MOSFETs ၏ ကန့်သတ်ချက်များ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့် တိုင်းတာခြင်း

ပင်မဘောင် အမျိုးအစားများစွာရှိသည်။MOSFETDC လက်ရှိ၊ AC လက်ရှိ ဘောင်များနှင့် ကန့်သတ်ဘောင်များ ပါ၀င်သော်လည်း ယေဘူယျ အပလီကေးရှင်းသည် အောက်ပါ အခြေခံ ဘောင်ဘောင်များကိုသာ ဂရုစိုက်ရန် လိုအပ်သည်- ယိုစိမ့်မှု အရင်းအမြစ် လက်ရှိ IDSS pinch-off voltage Up၊ transconductance gm၊ leakage source breakdown voltage BUDS၊ ပိုကြီးသောဆုံးရှုံးမှုအထွက်ပါဝါ PDSM နှင့်ပိုမိုကြီးမားသောယိုစိမ့်အရင်းအမြစ်လက်ရှိ IDSM ။

1.Saturated leakage source လျှပ်စီးကြောင်း

saturated drain-source current IDSS ဆိုသည်မှာ ဂိတ်ဗို့အား UGS = 0 တွင်ရှိသော drain-source current ကို junction သို့မဟုတ် depletion type in insulated-layer gate MOSFETs။

2. Clip-off ဗို့အား

pinch-off voltage UP ဆိုသည်မှာ လမ်းဆုံတစ်ခုရှိ gate voltage operating voltage သို့မဟုတ် depletion type insulated layer gate ၊MOSFETအဲဒါက Drain-source ကို ဖြတ်တောက်လိုက်ရုံပါပဲ။ IDSS နှင့် UP သည် အမှန်တကယ် ဘာကိုဆိုလိုသည်ကို တွေးကြည့်ပါ။

3၊ ဗို့အားကိုဖွင့်ပါ။

turn-on ဗို့အား UT ဆိုသည်မှာ အားဖြည့်ထားသော insulated-gate MOSFET ရှိ gate voltage လည်ပတ်ဗို့အားဖြစ်ပြီး၊ သို့မှသာ drain-source အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုကို ဖွင့်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ UT အမှန်တကယ်ဆိုလိုသည်များကို တွေးကြည့်ပါ။

4. Cross-guidance

transguide gm ကို gate source voltage ကိုထိန်းချုပ်ရန် gate source voltage ၏စွမ်းရည်ကိုညွှန်ပြရန်အသုံးပြုသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ drain current ၏ပြောင်းလဲမှုနှင့် gate source voltage ပြောင်းလဲမှုကြားအချိုးကိုအသုံးပြုသည်။

5၊ အများဆုံးထွက်ရှိစွမ်းအားဆုံးရှုံးမှုr

Maximum loss output power သည်လည်း limit parameter တွင်ပါ၀င်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ၎င်းသည် စွမ်းဆောင်နိုင်သောအခါတွင် ခွင့်ပြုနိုင်သည့် အမြင့်ဆုံး drain-source loss power ကို ဆိုလိုသည်။MOSFETပုံမှန်ဖြစ်ပြီး ထိခိုက်မှုမရှိပါ။ ကျွန်ုပ်တို့ MOSFET ကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ ၎င်း၏လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းဆုံးရှုံးမှုသည် PDSM နှင့် အချို့သောတန်ဖိုးထက်နိမ့်သင့်သည်။

6၊ အများဆုံး ယိုစိမ့်သော အရင်းအမြစ် လျှပ်စီးကြောင်း

အမြင့်ဆုံး မြောင်း-ရင်းမြစ် လျှပ်စီးကြောင်း IDSM သည် ကန့်သတ်ဘောင်တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ပုံမှန်လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ရေမြောင်းနှင့် MOSFET အရင်းအမြစ်ကြားတွင် ဖြတ်သန်းခွင့်ပြုသည့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းကို ဆိုလိုပြီး MOSFET လည်ပတ်နေချိန်ထက် မကျော်လွန်ရပါ။

olukey သည် တက်ကြွသောစျေးကွက်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် ထိရောက်သောအရင်းအမြစ်ပေါင်းစည်းမှုမှတစ်ဆင့် အာရှတွင် အကောင်းဆုံးနှင့် အလျင်မြန်ဆုံးကြီးထွားလာသောအေးဂျင့်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်လာပြီး၊ ကမ္ဘာ့တန်ဖိုးအကြီးဆုံးအေးဂျင့်ဖြစ်လာခြင်းသည် olukey ၏ဘုံရည်မှန်းချက်ဖြစ်သည်။