ တံများကို ဂဟေဆက်သောအခါ အရင်းအမြစ်ကို ဦးစွာဂဟေဆက်ပါ။ ဆားကစ်သို့မချိတ်ဆက်မီ၊ ပြွန်သည် ခဲစွန်းများအားလုံးကို တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ရှော့တိုက်ပေးသင့်ပြီး ဂဟေဆက်ပြီးသည်နှင့် လျှပ်စီးကြောင်းပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားသင့်သည်။ အစိတ်အပိုင်း rack မှ tube ကိုဖယ်ရှားသောအခါ, grounding ring ကိုအသုံးပြုခြင်းကဲ့သို့သောလူ့ခန္ဓာကိုယ်ကိုမြေပြင်ဖြစ်ကြောင်းသေချာစေရန်သင့်လျော်သောနည်းလမ်းများကိုအသုံးပြုသင့်ပါတယ်; အကယ်၍ အဆင့်မြင့် ဓာတ်ငွေ့အပူပေးထားသော ဂဟေသံသည် MOSFET များကို ဂဟေဆော်ရန်အတွက် ပိုမိုအဆင်ပြေပြီး ဘေးကင်းမှုကို သေချာစေပါက၊ ပါဝါမပိတ်မီတွင် ပြွန်အား ဆားကစ်အတွင်းသို့ ထည့်သွင်းခြင်း သို့မဟုတ် ဆွဲထုတ်ခြင်းမပြုရပါ။ MOSFET ကိုအသုံးပြုသောအခါတွင် အထက်ပါဘေးကင်းရေးအစီအမံများကို ဂရုပြုရပါမည်။

5) MOSFET ကို တပ်ဆင်သည့်အခါ၊ တပ်ဆင်မှုအနေအထားကို အာရုံစိုက်ပြီး အပူဒြပ်စင်နှင့် နီးကပ်နေခြင်းကို ရှောင်ရှားရန် ကြိုးစားပါ။ ပိုက်ဆက်စပ်ပစ္စည်းများ၏တုန်ခါမှုကိုတားဆီးရန်အတွက် tube shell ကိုတင်းကျပ်ရန်လိုအပ်သည်; ပင်ချောင်းများကို ကွေးလိုက်သောအခါ၊ ပင်ချောင်းများကို ကွေးညွှတ်စေပြီး လေယိုစိမ့်မှုကို ရှောင်ရှားရန် သေချာစေရန် ၎င်းတို့သည် အမြစ်အရွယ်အစားထက် 5 မီလီမီတာ ပိုကြီးသင့်သည်။

ပါဝါ MOSFET များအတွက်၊ ကောင်းမွန်သောအပူပေးသည့်အခြေအနေများလိုအပ်ပါသည်။ ပါဝါ MOSFET များကို မြင့်မားသောဝန်အခြေအနေအောက်တွင် အသုံးပြုထားသောကြောင့်၊ ကိရိယာသည် အချိန်အကြာကြီး တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အလုပ်လုပ်နိုင်စေရန် လုံလောက်သော အပူစုပ်ခွက်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ရပါမည်။

အတိုချုပ်ပြောရလျှင် MOSFETs များကို ဘေးကင်းစွာအသုံးပြုမှုသေချာစေရန်အတွက် အထူးဂရုပြုရမည့်အချက်များစွာရှိပြီး ဘေးကင်းရေးအစီအမံများမှာလည်း အမျိုးမျိုးရှိနေသည်။ ပရော်ဖက်ရှင်နယ်နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဝန်ထမ်းအများစု အထူးသဖြင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ဝါသနာရှင်အများစုသည် ၎င်းတို့၏ ပကတိအခြေအနေအပေါ် အခြေခံ၍ MOSFET များကို ဘေးကင်းပြီး ထိထိရောက်ရောက် အသုံးပြုရန် လက်တွေ့ကျသော နည်းလမ်းများကို ကျင့်သုံးရမည်ဖြစ်သည်။