MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) များကို voltage controlled devices ဟုခေါ်သည် အဓိကအားဖြင့် ၎င်းတို့၏ လည်ပတ်မှုမူမှာ gate voltage (Vgs) ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အဓိကအားဖြင့် စီးဆင်းနေသော flow (Id) ကို ထိန်းချုပ်ရန် အစား၊ bipolar ထရန်စစ္စတာ (BJTs များကဲ့သို့) နှင့် သက်ဆိုင်သည်။ အောက်ဖော်ပြပါသည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာအဖြစ် MOSFET ၏အသေးစိတ်ရှင်းပြချက်ဖြစ်သည်။
အလုပ်အခြေခံ
ဂိတ်ဗို့အား ထိန်းချုပ်မှု-MOSFET ၏နှလုံးသည် ၎င်း၏တံခါး၊ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားတွင် တည်ဆောက်ထားပြီး တံခါးအောက်ရှိ ကာရံအလွှာ (များသောအားဖြင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်) ရှိသည်။ ဂိတ်ပေါက်သို့ ဗို့အားသက်ရောက်သောအခါ၊ လျှပ်ကာအလွှာအောက်ရှိ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးကာ၊ ဤအကွက်သည် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားရှိ ဧရိယာ၏ စီးဆင်းမှုကို ပြောင်းလဲစေသည်။
လျှပ်ကူးနိုင်သောချန်နယ်ဖွဲ့စည်းခြင်း-N-channel MOSFET များအတွက်၊ ဂိတ်ဗို့အား Vgs လုံလောက်စွာမြင့်မားသောအခါ (သတ်မှတ်ထားသောဗို့အား Vt ဟုခေါ်သော သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးထက်) ဂိတ်အောက်ရှိ P-type အလွှာရှိ အီလက်ထရွန်များကို insulating layer ၏အောက်ဘက်သို့ ဆွဲဆောင်ကာ N-ဖွဲ့စည်းသည်။ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြား လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းကို ခွင့်ပြုသည့် conductive channel အမျိုးအစား။ အပြန်အလှန်အားဖြင့် Vgs သည် Vt ထက်နိမ့်ပါက conducting channel ကို မဖွဲ့စည်းဘဲ MOSFET သည် ဖြတ်တောက်မည်ဖြစ်သည်။
Drain လက်ရှိထိန်းချုပ်မှု-Drain current Id ၏ အရွယ်အစားကို gate voltage Vgs ဖြင့် အဓိက ထိန်းချုပ်ထားသည်။ Vgs များလေ၊ conducting channel ကို ပိုကျယ်လေဖြစ်ပြီး၊ drain current Id သည် ပိုကြီးလေဖြစ်သည်။ ဤဆက်ဆံရေးသည် MOSFET အား ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော လက်ရှိကိရိယာတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်ရန် ခွင့်ပြုသည်။
Piezo Characterization အားသာချက်များ
Input Impedance မြင့်မားသည်-MOSFET ၏ input impedance သည် insulating အလွှာဖြင့် gate နှင့် source-drain ဒေသကို သီးခြားခွဲထားခြင်းကြောင့် အလွန်မြင့်မားပြီး gate current သည် သုညနီးပါးဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် input impedance မြင့်မားသော circuit များတွင် အသုံးဝင်စေသည်။
ဆူညံသံနည်းMOSFET များသည် လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ဆူညံသံအတော်လေးနည်းပါးပြီး အများစုမှာ ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော input impedance နှင့် unipolar carrier conduction ယန္တရားကြောင့်ဖြစ်သည်။
အမြန်ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း-MOSFET များသည် ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော စက်ပစ္စည်းများဖြစ်သောကြောင့်၊ ၎င်းတို့၏ switching speed သည် အများအားဖြင့် bipolar transistor များထက် ပိုမြန်သည်၊ ၎င်းသည် switching လုပ်စဉ်တွင် charge storage နှင့် release လုပ်ငန်းစဉ်ကိုဖြတ်သန်းရမည်ဖြစ်ပါသည်။
ပါဝါစားသုံးမှုနည်းအခြေအနေတွင်၊ MOSFET ၏ drain-source resistance (RDS(on)) သည် ပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချရန် ကူညီပေးသည်။ ထို့အပြင်၊ ဖြတ်တောက်မှုအခြေအနေတွင်၊ ဂိတ်ပေါက်လျှပ်စီးကြောင်းသည် သုညနီးပါးဖြစ်သောကြောင့် တည်ငြိမ်ပါဝါသုံးစွဲမှု အလွန်နည်းပါသည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET များကို ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့် ကိရိယာများဟုခေါ်ဝေါ်ခြင်းမှာ ၎င်းတို့၏လည်ပတ်မှုမူအရ ဂိတ်ဗို့အားဖြင့် စီးဆင်းနေသော လျှပ်စီးကြောင်း၏ ထိန်းချုပ်မှုအပေါ် ကြီးမားစွာမှီခိုနေရသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဤဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော လက္ခဏာရပ်သည် အထူးသဖြင့် မြင့်မားသော input impedance၊ ဆူညံသံနိမ့်၊ အမြန်ပြောင်းခြင်းအမြန်နှုန်းနှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးသောနေရာတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးအဆောင်များအတွက် အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်များတွင် MOSFET များကို အလားအလာကောင်းစေသည်။
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ ၁၆-၂၀၂၄
