MOSFETs ၏လုပ်ဆောင်ချက်နှင့်ဖွဲ့စည်းပုံကိုနားလည်ခြင်း

အကယ်၍ ထရန်စစ္စတာအား 20 ရာစု၏ အကြီးမားဆုံး တီထွင်မှုဟု ခေါ်ဆိုနိုင်ပါက၊MOSFET အကြွေးအများကြီးပေးတယ်။ 1925၊ 1959 ခုနှစ်တွင်ထုတ်ဝေသော MOSFET မူပိုင်ခွင့်များ၏အခြေခံမူများပေါ်တွင် Bell Labs သည် structural design ကိုအခြေခံ၍ MOSFET နိယာမကိုတီထွင်ခဲ့သည်။ ယနေ့အထိ၊ ကြီးမားသော ပါဝါပြောင်းစက်များ၊ သေးငယ်သော မန်မိုရီ၊ CPU နှင့် အခြားသော အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာ core အစိတ်အပိုင်းများကို ၎င်းတို့ထဲမှ တစ်ခုမှ MOSFET တွင် အသုံးမပြုကြပါ။ ဒါကြောင့် MOSFET ရဲ့ တည်ဆောက်ပုံ လုပ်ဆောင်ချက်ကို ကျွန်တော်တို့ နားလည်ပါတယ်။ MOSFET ၏ နာမည်အပြည့်အစုံမှာ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ဖြစ်သည်။

1. MOSFET များ၏ အခြေခံလုပ်ဆောင်ချက်များ

MOSFET ၏အခြေခံသော့ချက်စကားလုံးမှာ - တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာဖြစ်ပြီး၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာသည် သတ္တုပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်ပြီး ၎င်းသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်ဆောင်နိုင်သော်လည်း အမှန်တကယ်တွင် ၎င်းကိုလျှပ်ကာလည်းပြုလုပ်နိုင်သည်။ MOSFET သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာတစ်မျိုးအနေဖြင့်၊ ရိုးရှင်းသောလုပ်ဆောင်ချက်ကိုနားလည်ရန် ၎င်းကိုလိုအပ်သည်။ အဓိကအားဖြင့် circuit ၏လည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန်နှင့် blocking ၏ circuit ကိုနားလည်နိုင်စေရန်ဖြစ်သည်။

2. MOSFET များ၏ အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံ

MOSFET သည် ၎င်း၏ နိမ့်သော gate drive ပါဝါ၊ ကောင်းမွန်သော switching speed နှင့် ပြင်းထန်သော parallel operation တို့ကြောင့် အလွန်စွယ်စုံရသော ပါဝါကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပါဝါ MOSFET အများအပြားတွင် အရင်းအမြစ်နှင့် wafer ၏ ဆန့်ကျင်ဘက်လေယာဉ်များတွင် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းများပါရှိသော longitudinal vertical structure ပါရှိပြီး ကြီးမားသောရေစီးကြောင်းများကို စီးဆင်းရန်နှင့် ဗို့အားမြင့်မားမှုကို အသုံးချနိုင်သည်။

3. MOSFET များကို နယ်ပယ်နှစ်ခုတွင် အဓိကအားဖြင့် ပင်မဓာတ်အားကိရိယာများအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။

(1) 10kHz နှင့် 70kHz အကြား operating ကြိမ်နှုန်း၏လိုအပ်ချက်များ, အထွက်ပါဝါ 5kw ထက်လျော့နည်းဖြစ်နေစဉ်, ဤလယ်ပြင်၌အမှုအခင်းအများစုအတွက် IGBT နှင့်ပါဝါပေမယ့်၊MOSFETs သက်ဆိုင်ရာ လုပ်ဆောင်ချက်ကို အောင်မြင်နိုင်သော်လည်း ပါဝါ MOSFET များသည် အနိမ့်ဆုံး switching losses၊ သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာစေရန်၊ ကိုယ်စားလှယ်အပလီကေးရှင်းများသည် LCD TV ဘုတ်များ၊ induction cookers စသည်တို့အပေါ်တွင် မှီခိုနေတတ်သည်။

(၂) လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်း၏ လိုအပ်ချက်များသည် အခြားသော ပါဝါကိရိယာများမှ ရရှိနိုင်သော အမြင့်ဆုံးကြိမ်နှုန်းထက် မြင့်မားသည်၊ လက်ရှိ အမြင့်ဆုံးကြိမ်နှုန်းမှာ အဓိကအားဖြင့် 70kHz သို့မဟုတ် ဤဧရိယာတွင် ပါဝါ၊MOSFET တစ်ခုတည်းသောရွေးချယ်မှုဖြစ်လာသည်၊ ကိုယ်စားလှယ်အပလီကေးရှင်းများသည်အင်ဗာတာများ၊ အော်ဒီယိုပစ္စည်းကိရိယာများစသည်တို့ဖြစ်သည်။