Power MOSFET Structure ကို နားလည်ခြင်း။

Power MOSFET များသည် မြင့်မားသောဗို့အားများနှင့် ရေစီးကြောင်းများကို ကိုင်တွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် ခေတ်မီပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ထိရောက်သော ပါဝါကိုင်တွယ်လုပ်ဆောင်နိုင်မှုတို့ကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည့် ၎င်းတို့၏ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာအင်္ဂါရပ်များကို လေ့လာကြည့်ကြပါစို့။

အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံ ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

Source Metal Join ╔═══╩═══╗ Join n+ Join n+ Join Source ════╝ ╚════ p+ p Body │ │ n- Drift Region │ │ ════════════ ═════ n+ Substrate Join ╨ Drain Metal

ပုံမှန် ပါဝါ MOSFET ၏ အပိုင်းပိုင်း မြင်ကွင်း

ဒေါင်လိုက်ဖွဲ့စည်းပုံ

ပုံမှန် MOSFET များနှင့် မတူဘဲ၊ ပါဝါ MOSFET များသည် အပေါ် (ရင်းမြစ်) မှ အောက်ခြေ (ရေဆင်း) သို့ လျှပ်စီးကြောင်း စီးဆင်းနေသည့် ဒေါင်လိုက်ဖွဲ့စည်းပုံကို အသုံးပြုကာ လက်ရှိ ကိုင်တွယ်နိုင်မှုစွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

Drift ဒေသ

မြင့်မားသောပိတ်ဆို့ခြင်းဗို့အားကို ပံ့ပိုးပေးပြီး လျှပ်စစ်စက်ကွင်းဖြန့်ဖြူးမှုကို စီမံခန့်ခွဲသည့် ပေါ့ပေါ့ပါးပါး doped n- ဧရိယာ ပါရှိသည်။

အဓိက ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ

အရင်းအမြစ် သတ္တု-လက်ရှိစုဆောင်းခြင်းနှင့် ဖြန့်ဖြူးခြင်းအတွက် ထိပ်တန်းသတ္တုအလွှာ
n+ အရင်းအမြစ် ဒေသများ-သယ်ဆောင်ဆေးထိုးခြင်းအတွက် ပြင်းထန်စွာဆေးဆိုးထားသော ဒေသများ
p-ကိုယ်ထည်ဒေသ-လက်ရှိစီးဆင်းမှုအတွက် ချန်နယ်ကို ဖန်တီးသည်။
n- Drift ဒေသ-ဗို့အားပိတ်ဆို့ခြင်းစွမ်းရည်ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
n+ အလွှာ-ခံနိုင်ရည်နည်းသော လမ်းကြောင်းကို ထုတ်ပေးသည်။
Drain metal-လက်ရှိစီးဆင်းမှုအတွက် အောက်ခြေသတ္တုအဆက်အသွယ်