MOSFET ၏ ပင်ချောင်းသုံးချောင်းကို မည်သို့ခွဲ၍ ပြောပြနိုင်မည်နည်း။

I. Pin Identification

ဂိတ် (G):၎င်းကို အများအားဖြင့် "G" ဟု တံဆိပ်တပ်ထားသည် သို့မဟုတ် အခြား pin နှစ်ခု၏ ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာခြင်းဖြင့် ဖော်ထုတ်နိုင်သည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဂိတ်သည် ပါဝါမရှိသောအခြေအနေတွင် အလွန်မြင့်မားသော impedance ရှိပြီး အခြား pin နှစ်ခုနှင့် သိသိသာသာ ချိတ်ဆက်ခြင်းမရှိသောကြောင့် ဖြစ်သည်။

အရင်းအမြစ် (S):အများအားဖြင့် "S" သို့မဟုတ် "S2" ဟု တံဆိပ်တပ်ထားသော ၎င်းသည် လက်ရှိ ဝင်ရောက်မှု ပင်နံပါတ်ဖြစ်ပြီး များသောအားဖြင့် MOSFET ၏ အနုတ်လက္ခဏာ terminal နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။

ရေဆင်း (D):အများအားဖြင့် "D" ဟု တံဆိပ်တပ်ထားသော ၎င်းသည် လက်ရှိစီးဆင်းနေသော ပင်နံပါတ်ဖြစ်ပြီး ပြင်ပဆားကစ်၏ positive terminal နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။

II Pin Function

ဂိတ် (G):၎င်းသည် MOSFET ၏အဖွင့်အပိတ်ကိုထိန်းချုပ်ရန် ဂိတ်ပေါက်ရှိဗို့အားကိုထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် MOSFET ၏ကူးပြောင်းမှုကိုထိန်းချုပ်သောသော့ပင်ပင်ဖြစ်ပါသည်။ ပါဝါမရှိသောအခြေအနေတွင်၊ ဂိတ်ပေါက်၏ impedance သည် ယေဘုယျအားဖြင့် အလွန်မြင့်မားပြီး အခြား pins နှစ်ခုနှင့် သိသိသာသာချိတ်ဆက်မှုမရှိပါ။

အရင်းအမြစ် (S):လက်ရှိဝင်ရောက်မှု ပင်နံပါတ်ဖြစ်ပြီး များသောအားဖြင့် MOSFET ၏ အနုတ် terminal နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ NMOS တွင်၊ အရင်းအမြစ်သည် အများအားဖြင့် အခြေတည်သည် (GND); PMOS တွင်၊ အရင်းအမြစ်သည် အပြုသဘောဆောင်သော ထောက်ပံ့ရေး (VCC) နှင့် ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။

ရေဆင်း (D):၎င်းသည် လက်ရှိ out pin ဖြစ်ပြီး ပြင်ပ circuit ၏ positive terminal နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ NMOS တွင်၊ မြောင်းသည် positive supply (VCC) သို့မဟုတ် load နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ PMOS တွင်၊ မြောင်းသည် မြေပြင် (GND) သို့မဟုတ် load နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။

III တိုင်းတာနည်းများ

Multimeter ကိုသုံးပါ

multimeter ကို သင့်လျော်သော ခုခံမှု ဆက်တင် (ဥပမာ R x 1k) သို့ သတ်မှတ်ပါ။

လျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုခုနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည့် multimeter ၏ negative terminal ကို အသုံးပြုပြီး ၎င်း၏ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာရန် ကျန်ဝင်ရိုးနှစ်ခုကို ဆက်သွယ်ရန် အခြားဘောပင်ကို အသုံးပြုပါ။

တိုင်းတာထားသော ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးနှစ်ခုသည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် တူညီပါက၊ ဂိတ်ပေါက်နှင့် ခုခံမှုကြားရှိ အခြား pin နှစ်ခုသည် များသောအားဖြင့် အလွန်ကြီးမားသောကြောင့်၊ ဂိတ်အတွက် အနှုတ်ဘောအဆက်အသွယ် (G) ဖြစ်သည်။

ထို့နောက် multimeter ကို R × 1 ဂီယာသို့ ခေါ်ဆိုမည်ဖြစ်ပြီး၊ အရင်းအမြစ် (S) နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည့် အနက်ရောင်ဘောပင်၊ မြောင်း (D) သို့ ချိတ်ဆက်ထားသော အနီရောင်ဘောပင်)၊ တိုင်းတာသည့် ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးသည် အနည်းငယ် ohms မှ ဒါဇင်များစွာသော ohms ဖြစ်သင့်ကြောင်း ညွှန်ပြသည်၊ သီးခြားအခြေအနေများကြားရှိ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းများသည် conduction ဖြစ်နိုင်သည်။

pin အစီအစဉ်ကို စောင့်ကြည့်ပါ-

ကောင်းစွာသတ်မှတ်ထားသော ပင်အစီအစဥ်ရှိသော MOSFET များအတွက် (အချို့သော ပက်ကေ့ခ်ျဖောင်များကဲ့သို့)၊ pin တစ်ခုစီ၏ တည်နေရာနှင့် လုပ်ဆောင်ချက်များကို pin စီစဉ်မှု ပုံကြမ်း သို့မဟုတ် ဒေတာစာရွက်ကိုကြည့်ရှုခြင်းဖြင့် ဆုံးဖြတ်နိုင်ပါသည်။

IV ကြိုတင်သတိပေးချက်များ

MOSFET ၏ မတူညီသော မော်ဒယ်များတွင် မတူညီသော ပင်အစီအစဥ်များနှင့် အမှတ်အသားများ ရှိနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် အသုံးမပြုမီ သတ်မှတ်ထားသော မော်ဒယ်အတွက် ဒေတာစာရွက် သို့မဟုတ် ပက်ကေ့ဂျ်ပုံဆွဲခြင်းကို တိုင်ပင်ရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

ပင်များကိုတိုင်းတာခြင်းနှင့်ချိတ်ဆက်သည့်အခါ MOSFET ကိုမထိခိုက်စေရန်တည်ငြိမ်လျှပ်စစ်ကာကွယ်ရေးကိုအာရုံစိုက်ပါ။

MOSFET များသည် လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများဖြင့် ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော စက်ပစ္စည်းများဖြစ်ကြသော်လည်း လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် MOSFET သည် ကောင်းမွန်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချစွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ကြောင်း သေချာစေရန် drive circuit ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းကို ဂရုပြုရန် လိုအပ်ပါသည်။

အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET ၏ ပင်နံပါတ်သုံးချောင်းကို pin identification၊ pin function နှင့် တိုင်းတာခြင်းနည်းလမ်းများကဲ့သို့သော နည်းလမ်းအမျိုးမျိုးဖြင့် တိကျစွာ ခွဲခြားနိုင်ပါသည်။