MOSFET ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ကန့်သတ်ချက်များကြား ဆက်စပ်မှု၊ သင့်လျော်သောထုပ်ပိုးမှုဖြင့် FET ကို ရွေးချယ်နည်း

①ပလပ်အင်ထုပ်ပိုးမှု- TO-3P၊ TO-247၊ TO-220၊ TO-220F၊ TO-251၊ TO-92;

②Surface Mount အမျိုးအစား- TO-263၊ TO-252၊ SOP-8၊ SOT-23၊ DFN5*6၊ DFN3*3၊

ကွဲပြားခြားနားသောထုပ်ပိုးမှုပုံစံများ, သက်ဆိုင်ရာကန့်သတ်လက်ရှိ, ဗို့အားနှင့်အပူ dissipation အကျိုးသက်ရောက်မှုMOSFETကွဲပြားလိမ့်မည်။ နိဒါန်းအကျဉ်းမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

1. TO-3P/247

TO247 သည် အသုံးများသော သေးငယ်သော ကောက်ကြောင်း ပက်ကေ့ဂျ်များနှင့် မျက်နှာပြင် တပ်ဆင်မှု ပက်ကေ့ခ်ျများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ 247 သည် package standard ၏ အမှတ်စဉ်နံပါတ်ဖြစ်သည်။

TO-247 ပက်ကေ့ဂျ်နှင့် TO-3P ပက်ကေ့ချ်နှစ်ခုစလုံးတွင် 3-ပင်အထွက်ရှိသည်။ အတွင်းပိုင်းရှိ ချစ်ပ်များသည် အတိအကျတူညီနိုင်သောကြောင့် လုပ်ဆောင်ချက်များနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်များသည် အခြေခံအားဖြင့် တူညီပါသည်။ အများစုမှာ အပူပျံ့ခြင်းနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို အနည်းငယ် ထိခိုက်စေပါသည်။

TO247 သည် ယေဘုယျအားဖြင့် လျှပ်ကာမဟုတ်သော ပက်ကေ့ခ်ျတစ်ခုဖြစ်သည်။ TO-247 ပြွန်များကို ယေဘုယျအားဖြင့် စွမ်းအားမြင့် POWER တွင် အသုံးပြုကြသည်။ switching tube အဖြစ် အသုံးပြုပါက ၎င်း၏ခံနိုင်ရည်အား ဗို့အားနှင့် လျှပ်စီးကြောင်း ပိုမိုကြီးမားလာမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အလယ်အလတ်မြင့်ဗို့အား နှင့် လက်ရှိ MOSFET များ အတွက် အသုံးများသော ထုပ်ပိုးမှုပုံစံဖြစ်သည်။ ထုတ်ကုန်သည် မြင့်မားသောဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ခိုင်ခံ့သောပြိုကွဲမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသောဝိသေသလက္ခဏာများရှိပြီး ဗို့အားအလတ်စားနှင့် ကြီးမားသောလက်ရှိ (လက်ရှိ 10A အထက်၊ 120A အထက်ဗို့အားခုခံမှုတန်ဖိုး 100V အောက်) နှင့် ဗို့အားခုခံမှုတန်ဖိုး 200V အထက်ရှိသောနေရာများတွင် အသုံးပြုရန်သင့်လျော်သည်။

2. TO-220/220F

ဤအထုပ်စတိုင်နှစ်ခု၏အသွင်အပြင်MOSFETsဆင်တူပြီး အပြန်အလှန်သုံးနိုင်သည်။ သို့သော် TO-220 တွင် နောက်ကျောတွင် အပူစုပ်ခွက်ပါရှိပြီး ၎င်း၏အပူစုပ်ထုတ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုသည် TO-220F ထက် ပိုကောင်းပြီး စျေးနှုန်းမှာ အတော်လေးစျေးကြီးပါသည်။ ဤပက်ကေ့ခ်ျထုတ်ကုန်နှစ်ခုသည် 120A အောက်နှင့် 120A အောက်တွင် ဗို့အားမြင့်နှင့် 20A အောက်ရှိ အလယ်အလတ်ဗို့အားနှင့် မြင့်မားသော အက်ပ်ပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်သည်။

3. TO-251

ဤထုပ်ပိုးမှုထုတ်ကုန်ကို ကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချရန်နှင့် ထုတ်ကုန်အရွယ်အစားလျှော့ချရန်အတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းအား 60A အောက်နှင့် 7N အောက်ဗို့အား မြင့်မားသော အလယ်အလတ်ဗို့အားနှင့် 60A အောက်တွင် မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။

4. TO-92

ဤပက်ကေ့ဂျ်ကို ဗို့အားနိမ့် MOSFET (လက်ရှိ 10A အောက်၊ 60V အောက်ဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိ) နှင့် ဗို့အားမြင့် 1N60/65 တို့အတွက်သာ အသုံးပြုပါသည်။ အဓိကအားဖြင့် ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချရန်။

5. TO-263

၎င်းသည် TO-220 အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ထုတ်လုပ်မှု ထိရောက်မှုနှင့် အပူငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု တိုးတက်စေရန် အဓိကအားဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် အလွန်မြင့်မားသော လက်ရှိနှင့် ဗို့အားကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ ၎င်းသည် 150A အောက်နှင့် 30V အထက် အလယ်အလတ်ဗို့အားမြင့် MOSFET များတွင် ပို၍အဖြစ်များသည်။

6. TO-252

၎င်းသည် လက်ရှိ mainstream packages များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ပြီး high voltage 7N နှင့် အလယ်အလတ်ဗို့အား 70A အောက်တွင်ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

7. SOP-8

ဤပက်ကေ့ဂျ်သည် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရန်အတွက်လည်း ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး 50A အောက်နှင့် ဗို့အားနိမ့် MOSFET အလယ်အလတ်ဗို့အား MOSFET များတွင် ယေဘုယျအားဖြင့် ပို၍အဖြစ်များပါသည်။MOSFETs60V ဝန်းကျင်

8. SOT-23

၎င်းသည် 60V နှင့် အောက်ရှိသော ဂဏန်းတစ်လုံးလျှပ်စီးနှင့် ဗို့အားပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်သည်။ ၎င်းကို ထုထည်ကြီး နှင့် သေးငယ်သော ထုထည်ဟူ၍ နှစ်မျိုး ခွဲခြားထားသည်။ အဓိကကွာခြားချက်မှာ မတူညီသော လက်ရှိတန်ဖိုးများဖြစ်သည်။

အထက်ပါအချက်သည် အရိုးရှင်းဆုံး MOSFET ထုပ်ပိုးမှုနည်းလမ်းဖြစ်သည်။