Parallel Theory of MOSFETs နှင့် Transistors

မျဉ်းပြိုင်ထရန်စစ္စတာများနှင့် MOSFET တို့၏ အခြေခံသီအိုရီများအကြောင်း- ပထမဦးစွာ၊ ထရန်စစ္စတာများသည် အနုတ်ကိန်းဂဏန်းအပူချိန်တန်ဖိုး ရှိသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ ထရန်စစ္စတာ၏အပူချိန်တက်လာသောအခါတွင်၊ ခုခံနိုင်စွမ်းသည် သေးငယ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ဒုတိယအနေဖြင့်၊ MOSFET များသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်၌ အပြုသဘောဆောင်သော ကိန်းဂဏန်းအပူချိန်တန်ဖိုး ရှိသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ အပူချိန်တက်လာသောအခါတွင်၊ ခုခံနိုင်စွမ်းသည် တဖြည်းဖြည်း တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။

ထရန်စစ္စတာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOSFET များသည် parallel power circuit များတွင် current ကို ညီမျှစေရန်အတွက် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် power supply circuit မှ current သည် အတော်လေးကြီးမားသောအခါ၊ parallel MOSFETs များကို shunt အတွက် အသုံးပြုရန် ယေဘုယျအားဖြင့် အကြံပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် လက်ရှိအားညီမျှစေရန် MOSFETs ကိုရွေးချယ်သောအခါတွင်၊ မော်စဖိုတက်လျှပ်စီးကြောင်းသည် အခြားနည်းတစ်နည်းအားဖြင့် MOSFET ထက်ကျော်လွန်သွားသောအခါတွင်၊ ကြီးမားသော MOSFET များ၏အပူကြောင့်ဖြစ်သော MOSFET ၏လျှပ်စီးကြောင်းသည် အဖွင့်-အပိတ်ခံနိုင်ရည်ပိုကြီးလာမည်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိ ကျဆင်းမှုကို လျှော့ချခြင်း၊ MOSFETs သည် လက်ရှိကွာခြားချက်ကို အဆက်မပြတ်ချိန်ညှိရန်နှင့် နောက်ဆုံးတွင် ၎င်းတို့နှစ်ခုကြားရှိ လက်ရှိချိန်ခွင်လျှာကို နားလည်သဘောပေါက်ပါ။MOSFETs.