MOSFET ၏ ဒေသလေးခုကား အဘယ်နည်း။

N-channel မြှင့်တင်မှု MOSFET ၏ ဒေသလေးခု

(၁) ပြောင်းလဲနိုင်သော ခုခံမှုနယ်မြေ (မပြည့်မပြည့်နယ်မြေဟုလည်း ခေါ်သည်)၊

Ucs" Ucs (th) (အဖွင့်ဗို့အား)၊ uDs" UGs-Ucs (th) သည် ချန်နယ်ကိုဖွင့်သည့်ပုံတွင် ချန်နယ်ကိုဖွင့်ထားသည့်ပုံရှိ ကြိုတင်ထည့်သွင်းထားသည့်ခြေရာခံ၏ ဘယ်ဘက်ရှိ ဒေသဖြစ်သည်။ UD များ၏ တန်ဖိုးသည် ဤဒေသတွင် သေးငယ်ပြီး ချန်နယ်ခံနိုင်ရည်အား အခြေခံအားဖြင့် UG များကသာ ထိန်းချုပ်ထားသည်။ uGs သည် သေချာသည်၊ ip နှင့် uDs သည် linear ဆက်ဆံရေးသို့ရောက်သောအခါ၊ ဒေသသည် မျဉ်းဖြောင့်အစုတစ်ခုအဖြစ် ခန့်မှန်းသည်။ ဤအချိန်တွင် field effect tube D,S သည် ဗို့အားတစ်ခု UGS နှင့် ညီမျှသည်။

ဗို့အား UGS ပြောင်းလဲနိုင်သော ခုခံမှုဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသည်။

(၂) စဉ်ဆက်မပြတ် လက်ရှိဒေသ (ရွှဲဒေသ၊ ချဲ့ထွင်သည့်ဒေသ၊ တက်ကြွသောဒေသ)၊

Ucs ≥ Ucs (h) နှင့် Ubs ≥ UcsUssth) အကြိုခြေရာခံ၏ ညာဘက်အခြမ်းကို pinch off လမ်းကြောင်းအတွက်၊ သို့သော် မပြိုကွဲသေးသော ဒေသ၊ ဒေသအတွင်း၊ uGs ဖြစ်ရမည်ဆိုသောအခါ၊ ib သည် မပြိုကွဲသေးပါ။ UDs ဖြင့် ပြောင်းလဲခြင်းသည် အဆက်မပြတ်-လက်ရှိ လက္ခဏာများဖြစ်သည်။ i ကို UG များကသာ ထိန်းချုပ်သည်၊ ထို့နောက် MOSFETD, S သည် လက်ရှိရင်းမြစ်၏ ဗို့အား uGs ထိန်းချုပ်မှုနှင့် ညီမျှသည်။ MOSFET ကို ချဲ့ထွင်သော ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုသည်၊ ယေဘုယျအားဖြင့် MOSFET D၊ S သည် ဗို့အား uGs ထိန်းချုပ်မှု လက်ရှိရင်းမြစ်နှင့် ညီမျှသည်။ ချဲ့ထွင်သော ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုသည့် MOSFET သည် ယေဘုယျအားဖြင့် ဒေသအတွင်း အလုပ်လုပ်သည်၊ ထို့ကြောင့် အသံချဲ့စက်ဧရိယာဟုလည်း ခေါ်သည်။

(၃) ကလစ်ပိတ်ဧရိယာ (အဖြတ်ဧရိယာဟုလည်း ခေါ်သည်)၊

ဧရိယာ၏ အလျားလိုက်ဝင်ရိုးအနီးပုံအတွက် ucs "Ues (th) ပြည့်မီရန် ဖြတ်ပိုင်းဖြတ်ဧရိယာ (also known as cut-off area)" for the figure for the horizontal axis, the channel is all clamped off, full clip off, io = 0 ပြွန်အလုပ်မလုပ်ပါ။

(၄) ဇုန်တည်နေရာ ပြိုကွဲခြင်း။

ပြိုကွဲသောဒေသသည် ပုံ၏ညာဘက်ခြမ်းတွင်ရှိသော ဒေသဖြစ်သည်။ တိုးလာသော UD များနှင့်အတူ၊ PN လမ်းဆုံသည် အလွန်အကျွံပြောင်းပြန်ဗို့အားနှင့် ပြိုကွဲခြင်းကို ခံရသည်၊ ip သည် သိသိသာသာတိုးလာသည်။ ပျက်စီးနေသောဒေသတွင် လည်ပတ်မှုမဖြစ်စေရန်အတွက် ပြွန်ကို လည်ပတ်သင့်သည်။ Transfer characteristic curve သည် output characteristic curve မှဆင်းသက်လာနိုင်သည်။ ဂရပ်ဖစ်အဖြစ်သုံးသောနည်းလမ်းကို ရှာတွေ့သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ Ubs = 6V ဒေါင်လိုက်မျဉ်းအတွက် ပုံ 3 (က) တွင် i နှင့် သက်ဆိုင်သည့် မျဉ်းကွေးအမျိုးမျိုးနှင့် ၎င်း၏လမ်းဆုံ၊ မျဉ်းကွေးနှင့်ချိတ်ဆက်ထားသော ib- Uss သြဒီနိတ်အတွင်းရှိ Us တန်ဖိုးများ၊ ဆိုလိုသည်မှာ လွှဲပြောင်းဝိသေသမျဉ်းကွေးကိုရယူရန်။

ကန့်သတ်ချက်များMOSFET

MOSFET ၏ DC ဘောင်များ ၊ AC ဘောင်များ နှင့် ကန့်သတ်ဘောင်များ အပါအဝင် ကန့်သတ်ဘောင်ဘောင်များ အများအပြားရှိပါသည်၊ သို့သော် အသုံးများသော အသုံးပြုမှုတွင် အောက်ပါ ပင်မဘောင်များကိုသာ အလေးထားရန် လိုအပ်သည်- saturated drain-source current IDSS pinch-off voltage Up၊ (လမ်းဆုံ-အမျိုးအစားပြွန်များနှင့် လျော့နည်းသွားခြင်း -type insulated-gate tubes, သို့မဟုတ် turn-on voltage UT (အားဖြည့်ထားသော insulated-gate tubes), trans-conductance gm, leakage-source breakdown ဗို့အား BUDS၊ အများဆုံး dissipated ပါဝါ PDSM နှင့် အမြင့်ဆုံး drain-source current IDSM ။

(၁) Saturated drain လျှပ်စီးကြောင်း

saturated drain current IDSS သည် junction သို့မဟုတ် depletion type in insulated gate MOSFET တွင် gate voltage UGS = 0 ဖြစ်သည်။

(၂) ကလစ်ပိတ်ဗို့အား

pinch-off voltage UP သည် junction-type သို့မဟုတ် depletion-type insulated-gate MOSFET ရှိ gate voltage သည် drain နှင့် source ကြားတွင်ပြတ်တောက်သွားပါသည်။ N-channel tube UGS အတွက် 4-25 တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း ID မျဉ်းကွေးတစ်ခု IDSS နှင့် UP ၏ အဓိပ္ပါယ်ကို သိမြင်နိုင်သည်၊

MOSFET လေးဒေသ

(၃) ဗို့အားဖွင့်ပါ။

turn-on ဗို့အား UT သည် အားဖြည့်ထားသော insulated-gate MOSFET မှ gate voltage သည် inter-drain-source ကို လျှပ်ကူးနိုင်စေသည်။

(၄) Transconductance

transconductance gm သည် drain current ID ရှိ gate source voltage UGS ၏ ထိန်းချုပ်နိုင်မှု စွမ်းရည်ဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ Drain current ID တွင် ပြောင်းလဲသည့် အချိုးသည် gate source voltage UGS တွင် ပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်သည်။ 9m သည် အသံချဲ့စက်၏ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို တိုင်းတာသည့် အရေးကြီးသော ဘောင်တစ်ခုဖြစ်သည်။MOSFET.

(၅) Drain source breakdown voltage ၊

Drain source breakdown voltage BUDS သည် gate source voltage UGS ကိုရည်ညွှန်းသည်၊ MOSFET သည် ပုံမှန်လုပ်ဆောင်မှုတွင် အများဆုံး drain source voltage ကို လက်ခံနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ကန့်သတ်ဘောင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး MOSFET လည်ပတ်မှုဗို့အား BUDS ထက်နည်းရပါမည်။

(၆) အမြင့်ဆုံး ပါဝါ Dissipation

အမြင့်ဆုံးပါဝါ dissipation PDSM သည်လည်းကန့်သတ်ကန့်သတ်ဘောင်တစ်ခုဖြစ်သည်, ကိုရည်ညွှန်းသည်။MOSFETအမြင့်ဆုံးခွင့်ပြုထားသော ယိုစိမ့်မှုအရင်းအမြစ်ပါဝါ dissipation ဖြစ်သောအခါ စွမ်းဆောင်ရည် ဆိုးရွားခြင်းမရှိပါ။ MOSFET ကို လက်တွေ့သုံးသည့်အခါ ပါဝါသုံးစွဲမှုသည် PDSM ထက်နည်းပြီး အချို့သောအနားသတ်ကို ချန်ထားသင့်သည်။

(၇) Maximum Drain Current

Maximum leakage current IDSM သည် အခြားသော ကန့်သတ်ဘောင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ MOSFET ၏ ပုံမှန်လည်ပတ်မှုကို ရည်ညွှန်းသည်၊၊ MOSFET ၏ လည်ပတ်စီးဆင်းမှုအား ဖြတ်သန်းခွင့်ပြုသည့် အများဆုံးလက်ရှိ ပေါက်ကြားမှုအရင်းအမြစ်သည် IDSM ထက် မကျော်လွန်သင့်ပေ။

MOSFET လည်ပတ်မှုအခြေခံမူ

MOSFET (N-channel မြှင့်တင်မှု MOSFET) ၏ လည်ပတ်မှုမူမှာ ဤ "inductive charge" ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်း၏ အခြေအနေကို ပြောင်းလဲရန်အတွက် "inductive charge" ပမာဏကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် VGS ကို အသုံးပြုရန် ဖြစ်ပါသည်။ Drain Current ကိုထိန်းချုပ်ခြင်း။ ရည်ရွယ်ချက်မှာ Drain Current ကို ထိန်းချုပ်ရန်ဖြစ်သည်။ ပြွန်များထုတ်လုပ်ရာတွင်၊ insulating အလွှာတွင်အပြုသဘောဆောင်သောအိုင်းယွန်းအမြောက်အများပြုလုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အားဖြင့်၊ ထို့ကြောင့် interface ၏အခြားတစ်ဖက်တွင်အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သောဓာတ်ပစ္စည်းများကိုပိုမိုသွေးဆောင်နိုင်သည်၊ ဤအနုတ်လက္ခဏာဆောင်သောဓာတ်အားကိုလှုံ့ဆော်ပေးနိုင်သည်။

ဂိတ်ဗို့အား ပြောင်းလဲသောအခါ၊ ချန်နယ်အတွင်းရှိ တွန်းအားပမာဏသည်လည်း ပြောင်းလဲသွားသည်၊ လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်း၏ အကျယ်သည်လည်း ပြောင်းလဲသွားကာ၊ ထို့ကြောင့် Drain current ID သည် gate voltage ဖြင့် ပြောင်းလဲသွားပါသည်။

MOSFET အခန်းကဏ္ဍ

I. MOSFET ကို ချဲ့ထွင်ခြင်းတွင် အသုံးချနိုင်သည်။ MOSFET အသံချဲ့စက်၏ မြင့်မားသော input impedance ကြောင့်၊ electrolytic capacitor ကို အသုံးမပြုဘဲ coupling capacitor သည် စွမ်းရည်ပိုသေးငယ်နိုင်သည်။

ဒုတိယ၊ MOSFET ၏မြင့်မားသော input impedance သည် impedance အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းအတွက်အလွန်သင့်လျော်သည်။ impedance အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းအတွက် multi-stage amplifier input stage တွင် အသုံးများသည်။

MOSFET ကို variable resistor အဖြစ်သုံးနိုင်သည်။

စတုတ္ထ၊ MOSFET ကို အဆက်မပြတ် လက်ရှိရင်းမြစ်အဖြစ် အလွယ်တကူ အသုံးပြုနိုင်သည်။

ပဉ္စမအချက်၊ MOSFET ကို အီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်တစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။