Triode နှင့် MOSFET ကိုရွေးချယ်ရာတွင် မည်သည့်ဘောင်များကို ဂရုပြုသင့်သနည်း။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများတွင် လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ ပါရှိပြီး အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများ၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ရေရှည်လည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန် အမျိုးအစားကို ရွေးချယ်သည့်အခါ အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအတွက် လုံလောက်သော အနားသတ်ထားရန် အရေးကြီးပါသည်။ ထို့နောက် Triode နှင့် MOSFET ရွေးချယ်ရေးနည်းလမ်းကို အတိုချုံးမိတ်ဆက်ပေးပါ။

Triode သည် စီးဆင်းမှုထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာဖြစ်ပြီး MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ ရွေးချယ်မှုတွင် ဗို့အား၊ လက်ရှိနှင့် အခြားကန့်သတ်ဘောင်များကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်သည့်ရွေးချယ်မှုတွင် နှစ်ခုကြားတွင် တူညီမှုများရှိသည်။

 

1, အများဆုံးခံနိုင်ဗို့အားရွေးချယ်မှုအရသိရသည်။

Triode စုဆောင်းသူ C နှင့် emitter E သည် ကန့်သတ်ဘောင် V (BR) CEO အကြား အမြင့်ဆုံးဗို့အားကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း CE အကြား ဗို့အားသည် သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးထက် မကျော်လွန်စေရ၊ သို့မဟုတ်ပါက Triode သည် ထာဝရပျက်စီးသွားမည်ဖြစ်သည်။

အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း MOSFET ၏ Drain D နှင့် အရင်းအမြစ် S အကြားတွင် အမြင့်ဆုံးဗို့အားလည်း ရှိနေပြီး လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း DS ဖြတ်ကျော်ဗို့အားသည် သတ်မှတ်ထားသည့်တန်ဖိုးထက် မကျော်လွန်ရပါ။ ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရလျှင် ဗို့အား၏တန်ဖိုးကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။MOSFETTriode ထက်အများကြီးပိုမြင့်တယ်။

 

2၊ အမြင့်ဆုံး overcurrent စွမ်းရည်

Triode တွင် ICM ပါရာမီတာ၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ စုဆောင်းသူသည် overcurrent လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းရှိပြီး၊ MOSFET ၏ overcurrent စွမ်းရည်ကို ID ၏စည်းကမ်းချက်များဖြင့်ဖော်ပြသည်။ လက်ရှိလုပ်ဆောင်နေချိန်တွင်၊ Triode/MOSFET မှတဆင့်စီးဆင်းနေသော လက်ရှိသည် သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးထက် မကျော်လွန်နိုင်ပါ၊ သို့မဟုတ်ပါက စက်ပစ္စည်းသည် လောင်ကျွမ်းသွားမည်ဖြစ်သည်။

လည်ပတ်တည်ငြိမ်မှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါက အနားသတ် 30%-50% သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပို၍ ယေဘုယျအားဖြင့် ခွင့်ပြုထားသည်။

3၊လည်ပတ်အပူချိန်

လုပ်ငန်းသုံးအဆင့် ချစ်ပ်များ- အထွေထွေအကွာအဝေး 0 မှ +70 ℃;

စက်မှုအဆင့်ချစ်ပ်များ- ယေဘုယျအကွာအဝေး -40 မှ +85 ℃;

စစ်ဘက်အဆင့်ချစ်ပ်များ- ယေဘုယျအကွာအဝေး -55 ℃မှ +150 ℃;

MOSFET ရွေးချယ်မှုပြုလုပ်သည့်အခါ၊ ထုတ်ကုန်၏အသုံးပြုမှုအခြေအနေအရ သင့်လျော်သောချစ်ပ်ကို ရွေးချယ်ပါ။

 

4 switching frequency ရွေးချယ်မှုအရ သိရသည်။

Triode နဲ့ရောMOSFETကြိမ်နှုန်းပြောင်းခြင်း/တုံ့ပြန်မှုအချိန်၏ ကန့်သတ်ချက်များရှိသည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုပါက၊ အသုံးပြုမှုအခြေအနေများနှင့် ကိုက်ညီစေရန် switching tube ၏ တုံ့ပြန်ချိန်ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရပါမည်။

 

5၊အခြားရွေးချယ်မှုအခြေအနေများ

ဥပမာအားဖြင့်၊ MOSFET ၏ on-resistance Ron ပါရာမီတာ၊ VTH အဖွင့်ဗို့အား၊MOSFET, နောက် ... ပြီးတော့။

 

MOSFET ရွေးချယ်မှုတွင်လူတိုင်း၊ သင်ရွေးချယ်မှုအတွက် အထက်ဖော်ပြပါအချက်များကို ပေါင်းစပ်နိုင်ပါသည်။