Insulated Layer Gate MOSFET များကို အသိအမှတ်ပြုခြင်း။

လျှပ်ကာအလွှာတံခါးအမျိုးအစား MOSFET aliasMOSFET (နောက်မှ MOSFET ဟု ရည်ညွှန်းသည်)၊ ဂိတ်ဗို့အားနှင့် ရင်းမြစ်ရေစီးကြောင်း၏ အလယ်တွင် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် ကေဘယ်အစွပ်ပါရှိသည်။

MOSFET လည်းဖြစ်ပါတယ်။N-ချန်နယ် နှင့် P-channel အမျိုးအစားနှစ်ခု၊ သို့သော် အမျိုးအစားတစ်ခုစီကို မြှင့်တင်မှုနှင့် အလင်းလျော့နည်းမှု အမျိုးအစား ၂ ဟူ၍ ခွဲခြားထားသောကြောင့် စုစုပေါင်းအမျိုးအစား လေးမျိုးရှိသည်-N-ချန်နယ်အဆင့်မြှင့်တင်မှု၊ P-channel မြှင့်တင်မှု၊ N-channel အလင်းရောင် လျော့နည်းမှု၊ P-channel အလင်းရောင် လျော့နည်းမှု အမျိုးအစား။ ဒါပေမယ့် gate source voltage က သုညဖြစ်ပြီး၊ ပိုက်ရဲ့ drain current ဟာလည်း သုညဖြစ်ပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်တဲ့ tube ဖြစ်ပါတယ်။ သို့သော်၊ ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား သုညတွင်၊ လျှပ်စီးကြောင်းသည် သုညမဟုတ်သဖြင့် အလင်းစားသုံးနိုင်သော ပြွန်များအဖြစ် အမျိုးအစားခွဲခြားထားသည်။
မြှင့်တင်ထားသော MOSFET နိယာမ-

ဂိတ်ရင်းမြစ်၏အလယ်တွင်အလုပ်လုပ်သောအခါဗို့အားကိုအသုံးမပြုပါက၊ မြောင်းအရင်းအမြစ် PN လမ်းဆုံ၏အလယ်သည်ဆန့်ကျင်ဘက်ဦးတည်ချက်ဖြစ်သည်၊ ထို့ကြောင့်မြောင်းအရင်းအမြစ်၏အလယ်တွင်ဗို့အားတစ်ခုရှိလျှင်ပင်လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းမရှိနိုင်ပါ။ conductive trench တွင် လျှပ်စစ်မီးအား ပိတ်ထားသောကြောင့် အလုပ်လုပ်သည့် လျှပ်စီးကြောင်း မဖြစ်နိုင်ပါ။ gate source ၏ အလယ်နှင့် positive direction voltage သည် အချို့သော တန်ဖိုးတစ်ခုသို့ ရောက်သောအခါ၊ drain source ၏ အလယ်တွင် conductive safety channel တစ်ခု ထွက်လာသည်၊ ထို့ကြောင့် ဤ gate source voltage မှထွက်လာသော conductive trench ကို open voltage VGS ဟုခေါ်သည်၊ ဂိတ်ရင်းမြစ်၏ အလယ်ဗို့အား ပိုကြီးသည်၊ conductive trench သည် ပိုကျယ်သည်၊ ၎င်းသည် လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို ပိုကြီးစေသည်။

Light Dissipative MOSFET ၏မူရင်း-

လည်ပတ်မှုတွင်၊ မြှင့်တင်မှုအမျိုးအစား MOSFET နှင့်မတူဘဲ ဂိတ်ရင်းမြစ်၏အလယ်တွင် ဗို့အားကိုအသုံးမပြုဘဲ ယိုစီးမှုအရင်းအမြစ်၏အလယ်တွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းတစ်ခုရှိနေသောကြောင့် မြောင်းအရင်း၏အလယ်တွင်သာ အပြုသဘောဗို့အားကို ထည့်သွင်းထားသည်။ Drain current စီးဆင်းမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ ဗို့အား၏အပြုသဘောဆောင်သောဦးတည်ချက်၏အလယ်တွင်ရှိသောဂိတ်အရင်းအမြစ်၊ လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းချဲ့ထွင်မှု၊ ဗို့အား၏ဆန့်ကျင်ဘက်ဦးတည်ချက်ထည့်သည်၊ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုလမ်းကြောင်းသည်ကျုံ့သွားသည်၊ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုမှတဆင့်သေးငယ်လိမ့်မည်၊ MOSFET ၏တိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းအတွင်းရှိ အချို့သော ဒေသအရေအတွက်၏ အပြုသဘောနှင့် အနုတ်ကိန်းများတွင်လည်း ဖြစ်နိုင်သည်။

MOSFET ထိရောက်မှု-

ပထမဦးစွာ MOSFET ကို ချဲ့ရန်အသုံးပြုသည်။ MOSFET amplifier ၏ input resistance သည် အလွန်မြင့်မားသောကြောင့် electrolytic capacitor များထည့်စရာမလိုဘဲ filter capacitor သည် သေးငယ်သွားနိုင်သည်။

ဒုတိယ၊ MOSFET အလွန်မြင့်မားသော input resistance သည် characteristic impedance ပြောင်းလဲခြင်းအတွက် အထူးသင့်လျော်သည်။ လက္ခဏာ impedance အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းအတွက် အဆင့်များစွာသော အသံချဲ့စက်ထည့်သွင်းခြင်းအဆင့်တွင် အသုံးများသည်။

MOSFET ကို ချိန်ညှိနိုင်သော ခုခံမှုအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။

စတုတ္ထ၊ MOSFET သည် DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုအဖြစ်အဆင်ပြေနိုင်သည်။

V. MOSFET ကို switching element အဖြစ်သုံးနိုင်သည်။