အသေးစားလက်ရှိ MOSFET Holding Circuit Fabrication Application

resistors R1-R6၊ electrolytic capacitors C1-C3၊ capacitor C4၊ PNP triode VD1၊ diodes D1-D2၊ intermediate relay K1၊ ဗို့အားနှိုင်းယှဥ်စနစ်၊ Dual time base ပေါင်းစည်းထားသော ချစ်ပ် NE556 နှင့် MOSFET Q1 တို့ပါ၀င်သော ခုခံအား R1-R6၊ ပင်နံပါတ် 6 နှင့်အတူ dual time base integrated chip NE556 အဖြစ် ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ အချက်ပြထည့်သွင်းခြင်းနှင့် ခုခံအား R1 ၏အဆုံးတစ်ဖက်ကို Pin 6 သို့ တစ်ချိန်တည်းတွင်ချိတ်ဆက်ထားသည့် dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ကို အချက်ပြထည့်သွင်းမှုအဖြစ်အသုံးပြုသည်၊ resistor R1 ၏အဆုံးတစ်ခုသည် အချိန်နှစ်ခု၏ pin 14 သို့ချိတ်ဆက်ထားသည်။ အခြေခံပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556၊ resistor R2 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ resistor R4 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ PNP transistor VD1 ၏ထုတ်လွှတ်မှု၊ MOSFET ၏ယိုပေါက် Q1 နှင့် DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် အခြား resistor R1 သည် dual-time base integrated chip NE556 ၏ pin 1 နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး dual-time base integrated chip NE556 ၏ pin 2၊ capacitor C1 ၏ အပြုသဘောဆောင်သော electrolytic capacitance၊ နှင့်အလယ်အလတ် relay ။ K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော K1-1 ၊ intermediate relay ၏ အခြားတစ်ဖက် ၊ K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော K1-1 ၊ electrolytic capacitor C1 နှင့် capacitor C3 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို power supply ground နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ capacitor C3 ၏ အခြားစွန်း dual time base integrated chip NE556 ၏ pin 3 သို့ ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ dual time base integrated chip NE556 ၏ pin 4 ကို ချိတ်ဆက်ထားသည်။ electrolytic capacitor C2 ၏ positive pole နှင့် resistor R2 ၏ အခြားအဆုံးစွန်းသို့ တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ electrolytic capacitor C2 ၏ အနှုတ်ဝင်ရိုးကို power supply ground နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး electrolytic capacitor C2 ၏ negative pole ကို power supply နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ မြေ။ C2 ၏ အနှုတ်တိုင်ကို ပါဝါထောက်ပံ့ရေးမြေသို့ ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 5 သည် resistor R3 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ အခြားတစ်ဖက်ကို resistor R3 သည် ဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာ၏ အပြုသဘောဆောင်သည့် အဆင့်ထည့်သွင်းမှုနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဗို့အားနှိုင်းယှဥ်နှိုင်းယှဉ်မှု၏အနုတ်လက္ခဏာအဆင့်အဝင်ကို တစ်ချိန်တည်းတွင် diode D1 ၏အပြုသဘောဆောင်သောဝင်ရိုးစွန်းနှင့် resistor R4 ၏အခြားတစ်ဖက်စွန်းသို့ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ တစ်ချိန်တည်းတွင် diode D1 ၏အနုတ်လက္ခဏာဝင်ရိုးကိုချိတ်ဆက်ထားသည်။ power supply ground နှင့် voltage comparator ၏ output ကို resistor R5 ၏ အဆုံးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ အခြားတစ်ဖက်ကို resistor R5 သည် PNP triplex နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာ၏အထွက်အား resistor R5 ၏တစ်ဖက်စွန်းသို့ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ resistor R5 ၏အခြားအဆုံးကို PNP transistor VD1 ၏အခြေခံနှင့်ချိတ်ဆက်သည်၊ PNP transistor VD1 ၏စုဆောင်းသူသည် diode ၏ positive pole နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ D2၊ diode D2 ၏အနှုတ်တိုင်ကို resistor R6 ၏အဆုံး၊ capacitor C4 ၏အဆုံးနှင့် MOSFET ၏တံခါးတို့ကိုတူညီစွာချိတ်ဆက်ထားသည်။ အချိန်၊ resistor R6 ၏အခြားအဆုံး၊ capacitor C4 ၏အခြားအဆုံး၊ နှင့် intermediate relay K1 ၏အခြားအဆုံးသည် power supply land နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး intermediate relay ၏အခြားအဆုံးတစ်ဖက်သည် K1 ၏အရင်းအမြစ်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ၏အရင်းအမြစ်MOSFET.

MOSFET retention circuit၊ A သည် low trigger signal ကိုထောက်ပံ့ပေးသောအခါ၊ ဤအချိန်တွင် dual time base integrated chip NE556 set၊ dual time base integrated chip NE556 pin 5 output high level၊ high level၊ high level သည် voltage comparator ၏ positive phase input သို့ အနှုတ်၊ ရည်ညွှန်းဗို့အားကိုပေးဆောင်ရန် resistor R4 နှင့် diode D1 မှ voltage comparator ၏ phase input သည် ယခုအချိန်တွင် voltage comparator output မြင့်မားသောအဆင့်၊ Triode VD1 ကိုလုပ်ဆောင်ရန်အဆင့်၊ triode VD1 စုဆောင်းသူထံမှစီးဆင်းနေသောလက်ရှိ capacitor C4 ကို diode D2 မှတဆင့်အားသွင်းပြီးတစ်ချိန်တည်းမှာပင် MOSFET Q1 သည်ဤအချိန်တွင်၊ intermediate relay K1 ၏ကွိုင်ကိုစုပ်ယူပြီး၊ အလယ်အလတ် relay K1 ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော အဆက်အသွယ် K 1-1 သည် အဆက်ပြတ်သွားပြီး၊ အလယ်အလတ် relay K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော အဆက်အသွယ် K 1-1 ဖြစ်သည်၊ ချိတ်ဆက်မှုပြတ်တောက်သွားသောအခါ၊ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ 1 နှင့် 2 ပေသို့ DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုသည် ပင်နံပါတ် 1 နှင့် pin 2 ပေါ်ရှိ ဗို့အားအား 2/2 သို့ အားသွင်းသည့်အချိန်အထိ ထောက်ပံ့ရေးဗို့အားကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား၏ 3၊ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ကို အလိုအလျောက် ပြန်လည်သတ်မှတ်ပြီး dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ်၏ pin 5 NE556 သည် အနိမ့်ဆုံးအဆင့်သို့ အလိုအလျောက်ပြန်လည်ရောက်ရှိပြီး နောက်ဆက်တွဲဆားကစ်များ အလုပ်မလုပ်တော့ဘဲ၊ ယခုအချိန်တွင် capacitor C4 သည် MOSFET Q1 conduction ကိုဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားရန် capacitance C4 discharge နှင့် intermediate relay K1 coil release ပြီးဆုံးသည်အထိ အလယ်အလတ်၊ relay K1 ပုံမှန်အပိတ် အဆက်အသွယ် K 11 အပိတ်၊ ယခုအချိန်တွင် အပိတ်အလယ်အလတ် relay K1 မှတဆင့် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော အဆက်အသွယ် K၊ 1-1 သည် dual time base ပေါင်းစည်းထားသော ချစ်ပ် NE556 1 ပေနှင့် 2 ပေ ဗို့အားထုတ်လွှတ်မှုကို ပိတ်မည်ဖြစ်ပြီး၊ နောက်တစ်ကြိမ် dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 pin 6 သည် အချိန်ပိုင်းအခြေခံပေါင်းစပ်ထားသော ချစ်ပ်ကို NE556 သတ်မှတ်ရန်အတွက် နိမ့်သောအစပျိုးအချက်ပြမှုကို ပံ့ပိုးပေးရန်၊ ပြင်ဆင်ရန်။

Dual Time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 pin 1 နှင့် pin 2 အား ထောက်ပံ့မှုဗို့အား၏ 2/3 သို့ အားသွင်းသောအခါ၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 သည် အလိုအလျောက် ပြန်လည်သတ်မှတ်နိုင်ပြီး၊ Dual Time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ်၏ ဆားကစ်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ရိုးရှင်းပြီး ဆန်းသစ်ပါသည်။ NE556 pin 5 သည် နိမ့်သောအဆင့်သို့ အလိုအလျောက်ပြန်သွားသည်၊ ထို့ကြောင့် နောက်ဆက်တွဲဆားကစ်များ အလုပ်မလုပ်စေရန်၊ အားသွင်း capacitor C4 အလိုအလျောက်ရပ်တန့်ရန်နှင့် ရပ်တန့်ပြီးနောက်၊ MOSFET Q1 conductive မှထိန်းသိမ်းထားသော capacitor C4 အားအားသွင်းခြင်း၊ ဤအပလီကေးရှင်းသည်စဉ်ဆက်မပြတ်ထိန်းသိမ်းနိုင်သည်။MOSFETQ1 သည် 3 စက္ကန့်ကြာလျှပ်ကူးသည်။

၎င်းတွင် resistors R1-R6၊ electrolytic capacitors C1-C3၊ capacitor C4၊ PNP transistor VD1၊ diodes D1-D2၊ intermediate relay K1၊ voltage comparator၊ dual time base integrated chip NE556 နှင့် MOSFET Q1၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ထားသော pin 6 chip NE556 ကို signal input အဖြစ်အသုံးပြုပြီး resistor R1 ၏ အဆုံးတစ်ခုဖြစ်သည်။ dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556၊ resistor R2၊ dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 14 နှင့် dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 14 နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး resistor R2 သည် dual time base ပေါင်းစပ်ထားသော chip NE556 ၏ pin 14 သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ အချိန်အခြေခံပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556။ dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 14၊ resistor R2 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ resistor R4 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ PNP transistor

ဘယ်လိုအလုပ်မူကြမ်းလဲ။

A သည် low trigger signal ကိုထောက်ပံ့ပေးသောအခါ၊ Dual-time base integrated chip NE556 set၊ dual-time base integrated chip NE556 pin 5 output high level၊ high-level သို့ high-level voltage comparator ၏ positive phase input ၊ ၏ negative phase input ၊ ရည်ညွှန်းဗို့အားကိုပေးဆောင်ရန် resistor R4 နှင့် diode D1 မှ voltage comparator၊ ယခုတစ်ကြိမ်၊ voltage comparator output မြင့်မားသောအဆင့်၊ transistor VD1 ၏ မြင့်မားသောအဆင့်၊ conduction၊ လက်ရှိစီးဆင်းနေသော transistor VD1 မှ diode D2 မှတဆင့် capacitor C4 အားသွင်းဆီသို့၊ ယခုအချိန်တွင် intermediate relay K1 coil suction၊ intermediate relay K1 coil suction တို့ဖြစ်သည်။ transistor VD1 ၏စုဆောင်းမှစီးဆင်းနေသောလက်ရှိကို capacitor C4 မှ diode D2 သို့အားသွင်းပြီးတစ်ချိန်တည်းတွင်၊MOSFETQ1 conducts၊ ဤအချိန်တွင်၊ intermediate relay K1 ၏ coil သည် suctioned ဖြစ်ပြီး intermediate relay K1 normally-closed contact K 1-1 is disconnected, and the intermediate relay K1 normally-closed contact K 1-1 သည် ပါဝါပြတ်တောက်သွားသည်၊ DC ပါဝါရင်းမြစ်မှ ပံ့ပိုးပေးသော ဗို့အားအား dual timebase ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ 1 နှင့် 2 ပေသို့ ဗို့အားအား ချိန်ချိန်အထိ သိမ်းဆည်းထားသည်။ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 1 နှင့် pin 2 တွင် ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား၏ 2/3 သို့ အားသွင်းထားပြီး၊ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ကို အလိုအလျောက် ပြန်လည်သတ်မှတ်မည်ဖြစ်ပြီး၊ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 5 နိမ့်သောအဆင့်သို့ အလိုအလျောက် ပြန်လည်ရောက်ရှိပြီး နောက်ဆက်တွဲ ဆားကစ်များ အလုပ်မလုပ်တော့ဘဲ၊ ဤအချိန်တွင်၊ capacitor C4 သည် ၎င်းအား ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် အားကုန်သွားပါသည်။ MOSFET Q1 သည် capacitor C4 ၏ discharge ပြီးဆုံးသည်အထိ conduction နှင့် intermediate relay K1 ၏ coil ထွက်လာပြီး intermediate relay K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော contact K 1-1 သည် အဆက်ပြတ်သွားပါသည်။ Relay K1 သည် ပုံမှန်အပိတ် အဆက်အသွယ် K 1-1 အပိတ်၊ ယခုအကြိမ်တွင် အပိတ်အလယ်အလတ် relay K1 မှတဆင့် ပုံမှန်အပိတ် အဆက်အသွယ် K 1-1 သည် dual-time base integrated chip NE556 1 ပေနှင့် 2 ပေတွင် ဗို့အားကို နောက်တစ်ကြိမ် လွှတ်ရန်၊ dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ်အတွက် ပြင်ဆင်မှုများ ပြုလုပ်ရန်အတွက် အစပျိုးအချက်ပြမှုကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် Dual-time Base ပေါင်းစပ်ထားသော ချစ်ပ် NE556 pin 6 NE556 အစုံ။