N-channel MOSFET နှင့် P-channel MOSFET အကြား ကွာခြားချက်။ MOSFET ထုတ်လုပ်သူများကို ပိုကောင်းအောင် ကူညီပေးပါ။

တိုက်နယ်ဒီဇိုင်နာများသည် MOSFET များကိုရွေးချယ်ရာတွင် မေးခွန်းတစ်ခုစဉ်းစားသင့်သည်- P-channel MOSFET သို့မဟုတ် N-channel MOSFET ကိုရွေးချယ်သင့်ပါသလား။ ထုတ်လုပ်သူတစ်ဦးအနေဖြင့် သင်သည် သင့်ထုတ်ကုန်များကို စျေးနှုန်းချိုသာစွာဖြင့် အခြားကုန်သည်များနှင့် ယှဉ်ပြိုင်စေလိုပြီး ထပ်ခါတလဲလဲ နှိုင်းယှဉ်မှုများ ပြုလုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဒါဆို ဘယ်လိုရွေးမလဲ။ အတွေ့အကြုံ နှစ် 20 ရှိ MOSFET ထုတ်လုပ်သူ OLUKEY သည် သင့်အား မျှဝေလိုပါသည်။

ကွာခြားချက် 1- conduction လက္ခဏာများ

N-channel MOS ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများမှာ အချို့သောတန်ဖိုးထက် Vgs ကြီးသောအခါတွင် ၎င်းသည် ဖွင့်ပေးမည်ဖြစ်သည်။ ဂိတ်ဗို့အား 4V သို့မဟုတ် 10V သို့ရောက်ရှိနေသရွေ့ အရင်းအမြစ်ကို မြေစိုက်ထားသောအခါ (အနိမ့်ဆုံး drive) ကို အသုံးပြုရန် သင့်လျော်သည်။ P-channel MOS ၏ဝိသေသလက္ခဏာများအနေနှင့်၊ Vgs သည် အချို့သောတန်ဖိုးထက်နည်းသောအခါတွင် ၎င်းသည် အရင်းအမြစ်ကို VCC (high-end drive) နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည့်အခါ အခြေအနေများအတွက် သင့်လျော်သည့်အရာဖြစ်သည်။

ကွာခြားချက် 2-MOSFETကူးပြောင်းခြင်းဆုံးရှုံးမှု

၎င်းသည် N-channel MOS သို့မဟုတ် P-channel MOS ပဲဖြစ်ဖြစ်၊ ၎င်းကိုဖွင့်ပြီးနောက် on-resistance ရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် လက်ရှိသည် ဤခုခံမှုတွင် စွမ်းအင်ကို စားသုံးမည်ဖြစ်သည်။ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုအပိုင်းကို conduction loss ဟုခေါ်သည်။ သေးငယ်သော ခံနိုင်ရည်ရှိသော MOSFET ကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေမည်ဖြစ်ပြီး လက်ရှိ ပါဝါနိမ့် MOSFET များ၏ ခံနိုင်ရည်မှာ ယေဘူယျအားဖြင့် ဆယ်ချီသော milliohms ဝန်းကျင်ဖြစ်ပြီး milliohms အများအပြားလည်း ရှိပါသည်။ ထို့အပြင်၊ MOS ကိုဖွင့်/ပိတ်သည့်အခါ၊ ၎င်းကိုချက်ချင်းပြီးမြောက်မည်မဟုတ်ပါ။ လျော့နည်းသွားသည့် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခု ရှိပြီး စီးဆင်းနေသော စီးဆင်းမှုမှာလည်း တိုးလာနေသော ဖြစ်စဉ်တစ်ခု ရှိသည်။

ဤကာလအတွင်း MOSFET ၏ဆုံးရှုံးမှုသည် switching loss ဟုခေါ်သော ဗို့အားနှင့်လျှပ်စီးကြောင်း၏ ထုတ်ကုန်ဖြစ်သည်။ အများအားဖြင့် switching losses သည် conduction losses ထက် များစွာပိုကြီးပြီး switching frequency များလေလေ ဆုံးရှုံးမှုပိုများလေဖြစ်သည်။ လျှပ်စီးကြောင်းတွင် ဗို့အားနှင့် လျှပ်စီးကြောင်း၏ ထုတ်ကုန်သည် အလွန်ကြီးမားပြီး ဖြစ်ပေါ်လာသော ဆုံးရှုံးမှုသည်လည်း အလွန်ကြီးမားသောကြောင့် ကူးပြောင်းချိန်ကို တိုစေခြင်းဖြင့် လျှပ်ကူးမှုတစ်ခုစီတွင် ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေသည်။ switching frequency ကိုလျှော့ချခြင်းသည် ယူနစ်အချိန်တစ်ခုအတွက် switches အရေအတွက်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။

ကွာခြားချက် ၃- MOSFET အသုံးပြုမှု

P-channel MOSFET ၏ အပေါက်ရွေ့လျားနိုင်မှုသည် နည်းပါးသောကြောင့် MOSFET ၏ ဂျီဩမေတြီအရွယ်အစားနှင့် လည်ပတ်ဗို့အား၏ ပကတိတန်ဖိုးသည် ညီမျှသောအခါ၊ P-channel MOSFET ၏ transconductance သည် N-channel MOSFET ထက် သေးငယ်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ P-channel MOSFET ၏ တံခါးခုံဗို့အား၏ ပကတိတန်ဖိုးသည် မြင့်မားသော လည်ပတ်ဗို့အား လိုအပ်ပါသည်။ P-channel MOS တွင် ကြီးမားသော logic swing၊ ကြာရှည်စွာ အားသွင်းခြင်းနှင့် အားသွင်းခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် နှင့် သေးငယ်သော device transconductance ပါရှိသောကြောင့် ၎င်း၏ လည်ပတ်နှုန်းသည် နိမ့်ပါသည်။ N-channel MOSFET ပေါ်ပေါက်လာပြီးနောက်၊ ၎င်းတို့အများစုကို N-channel MOSFET ဖြင့် အစားထိုးခဲ့သည်။ သို့သော်၊ P-channel MOSFET တွင် ရိုးရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်ရှိပြီး စျေးပေါသောကြောင့်၊ အချို့သော အလတ်စားနှင့် အသေးစား ဒစ်ဂျစ်တယ် ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်းများသည် PMOS ဆားကစ်နည်းပညာကို အသုံးပြုဆဲဖြစ်သည်။

အိုကေ၊ ထုပ်ပိုးမှုဆိုင်ရာ MOSFET ထုတ်လုပ်သူ OLUKEY မှ ယနေ့မျှဝေမှု အားလုံးအတွက် ဒီလောက်ပါပဲ။ ပိုမိုသိရှိလိုပါက, တွင်ကျွန်ုပ်တို့ကိုရှာဖွေနိုင်ပါတယ်။OLUKEYတရားဝင်ဝက်ဘ်ဆိုက်။ OLUKEY သည် MOSFET ကို အနှစ် 20 အာရုံစိုက်ခဲ့ပြီး တရုတ်နိုင်ငံ၊ Guangdong ပြည်နယ်၊ Shenzhen တွင် ရုံးချုပ်ရှိသည်။ မြင့်မားသောလက်ရှိနယ်ပယ်အကျိုးသက်ရောက်မှုထရန်စစ္စတာများ၊ ပါဝါမြင့်မားသော MOSFETများ၊ ကြီးမားသောအထုပ် MOSFETs၊ အသေးစားဗို့အား MOSFETs၊ အသေးစားအထုပ်ငယ် MOSFETများ၊ အသေးစားလက်ရှိ MOSFETများ၊ MOS နယ်ပယ်အကျိုးသက်ရောက်မှုပြွန်များ၊ ထုပ်ပိုးထားသော MOSFETများ၊ ပါဝါ MOS၊ MOSFET ပက်ကေ့ဂျ်များ၊ မူရင်း MOSFETများ၊ ထုပ်ပိုးထားသော MOSFET စသည်တို့တွင် အဓိကအားဖြင့် ပါဝင်ပါသည်။ အဓိက အေးဂျင့် ထုတ်ကုန်မှာ WINSOK ဖြစ်သည်။