MOSFETs အတွက် လျှောက်လွှာအခြေအနေတွေက ဘာတွေလဲ။

MOSFET များကို analog နှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏အသက်တာနှင့် နီးကပ်စွာဆက်စပ်နေပါသည်။ MOSFET ၏အားသာချက်များမှာ- drive circuit သည် အတော်လေးရိုးရှင်းပါသည်။MOSFET များသည် BJTs ထက် drive current များစွာလိုအပ်ပြီး အများအားဖြင့် CMOS သို့မဟုတ် open collector မှ တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်နိုင်သည်။ TTL ဒရိုက်ဘာ ဆားကစ်များ။ ဒုတိယ၊ MOSFET များသည် အားသွင်းသိုလှောင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုမရှိသောကြောင့် ပိုမိုမြန်ဆန်စွာပြောင်းနိုင်ပြီး ပိုမိုမြင့်မားသောအမြန်နှုန်းဖြင့် လည်ပတ်နိုင်သည်။ ထို့အပြင် MOSFET များတွင် ဆင့်ပွားပြိုကွဲပျက်စီးမှု ယန္တရား မရှိပါ။ အပူချိန်မြင့်လေ၊ ခံနိုင်ရည်ပိုအားကောင်းလေ၊ အပူပြိုကွဲနိုင်ခြေ နည်းပါးလေလေ၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းရန်အတွက် ကျယ်ပြန့်သော အပူချိန်တွင်လည်း ရှိသည်။ MOSFET များကို အသုံးချမှု အများအပြားတွင်၊ လူသုံးအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး ထုတ်ကုန်များ၊ လျှပ်စစ်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ၊ ပစ္စည်းကိရိယာများ၊ စမတ်ဖုန်းများနှင့် အခြားသယ်ဆောင်ရလွယ်ကူသော ဒစ်ဂျစ်တယ်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို နေရာတိုင်းတွင် တွေ့ရှိနိုင်သည်။

MOSFET လျှောက်လွှာကိစ္စခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာ

1၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှုလျှောက်လွှာများကိုပြောင်းခြင်း။

အဓိပ္ပါယ်အားဖြင့်၊ ဤအပလီကေးရှင်းသည် MOSFET များကို အချိန်နှင့်တပြေးညီ လုပ်ဆောင်ရန်နှင့် ပိတ်ရန် လိုအပ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အခြေခံ buck converter တွင် အသုံးများသော DC-DC power supply သည် switching function ကိုလုပ်ဆောင်ရန် MOSFETs နှစ်ခုပေါ်တွင် အားကိုးနေသကဲ့သို့ power supply ကိုပြောင်းရန်အတွက် topologies အများအပြားကိုအသုံးပြုနိုင်သည်၊ ဤ switches များသည် inductor တွင်အလှည့်ကျသိမ်းဆည်းရန်၊ စွမ်းအင်၊ ထို့နောက် စွမ်းအင်ကို ဝန်သို့ဖွင့်ပါ။ လက်ရှိတွင်၊ ဒီဇိုင်နာများသည် ရာနှင့်ချီသော kHz နှင့် 1MHz အထက်တွင်ပင် ကြိမ်နှုန်းများကို ရွေးချယ်လေ့ရှိသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားလေ၊ သံလိုက်အစိတ်အပိုင်းများ သေးငယ်လေ ပေါ့ပါးလေဖြစ်သည်။ ပါဝါပံ့ပိုးမှုပြောင်းရာတွင် ဒုတိယအရေးကြီးဆုံး MOSFET ဘောင်များတွင် အထွက်စွမ်းရည်၊ တံခါးခုံဗို့အား၊ ဂိတ်ပေါက် impedance နှင့် avalanche စွမ်းအင်တို့ ပါဝင်သည်။

2, မော်တာထိန်းချုပ်မှု applications များ

မော်တာထိန်းချုပ်မှု အက်ပ်များသည် ပါဝါအတွက် အခြားအသုံးချပရိုဂရမ်များဖြစ်သည်။MOSFETs. ပုံမှန် တံတားတစ်ဝက် ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်းများသည် MOSFET နှစ်ခုကို အသုံးပြုသည် (တံတားအပြည့် လေးခုကို အသုံးပြုသည်)၊ သို့သော် MOSFET နှစ်ခု ပိတ်ချိန် (dead time) သည် ညီမျှသည်။ ဤအပလီကေးရှင်းအတွက်၊ ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ရယူချိန် (trr) သည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ inductive load (မော်တာအကွေ့အကောက်များကဲ့သို့) ထိန်းချုပ်မှုဆားကစ်သည် တံတားပတ်လမ်းရှိ MOSFET အား off state သို့ပြောင်းပေးသည်၊ ထိုအချိန်တွင် တံတားပတ်လမ်းရှိ အခြားခလုတ်တစ်ခုသည် MOSFET ရှိ body diode မှတဆင့် လက်ရှိကို ယာယီပြောင်းပြန်သွားသည်။ ထို့ကြောင့် လျှပ်စီးကြောင်းသည် တစ်ဖန်ပြန်လည်လည်ပတ်ပြီး မော်တာအား ဆက်လက်အားဖြည့်ပေးသည်။ ပထမ MOSFET သည် ထပ်မံလုပ်ဆောင်သောအခါ၊ အခြား MOSFET diode တွင် သိမ်းဆည်းထားသော အားကို ဖယ်ရှားပြီး ပထမ MOSFET မှတဆင့် ထုတ်ပေးရပါမည်။ ၎င်းသည် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုဖြစ်သောကြောင့် trr တိုလေလေ ဆုံးရှုံးမှုနည်းလေဖြစ်သည်။

3, မော်တော်ကား applications များ

မော်တော်ယာဥ်အပလီကေးရှင်းများတွင်ပါဝါ MOSFETs များအသုံးပြုမှုသည် လွန်ခဲ့သည့်နှစ် 20 အတွင်း လျင်မြန်စွာတိုးတက်လာခဲ့သည်။ ပါဝါMOSFETဝန်ကျုံ့ခြင်းနှင့် စနစ်စွမ်းအင်ရုတ်တရက်ပြောင်းလဲမှုများကဲ့သို့သော မော်တော်ယာဥ်အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော ယာယီဗို့အားမြင့်ဖြစ်စဉ်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းအား ရွေးချယ်ထားသောကြောင့် ၎င်းသည် TO220 နှင့် TO247 ပက်ကေ့ခ်ျများကို အဓိကအားဖြင့် ရိုးရှင်းပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ပါဝါပြတင်းပေါက်များ၊ လောင်စာဆီထိုးခြင်း၊ ပြတ်တောက်သော wipers နှင့် cruise control ကဲ့သို့သော အသုံးချပရိုဂရမ်များသည် မော်တော်ယာဥ်အများစုတွင် တဖြည်းဖြည်း စံဖြစ်လာကြပြီး ဒီဇိုင်းတွင် အလားတူပါဝါကိရိယာများ လိုအပ်ပါသည်။ ဤကာလအတွင်း မော်တော်ယာဥ်ပါဝါ MOSFET များသည် မော်တာများ၊ ဆိုလီနွိုက်များနှင့် လောင်စာထိုးစက်များအဖြစ် ပြောင်းလဲ၍ လူကြိုက်များလာသည်။

မော်တော်ယာဥ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည့် MOSFET များသည် ဗို့အားများ၊ ရေစီးကြောင်းများနှင့် ခုခံမှုအပေါ် ကျယ်ပြန့်စွာ လွှမ်းမိုးထားသည်။ မော်တာထိန်းချုပ်ကိရိယာများသည် 30V နှင့် 40V ပြိုကွဲဗို့အားမော်ဒယ်များကိုအသုံးပြု၍ ပေါင်းကူးဖွဲ့စည်းမှုပုံစံများ၊ 60V စက်များကို ရုတ်တရတ်ဝန်ချခြင်းနှင့် အရှိန်စတင်ခြင်းအခြေအနေများကို ထိန်းချုပ်ရမည်ဖြစ်ပြီး ဝန်ကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက် 60V စက်များကိုအသုံးပြုကာ စက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းကို 42V ဘက်ထရီစနစ်သို့ပြောင်းသည့်အခါ 75V နည်းပညာလိုအပ်ပါသည်။ မြင့်မားသောအရန်ဗို့အားကိရိယာများသည် 100V မှ 150V မော်ဒယ်များကိုအသုံးပြုရန်လိုအပ်ပြီး 400V အထက် MOSFET ကိရိယာများကို အင်ဂျင်မောင်းယူနစ်များနှင့် မြင့်မားသောပြင်းထန်မှုအထုတ်လွှတ်ခြင်း (HID) ရှေ့မီးများအတွက် ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်းများတွင် အသုံးပြုပါသည်။

မော်တော်ယာဥ် MOSFET မောင်းနှင်သည့် ရေစီးကြောင်းများသည် 2A မှ 100A ကျော်အထိ ရှိပြီး 2mΩ မှ 100mΩ အထိ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ MOSFET ဝန်များတွင် မော်တာများ၊ အဆို့ရှင်များ၊ မီးချောင်းများ၊ အပူပေးအစိတ်အပိုင်းများ၊ capacitive piezoelectric စည်းဝေးမှုများနှင့် DC/DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ ပါဝင်သည်။ ကြိမ်နှုန်းပြောင်းခြင်းများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 10kHz မှ 100kHz အကြားရှိကြပြီး၊ မော်တာထိန်းချုပ်မှုသည် 20kHz အထက်ရှိသော ကြိမ်နှုန်းများကို ကူးပြောင်းရန်အတွက် မသင့်လျော်ကြောင်း သတိပေးထားသည်။ အခြားအဓိကလိုအပ်ချက်များမှာ UIS စွမ်းဆောင်ရည်၊ လမ်းဆုံအပူချိန်ကန့်သတ်ချက် (-40 ဒီဂရီမှ 175 ဒီဂရီအထိ၊ တစ်ခါတစ်ရံ 200 ဒီဂရီအထိ) နှင့် ကား၏သက်တမ်းထက် မြင့်မားသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ဖြစ်သည်။

4, LED မီးအိမ်နှင့်မီးအိမ်မောင်း

LED မီးလုံးများနှင့် မီးအိမ်များ၏ ဒီဇိုင်းတွင် MOSFET ကို အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး LED အဆက်မပြတ် လက်ရှိမောင်းနှင်ရန်အတွက် ယေဘုယျအားဖြင့် NMOS ကို အသုံးပြုသည်။ power MOSFET နှင့် bipolar transistor သည် များသောအားဖြင့် ကွဲပြားသည်။ ၎င်း၏ gate capacitance သည် အတော်လေးကြီးမားသည်။ လျှပ်ကူးမကူးမီ capacitor အား အားသွင်းရန် လိုအပ်သည်။ capacitor voltage သည် threshold voltage ထက်ကျော်လွန်သောအခါ MOSFET သည် စတင်လုပ်ဆောင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ equivalent gate capacitance (CEI) အား စနစ်လိုအပ်သည့်အချိန်အတွင်း ပြီးစီးကြောင်းသေချာစေရန် gate driver ၏ load capacity သည် လုံလောက်စွာကြီးမားရန်လိုအပ်ကြောင်း ဒီဇိုင်းရေးဆွဲစဉ်တွင် သတိပြုရန်အရေးကြီးပါသည်။

MOSFET ၏ switching speed သည် input capacitance ၏ အားသွင်းခြင်းနှင့် အားထုတ်ခြင်းအပေါ်တွင် များစွာမူတည်ပါသည်။ အသုံးပြုသူသည် Cin ၏တန်ဖိုးကိုမလျှော့ချနိုင်သော်လည်း gate drive loop signal source internal resistance Rs ၏တန်ဖိုးကိုလျှော့ချနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် gate loop အားသွင်းခြင်းနှင့် discharge time constants ကိုလျှော့ချခြင်း၊ switching speed ကိုအရှိန်မြှင့်ရန်၊ ယေဘူယျ IC drive စွမ်းရည်၊ ဤနေရာတွင် အဓိကအားဖြင့် ထင်ဟပ်နေသည်မှာ ကျွန်ုပ်တို့၏ ရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်ဟု ဆိုကြသည်။MOSFETပြင်ပ MOSFET မောင်းနှင်မှု စဉ်ဆက်မပြတ် လက်ရှိ IC များကို ရည်ညွှန်းသည်။ built-in MOSFET IC များကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် မလိုအပ်ပါ။ ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်၊ 1A ထက်ကျော်လွန်သော ပြင်ပ MOSFET ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားမည်ဖြစ်သည်။ ပိုကြီးပြီး လိုက်လျောညီထွေရှိသော LED ပါဝါစွမ်းရည်ကို ရရှိရန်အတွက်၊ ပြင်ပ MOSFET သည် သင့်လျော်သောစွမ်းရည်ဖြင့် မောင်းနှင်ရန် လိုအပ်သော IC ကိုရွေးချယ်ရန် တစ်ခုတည်းသောနည်းလမ်းဖြစ်ပြီး MOSFET input capacitance သည် အဓိကပါရာမီတာဖြစ်သည်။