• Facebook
  • linkedin
  • တွစ်တာ
  • youtube
  • အင်စတာဂရမ်
Email:business@olukey.com
English
Olukey- အမြန်အားသွင်းခြင်း၏ အခြေခံတည်ဆောက်ပုံတွင် MOSFET ၏ အခန်းကဏ္ဍအကြောင်း ဆွေးနွေးကြပါစို့

Olukey- အမြန်အားသွင်းခြင်း၏ အခြေခံတည်ဆောက်ပုံတွင် MOSFET ၏ အခန်းကဏ္ဍအကြောင်း ဆွေးနွေးကြပါစို့

စာတိုက်အချိန်- ဒီဇင်ဘာ-၁၄-၂၀၂၃

အခြေခံ power supply တည်ဆောက်ပုံအမြန်အားသွင်းခြင်း။QC သည် flyback + secondary side (secondary) synchronous rectification SSR ကို အသုံးပြုသည်။ flyback converters များအတွက်၊ တုံ့ပြန်မှုနမူနာနည်းလမ်းအရ၊ ၎င်းအား ပဏာမအခြမ်း (မူလတန်း) စည်းမျဉ်းနှင့် အလယ်တန်းဘက် (သာမည) စည်းမျဉ်းဟူ၍ ပိုင်းခြားနိုင်သည်။ PWM controller ၏တည်နေရာအရ။ ၎င်းကို ပဏာမအခြမ်း (primary) ထိန်းချုပ်မှုနှင့် အလယ်တန်းဘက် (သာမည) ထိန်းချုပ်မှုဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ MOSFET နှင့် ဘာမှမဆိုင်ဟု ထင်ရသည်။ ဒီတော့၊Olukeyမေးရမှာက MOSFET ဘယ်မှာဝှက်ထားလဲ။ ဘယ်အခန်းကဏ္ဍက ပါဝင်ခဲ့သလဲ။

1. Primary side (primary) adjustment နှင့် secondary side (secondary) adjustment

အထွက်ဗို့အား၏တည်ငြိမ်မှုသည် အဝင်ဗို့အားနှင့် အထွက်ဝန်ပြောင်းလဲမှုများကို ချိန်ညှိရန်အတွက် ၎င်း၏ပြောင်းလဲနေသောအချက်အလက်များကို PWM ပင်မထိန်းချုပ်ကိရိယာသို့ ပေးပို့ရန် တုံ့ပြန်ချက်လင့်ခ်တစ်ခု လိုအပ်သည်။ မတူညီသော တုံ့ပြန်မှုနမူနာကောက်ယူခြင်းနည်းလမ်းများအရ၊ ၎င်းအား ပုံ 1 နှင့် 2 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း မူလအခြမ်း (primary) ချိန်ညှိမှုနှင့် အလယ်တန်းဘက် (secondary) ချိန်ညှိမှုဟူ၍ ပိုင်းခြားနိုင်ပါသည်။

Secondary side (secondary) diode rectification
SSR synchronous rectification MOSFET ကို အောက်ခြေတွင် ထားရှိပါ။

ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) စည်းမျဉ်း၏ တုံ့ပြန်ချက်အချက်ပြမှုကို အထွက်ဗို့အားမှ တိုက်ရိုက်မယူသော်လည်း အထွက်ဗို့အားနှင့် အချို့သော အချိုးကျဆက်စပ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသည့် အရန်အကွေ့အကောက်များ သို့မဟုတ် ပင်မအကွေ့အကောက်များမှ ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ထူးခြားချက်များမှာ-

① သွယ်ဝိုက်သော တုံ့ပြန်ချက်နည်းလမ်း၊ ဝန်ထုပ်ဝန်ပိုးနှုန်း ညံ့ဖျင်းပြီး တိကျမှု အားနည်းခြင်း၊

② ရိုးရှင်းပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော၊

③ သီးခြား optocoupler မလိုအပ်ပါ။

အလယ်တန်းဘက် (သာမည) စည်းမျဉ်းအတွက် တုံ့ပြန်ချက်အချက်ပြမှုကို optocoupler နှင့် TL431 ကိုအသုံးပြု၍ အထွက်ဗို့အားမှ တိုက်ရိုက်ယူပါသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားချက်များမှာ-

① တိုက်ရိုက်တုံ့ပြန်ချက်နည်းလမ်း၊ ကောင်းမွန်သောဝန်စည်းမျဥ်းနှုန်း၊ linear စည်းမျဉ်းနှုန်းနှင့် မြင့်မားသောတိကျမှု၊

② ချိန်ညှိမှုပတ်လမ်းသည် ရှုပ်ထွေးပြီး ငွေကုန်ကြေးကျများသည်။

③ အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ အိုမင်းခြင်းဆိုင်ရာ ပြဿနာများရှိသော optocoupler ကို ခွဲထုတ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

2. Secondary side (secondary) diode rectification andMOSFETsynchronous rectification SSR

flyback converter ၏ ဒုတိယအခြမ်း (secondary) သည် အမြန်အားသွင်းစနစ်၏ ကြီးမားသော output current ကြောင့် diode rectification ကို အသုံးပြုသည်။ အထူးသဖြင့် တိုက်ရိုက်အားသွင်းခြင်း သို့မဟုတ် flash အားသွင်းခြင်းအတွက်၊ output current သည် 5A အထိ မြင့်မားသည်။ စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်စေရန်အတွက်၊ ပုံ 3 နှင့် 4 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း Secondary (secondary) synchronous rectification SSR ဟုခေါ်သော diode အစား rectifier အဖြစ် MOSFET ကိုအသုံးပြုပါသည်။

Secondary side (secondary) diode rectification
Secondary side (အလယ်တန်း) MOSFET synchronous rectification

Secondary side (secondary) diode rectification ၏လက္ခဏာများ

① ရိုးရှင်းသည်၊ နောက်ထပ် drive controller မလိုအပ်ပါ၊ ကုန်ကျစရိတ်လည်းနည်းပါသည်။

② output Current ကြီးလာသောအခါ၊ ထိရောက်မှုနည်းသည်။

③ မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှု။

အလယ်တန်းဘက် (အလယ်တန်း) MOSFET ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း၏ အင်္ဂါရပ်များ-

① ရှုပ်ထွေးသော၊ အပို drive controller လိုအပ်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားသည်။

② output current ကြီးသောအခါ၊ ထိရောက်မှုမြင့်မားသည်။

③ diodes များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ၎င်းတို့၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနည်းပါးသည်။

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင်၊ ပုံ 5 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း မောင်းနှင်ရလွယ်ကူစေရန် synchronous rectification SSR ၏ MOSFET ကို အမြင့်စွန်းမှ အနိမ့်ဆုံးသို့ ရွှေ့လေ့ရှိသည်။

SSR synchronous rectification MOSFET ကို အောက်ခြေတွင် ထားရှိပါ။

synchronous rectification SSR ၏ high-end MOSFET ၏ဝိသေသလက္ခဏာများ-

① ၎င်းသည် ငွေကုန်ကြေးကျများသော bootstrap drive သို့မဟုတ် floating drive လိုအပ်သည်။

② EMI ကောင်းပါတယ်။

အနိမ့်ဆုံးတွင် ထားရှိထားသော synchronous rectification SSR MOSFET ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ

① တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်မှု၊ ရိုးရှင်းသော မောင်းနှင်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာခြင်း။

② EMI ညံ့တယ်။

3. Primary side (primary) control နှင့် secondary side (secondary) control

PWM ပင်မထိန်းချုပ်ကိရိယာကို မူလအခြမ်း (primary) တွင် ထားရှိထားသည်။ ဤဖွဲ့စည်းပုံကိုမူလတန်းဘက် (primary) ထိန်းချုပ်မှုဟုခေါ်သည်။ အထွက်ဗို့အား၊ ဝန်စည်မျဉ်းနှုန်းနှင့် မျဉ်းကြောင်းဆိုင်ရာ စည်းမျဉ်းများ၏ တိကျမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက်၊ ပင်မဘက်ခြမ်း (မူလတန်း) ထိန်းချုပ်မှုတွင် တုံ့ပြန်ချက်လင့်ခ်တစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းရန် ပြင်ပ optocoupler နှင့် TL431 လိုအပ်သည်။ စနစ် bandwidth သေးငယ်ပြီး တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်း နှေးကွေးသည်။

PWM ပင်မထိန်းချုပ်ကိရိယာကို ဒုတိယအခြမ်း (သာမညဘက်) တွင် ထားရှိပါက၊ optocoupler နှင့် TL431 ကို ဖယ်ရှားနိုင်ပြီး အထွက်ဗို့အားကို မြန်ဆန်သောတုံ့ပြန်မှုဖြင့် တိုက်ရိုက်ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး ချိန်ညှိနိုင်သည်။ ဤဖွဲ့စည်းပုံအား အလယ်တန်း (secondary) ထိန်းချုပ်မှုဟုခေါ်သည်။

Primary side (မူလတန်း) ထိန်းချုပ်မှု
accsb (7)

ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ထိန်းချုပ်မှု၏ အင်္ဂါရပ်များ-

① Optocoupler နှင့် TL431 လိုအပ်ပြီး တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်းသည် နှေးကွေးပါသည်။

② အထွက်ကာကွယ်မှု အရှိန်နှေးသည်။

③ synchronous rectification စဉ်ဆက်မပြတ်မုဒ် CCM တွင်၊ အလယ်တန်းဘက် (secondary) သည် ထပ်တူပြုမှုအချက်ပြမှုတစ်ခု လိုအပ်သည်။

အလယ်တန်း (အလယ်တန်း) ထိန်းချုပ်မှု၏အင်္ဂါရပ်များ-

① အထွက်ကို တိုက်ရိုက်တွေ့ရှိသည်၊ optocoupler နှင့် TL431 မလိုအပ်ပါ၊ တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်းသည် မြန်သည်၊ အထွက်ကာကွယ်မှုအမြန်နှုန်းသည် မြန်ဆန်ပါသည်။

② အလယ်တန်းဘက် (သာမည) synchronous rectification MOSFET သည် synchronization signals များမလိုအပ်ဘဲ တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်ပါသည်။ Pulse transformer၊ magnetic couplings သို့မဟုတ် capacitive couplers ကဲ့သို့သော အပိုပစ္စည်းများသည် ပင်မဘက်ခြမ်း (primary) high-voltage MOSFET ၏ မောင်းနှင်မှုအချက်ပြမှုများကို ထုတ်လွှင့်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

③ ပင်မအခြမ်း (primary) တွင် စတင်ပတ်လမ်းတစ်ခု လိုအပ်သည်၊ သို့မဟုတ် အလယ်တန်းဘက် (secondary) တွင် စတင်ရန်အတွက် အရန်ပါဝါထောက်ပံ့မှုတစ်ခုရှိသည်။

4. ဆက်တိုက် CCM မုဒ် သို့မဟုတ် အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်

flyback converter သည် စဉ်ဆက်မပြတ် CCM မုဒ် သို့မဟုတ် အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်တွင် လည်ပတ်နိုင်သည်။ ဆင့်ပွား (secondary) အကွေ့အကောက်များအတွင်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်းသည် ကူးပြောင်းစက်ဝန်းတစ်ခု၏အဆုံးတွင် 0 သို့ရောက်ရှိပါက ၎င်းအား discontinuous DCM မုဒ်ဟုခေါ်သည်။ ဆင့်ပွား (secondary) ကွေ့ကောက်ခြင်း၏ လျှပ်စီးကြောင်းသည် ကူးပြောင်းစက်ဝန်းတစ်ခု၏အဆုံးတွင် 0 မဟုတ်ပါက၊ ၎င်းအား ပုံ 8 နှင့် 9 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း စဉ်ဆက်မပြတ် CCM မုဒ်ဟုခေါ်သည်။

အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်
ဆက်တိုက် CCM မုဒ်

synchronous rectification SSR ၏ လုပ်ဆောင်မှု အခြေအနေများသည် flyback converter ၏ မတူညီသော လုပ်ဆောင်မှုပုံစံများတွင် မတူညီကြောင်းကို ပုံ 8 နှင့် Figure 9 တို့မှ တွေ့မြင်နိုင်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ synchronous rectification SSR ၏ ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းများမှာလည်း ကွဲပြားမည်ဖြစ်သည်။

သေဆုံးချိန်ကို လျစ်လျူရှုပါက၊ စဉ်ဆက်မပြတ် CCM မုဒ်တွင် အလုပ်လုပ်သောအခါ၊ synchronous rectification SSR တွင် ပြည်နယ်နှစ်ခုရှိသည်။

① ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ဗို့အားမြင့် MOSFET ကိုဖွင့်ထားပြီး ဒုတိယအခြမ်း (အလယ်တန်း) ထပ်တူကျသော ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ပိတ်ထားသည်။

② ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ဗို့အားမြင့် MOSFET ကို ပိတ်ထားပြီး ဒုတိယအခြမ်း (ဆင့်ပွား) ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ဖွင့်ထားသည်။

အလားတူ၊ သေဆုံးချိန်ကို လျစ်လျူရှုပါက၊ တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း SSR တွင် အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်တွင် လုပ်ဆောင်နေချိန်တွင် ပြည်နယ်သုံးခုရှိသည်။

① ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ဗို့အားမြင့် MOSFET ကိုဖွင့်ထားပြီး ဒုတိယအခြမ်း (အလယ်တန်း) ထပ်တူကျသော ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ပိတ်ထားသည်။

② ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ဗို့အားမြင့် MOSFET ကို ပိတ်ထားပြီး ဒုတိယအခြမ်း (သာမည) ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ဖွင့်ထားသည်။

③ ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ဗို့အားမြင့် MOSFET ကို ပိတ်ထားပြီး ဒုတိယအခြမ်း (သာမည) ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ပိတ်ထားသည်။

5. Secondary side (secondary) synchronous rectification SSR ကို စဉ်ဆက်မပြတ် CCM မုဒ်တွင်

အမြန်အားသွင်းနိုင်သော flyback converter သည် စဉ်ဆက်မပြတ် CCM မုဒ်တွင် လုပ်ဆောင်ပါက၊ မူလဘေး (primary) ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်း၊ ဒုတိယအခြမ်း (သာမည) ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း MOSFET သည် ပိတ်ခြင်းကို ထိန်းချုပ်ရန် မူလဘေး (primary) မှ ထပ်တူပြုမှုအချက်ပြမှု လိုအပ်ပါသည်။

အလယ်တန်းဘက် (သာမည) ၏ synchronous drive signal ကိုရရှိရန် အောက်ပါနည်းလမ်းနှစ်ခုကို အများအားဖြင့်အသုံးပြုသည်-

(1) ပုံ 10 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း Secondary (secondary) winding ကို တိုက်ရိုက်အသုံးပြုပါ။

(2) ပုံ 12 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း synchronous drive signal ကို မူလအခြမ်း (primary) မှ ဒုတိယအခြမ်း (secondary) သို့ ပို့ရန် pulse transformer ကဲ့သို့သော သီးသန့် သီးခြားအစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုပါ။

synchronous drive signal ကိုရရှိရန် အလယ်တန်း (secondary) winding ကို အသုံးပြု၍ synchronous drive signal ၏ တိကျမှုသည် ထိန်းချုပ်ရန် အလွန်ခက်ခဲပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ရရှိရန် ခက်ခဲသည်။ အချို့သောကုမ္ပဏီများသည် ပုံ 11 Show တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ထိန်းချုပ်တိကျမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ဒစ်ဂျစ်တယ်ထိန်းချုပ်ကိရိယာများကိုပင် အသုံးပြုကြသည်။

synchronous မောင်းနှင်မှု အချက်ပြမှုများကို ရရှိရန် pulse transformer ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော်လည်း ကုန်ကျစရိတ်မှာ အတော်လေးမြင့်မားပါသည်။

အလယ်တန်းအခြမ်း (သာမည) ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းသည် အများအားဖြင့် ပုံ 7.v တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ဆင့်ပွားအခြမ်း (သာမည) မှ ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) သို့ တူညီသောဒရိုက်လှိုင်းအချက်ပြမှုကို ထုတ်လွှင့်ရန် pulse transformer သို့မဟုတ် magnetic coupling method ကို အသုံးပြုသည်။

synchronous drive signal ကိုရရှိရန် အလယ်တန်း (secondary) winding ကို တိုက်ရိုက်အသုံးပြုပါ။
synchronous drive အချက်ပြ + ဒစ်ဂျစ်တယ်ထိန်းချုပ်မှုရရှိရန် အလယ်တန်း (သာမည) အကွေ့အကောက်များကို တိုက်ရိုက်အသုံးပြုပါ။

6. အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်တွင် ဆင့်ပွားဘက် (သာမည) ထပ်တူကျသော ပြုပြင်ခြင်း SSR

အလျှင်အမြန်အားသွင်းနိုင်သော flyback converter သည် အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်တွင် အလုပ်လုပ်နေပါသည်။ ပင်မအခြမ်း (မူလတန်း) ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်း သို့မဟုတ် အလယ်တန်းအခြမ်း (သာမည) ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်း မည်သို့ပင်ရှိစေကာမူ၊ synchronous rectification MOSFET ၏ D နှင့် S ဗို့အားကျဆင်းမှုများကို တိုက်ရိုက်တွေ့ရှိပြီး ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

(၁) ထပ်တူကျသော ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကိုဖွင့်ခြင်း။

synchronous rectification MOSFET ၏ VDS ၏ဗို့အားသည် အပြုသဘောမှအနုတ်သို့ပြောင်းသောအခါ၊ အတွင်းပိုင်းကပ်ပါးဒိုင်အိုဒသည်ပွင့်လာပြီး အချို့သောနှောင့်နှေးပြီးနောက်၊ ပုံ 13 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း synchronous rectification MOSFET ပွင့်သွားပါသည်။

(၂) ထပ်တူကျသော ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ပိတ်ခြင်း။

တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကိုဖွင့်ပြီးနောက်၊ VDS=-Io*Rdson။ Secondary (secondary) winding current သည် 0 သို့ ကျဆင်းသွားသောအခါ ဆိုလိုသည်မှာ၊ လက်ရှိ ထောက်လှမ်းခြင်း အချက်ပြ VDS ၏ ဗို့အားသည် အနှုတ်မှ 0 သို့ ပြောင်းလဲသွားသောအခါ၊ ပုံ 13 တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း synchronous rectification MOSFET သည် ပိတ်သွားပါသည်။

အဆက်မပြတ် DCM မုဒ်တွင် တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ဖွင့်ခြင်းနှင့် ပိတ်ခြင်း။

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင်၊ synchronous rectification MOSFET သည် secondary (secondary) winding current 0 (VDS=0) မရောက်မီ ပိတ်သွားပါသည်။ မတူညီသော ချစ်ပ်များဖြင့် သတ်မှတ်ထားသော လက်ရှိ ထောက်လှမ်းနိုင်သော ဗို့အားတန်ဖိုးများမှာ -20mV၊ -50mV၊ -100mV၊ -200mV စသည်ဖြင့် ကွဲပြားပါသည်။

စနစ်၏ လက်ရှိသိရှိနိုင်သော ရည်ညွှန်းဗို့အားကို ပုံသေသတ်မှတ်ထားသည်။ လက်ရှိ ထောက်လှမ်းမှု ရည်ညွှန်းဗို့အား၏ ပကတိတန်ဖိုး ကြီးလေ၊ စွက်ဖက်မှု အမှားအယွင်း နည်းပါးလေ နှင့် တိကျမှု ပိုကောင်းလေ ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ output load current Io လျော့နည်းသွားသောအခါ၊ synchronous rectification MOSFET သည် ပိုကြီးသော output current တွင် ပိတ်သွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်း၏အတွင်းပိုင်း parasitic diode သည် အချိန်ပိုကြာသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် ပုံ 14 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ထိရောက်မှုလျော့နည်းသွားပါသည်။

လက်ရှိအာရုံခံရည်ညွှန်းဗို့အားနှင့် ထပ်တူပြု၍ ပြုပြင်ခြင်း MOSFET အဖွင့်အချိန်

ထို့အပြင် လက်ရှိထောက်လှမ်းမှု ရည်ညွှန်းဗို့အား၏ ပကတိတန်ဖိုးသည် အလွန်သေးငယ်နေပါက၊ စနစ်အမှားအယွင်းများနှင့် နှောင့်ယှက်မှုများသည် ဆင့်ပွား (secondary) winding current 0 ထက်ကျော်လွန်ပြီးနောက် synchronous rectification MOSFET ကို ပိတ်သွားစေပြီး ထိရောက်မှုနှင့် စနစ်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။

တိကျမှုမြင့်မားသော လက်ရှိထောက်လှမ်းမှု အချက်ပြမှုများသည် စနစ်၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သော်လည်း စက်ပစ္စည်း၏ ကုန်ကျစရိတ် တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။ လက်ရှိ ထောက်လှမ်းခြင်း အချက်ပြမှု တိကျမှုသည် အောက်ပါအချက်များနှင့် သက်ဆိုင်သည်-
① လက်ရှိရှာဖွေတွေ့ရှိမှု ရည်ညွှန်းဗို့အား၏ တိကျမှုနှင့် အပူချိန်ပျံ့လွင့်မှု၊
② ဘက်လိုက်ဗို့အားနှင့် အော့ဖ်ဆက်ဗို့အား၊ ဘက်လိုက်လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် အော့ဖ်ဆက်လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် လက်ရှိ အသံချဲ့စက်၏ အပူချိန်ပျံ့လွင့်မှု၊
③ synchronous rectification MOSFET ၏ on-voltage Rdson ၏ တိကျမှုနှင့် အပူချိန် ပျံ့လွင့်မှု။

ထို့အပြင်၊ စနစ်ရှုထောင့်မှ၊ ၎င်းကို ဒစ်ဂျစ်တယ်ထိန်းချုပ်မှု၊ လက်ရှိထောက်လှမ်းမှု ရည်ညွှန်းဗို့အားကို ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် synchronous rectification MOSFET မောင်းနှင်မှုဗို့အား ပြောင်းလဲခြင်းတို့ဖြင့် မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။

output load current Io လျော့နည်းသွားသောအခါ၊ power MOSFET ၏မောင်းနှင်မှုဗို့အား လျော့နည်းသွားပါက သက်ဆိုင်ရာ MOSFET turn-on voltage Rdson တိုးလာပါသည်။ ပုံ 15 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၊ synchronous rectification MOSFET ၏အစောပိုင်းပိတ်ခြင်းကိုရှောင်ရှားရန်၊ parasitic diode ၏ conduction အချိန်ကိုလျှော့ချရန်နှင့် system ၏ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေရန်ဖြစ်နိုင်သည်။

မောင်းနှင်မှုဗို့အား VGS လျှော့ချခြင်းနှင့် synchronous rectification MOSFET ကိုပိတ်ခြင်း။

ပုံ 14 တွင် output load current Io လျော့နည်းသွားသောအခါ၊ လက်ရှိ detection reference voltage လည်း လျော့နည်းသွားသည်ကို တွေ့မြင်နိုင်သည်။ ဤနည်းအားဖြင့်၊ output current Io သည် ကြီးမားသောအခါ၊ ထိန်းချုပ်မှု တိကျမှုကို တိုးတက်စေရန်အတွက် ပိုမိုမြင့်မားသော current detection reference voltage ကို အသုံးပြုပါသည်။ output current Io နိမ့်သောအခါ၊ low current detection reference voltage ကိုအသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် synchronous rectification MOSFET ၏ conduction time ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး စနစ်၏ ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။

အထက်ပါနည်းလမ်းကို တိုးတက်မှုအတွက် အသုံးမပြုနိုင်သည့်အခါ၊ Schottky diodes များကို synchronous rectification MOSFET ၏ အဆုံးနှစ်ဖက်တွင် အပြိုင်ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။ synchronous rectification MOSFET ကို ကြိုတင်ပိတ်ပြီးနောက်၊ ပြင်ပ Schottky diode သည် freewheeling အတွက် ချိတ်ဆက်နိုင်သည်။

7. Secondary (အလယ်တန်း) ထိန်းချုပ်မှု CCM+DCM ပေါင်းစပ်မုဒ်

လက်ရှိတွင်၊ မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းကို အမြန်အားသွင်းခြင်းအတွက် အခြေခံအားဖြင့် အသုံးများသည့် ဖြေရှင်းချက်နှစ်ခုရှိသည်။

(၁) Primary side (primary) control နှင့် DCM အလုပ်လုပ်သည့်မုဒ်။ Secondary side (secondary) synchronous rectification MOSFET သည် synchronization signal မလိုအပ်ပါ။

(2) Secondary (အလယ်တန်း) ထိန်းချုပ်မှု၊ CCM + DCM ရောစပ်ထားသော လည်ပတ်မှုမုဒ် (အထွက်ဝန်လက်ရှိ လျော့နည်းသွားသောအခါ၊ CCM မှ DCM အထိ)။ အလယ်တန်းဘက် (သာမည) တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း MOSFET သည် တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်ထားပြီး ၎င်း၏ အဖွင့်အပိတ် လော့ဂျစ်အခြေခံမူများကို ပုံ 16 တွင် ပြထားသည်။

synchronous rectification MOSFET ကိုဖွင့်ခြင်း- synchronous rectification MOSFET ၏ VDS ၏ဗို့အားသည် အပြုသဘောမှအနုတ်သို့ပြောင်းသောအခါ၊ ၎င်း၏အတွင်းပိုင်းကပ်ပါးဒိုင်အိုဒသည်ပွင့်သွားပါသည်။ ကြန့်ကြာမှုအချို့ပြီးနောက်၊ တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ဖွင့်သည်။

တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း MOSFET ကို ပိတ်ခြင်း-

① အထွက်ဗို့အားသည် သတ်မှတ်တန်ဖိုးထက် နည်းသောအခါ၊ MOSFET ၏ အဖွင့်အပိတ်ကို ထိန်းချုပ်ရန်နှင့် CCM မုဒ်တွင် အလုပ်လုပ်ရန် synchronous နာရီအချက်ပြမှုကို အသုံးပြုသည်။

② အထွက်ဗို့အားသည် သတ်မှတ်တန်ဖိုးထက် ပိုများသောအခါ၊ synchronous နာရီအချက်ပြမှုကို အကာအကွယ်ပေးထားပြီး အလုပ်လုပ်သည့်နည်းလမ်းသည် DCM မုဒ်နှင့် အတူတူပင်ဖြစ်သည်။ VDS=-Io*Rdson signal သည် synchronous rectification MOSFET ၏ ပိတ်ခြင်းကို ထိန်းချုပ်သည်။

အလယ်တန်းဘက် (သာမည) သည် တစ်ပြိုင်နက်တည်း ပြုပြင်ခြင်း MOSFET အဖွင့်အပိတ်ကို ထိန်းချုပ်သည်။

ယခု၊ MOSFET သည် အမြန်အားသွင်းစနစ် QC တစ်ခုလုံးတွင် မည်သည့်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေသည်ကို လူတိုင်းသိပါသည်။

Olukey အကြောင်း

Olukey ၏ အဓိကအဖွဲ့သည် အစိတ်အပိုင်းများကို နှစ် 20 ကြာ အာရုံစိုက်ခဲ့ပြီး Shenzhen တွင် ရုံးချုပ်ရှိသည်။ အဓိကလုပ်ငန်း- MOSFET၊ MCU၊ IGBT နှင့် အခြားစက်ပစ္စည်းများ။ အဓိကအေးဂျင့်ထုတ်ကုန်များမှာ WINSOK နှင့် Cmsemicon ဖြစ်သည်။ ထုတ်ကုန်များကို စစ်ဘက်စက်မှုလုပ်ငန်း၊ စက်မှုထိန်းချုပ်မှု၊ စွမ်းအင်အသစ်၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာထုတ်ကုန်များ၊ 5G၊ Internet of Things၊ စမတ်အိမ်များနှင့် အမျိုးမျိုးသော လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ မူလကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ အထွေထွေအေးဂျင့်၏ အားသာချက်များကို အားကိုး၍ ကျွန်ုပ်တို့သည် တရုတ်ဈေးကွက်ကို အခြေခံထားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအတွက် အဆင့်မြင့်နည်းပညာမြင့် အီလက်ထရွန်နစ်အစိတ်အပိုင်းများကို မိတ်ဆက်ပေးရန်၊ အရည်အသွေးမြင့်ထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ရာတွင် ထုတ်လုပ်သူများအား ကူညီပေးရန်နှင့် ပြီးပြည့်စုံသောဝန်ဆောင်မှုများပေးရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ပြည့်စုံကောင်းမွန်သောဝန်ဆောင်မှုများကို ကျွန်ုပ်တို့အသုံးပြုပါသည်။

ဆက်စပ်အကြောင်းအရာ

ရှာဖွေရန် Enter သို့မဟုတ် ESC ကိုပိတ်ရန် နှိပ်ပါ။