တူညီသောစွမ်းအားမြင့် MOSFET၊ မတူညီသော drive circuit များကိုအသုံးပြုခြင်းသည် မတူညီသော switching လက္ခဏာများကို ရရှိမည်ဖြစ်သည်။ drive circuit ၏ ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို အသုံးပြုခြင်းသည် power switching device ကို အတော်အတန် စံပြ switching အခြေအနေတွင် လုပ်ဆောင်နိုင်စေပြီး switching time ကို တိုစေကာ switching losses များကို လျှော့ချပေးခြင်း၊ လည်ပတ်မှု ထိရောက်မှု၊ စိတ်ချရမှု၊ နှင့် ဘေးကင်းမှု တို့သည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ drive circuit ၏ အားသာချက်များနှင့် အားနည်းချက်များသည် main circuit ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုက်ရိုက် သက်ရောက်မှုရှိပြီး drive circuit ၏ ဒီဇိုင်းကို ကျိုးကြောင်းဆီလျော်အောင် ပြုလုပ်ခြင်းသည် ပို၍ အရေးကြီးပါသည်။ Thyristor သည် သေးငယ်သောအရွယ်အစား၊ ပေါ့ပါးသော၊ မြင့်မားသော၊ ထိရောက်မှု၊ တာရှည်ခံမှု၊ အသုံးပြုရလွယ်ကူသည်၊ rectifier နှင့် အင်ဗာတာများကို အလွယ်တကူရပ်တန့်နိုင်ပြီး rectifier သို့မဟုတ် inverter ၏အရွယ်အစားကိုပြောင်းလဲခြင်း၏အနှစ်သာရအောက်တွင် ဆားကစ်ဖွဲ့စည်းပုံကို မပြောင်းလဲနိုင်ပါ။IGBT သည် ပေါင်းစပ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ စက်ပစ္စည်းMOSFETမြန်ဆန်သောကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း၊ ကောင်းသောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ အသေးစားမောင်းနှင်မှုပါဝါနှင့် ရိုးရှင်းသောဒရိုက်ပတ်လမ်း၏ဝိသေသလက္ခဏာများရှိပြီး၊ အသေးစားအသုံးလျှပ်စီးကြောင်းကျဆင်းမှု၊ ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်မြင့်မားမှုနှင့် လက်ခံနိုင်မှုမြင့်မားသည့်လျှပ်စီးကြောင်း၏အားသာချက်များရှိသည်။ အထူးသဖြင့် ပါဝါမြင့်သောနေရာများတွင် ပင်မဓာတ်အားထုတ်ပေးသည့်ကိရိယာအဖြစ် IGBT ကို အမျိုးအစားအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးများသည်။
စွမ်းအားမြင့် MOSFET switching devices များအတွက် စံပြမောင်းနှင်ပတ်လမ်းသည် အောက်ပါလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသင့်သည်-
(1) power switching tube ကိုဖွင့်သောအခါ၊ မောင်းနှင်သည့် circuit သည် fast-rising base လျှပ်စီးကို ပေးစွမ်းနိုင်သောကြောင့် ၎င်းကိုဖွင့်သောအခါတွင် လုံလောက်သော မောင်းနှင်အားပါဝါရှိသောကြောင့် turn-on ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
(2) switching tube conduction ကာလအတွင်း၊ MOSFET driver circuit မှ ပေးထားသော base current သည် power tube သည် မည်သည့် load condition အောက်တွင်မဆို saturated conduction အခြေအနေတွင် ရှိနေကြောင်း သေချာစေပြီး နှိုင်းယှဉ်ပါက conduction ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးကြောင်း သေချာစေပါသည်။ သိုလှောင်ချိန်ကို လျှော့ချရန်အတွက် စက်ကို မပိတ်မီ အရေးကြီးသော ရွှဲရွှဲအခြေအနေတွင် ရှိနေသင့်သည်။
(၃) ပိတ်ခြင်း၊ သိုလှောင်မှုအချိန်ကို လျှော့ချရန်အတွက် base ဒေသရှိ ကျန်ရှိသော carriers များကို လျင်မြန်စွာ ဆွဲထုတ်ရန် လုံလောက်သော ပြောင်းပြန် base drive ကို ပံ့ပိုးပေးသင့်ပါသည်။ နှင့် reverse bias cutoff voltage ပေါင်းထည့်ပါ၊ သို့မှသာ collector current သည် ဆင်းသက်ချိန်ကို လျှော့ချရန် လျင်မြန်စွာ ကျဆင်းသွားစေရန်။ ဟုတ်ပါတယ်, thyristor ၏ shutdown သည်အဓိကအားဖြင့် shutdown ကိုအပြီးသတ်ရန် reverse anode ဗို့အားကျဆင်းခြင်းဖြင့်နေဆဲဖြစ်သည်။
လက်ရှိတွင်၊ thyristor သည် low voltage end နှင့် high voltage end ကိုခွဲခြားရန် transformer သို့မဟုတ် optocoupler isolation ဖြင့် နှိုင်းယှဉ်နိုင်သော အရေအတွက်ဖြင့် မောင်းနှင်ပြီး၊ ထို့နောက် thyristor conduction ကိုမောင်းနှင်ရန် conversion circuit မှတဆင့်။ IGBT တွင် လက်ရှိအသုံးပြုနေသည့် IGBT drive module များသာမကဘဲ IGBT ၊ စနစ်ကိုယ်တိုင်ထိန်းသိမ်းမှု၊ မိမိကိုယ်ကိုရောဂါရှာဖွေခြင်းနှင့် IPM ၏ အခြားလုပ်ဆောင်နိုင်သော module များကိုလည်း ပေါင်းစပ်ထားသည်။
ဤစာတမ်းတွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့အသုံးပြုသော thyristor အတွက်၊ စမ်းသပ်မောင်းနှင်ပတ်လမ်းကို ဒီဇိုင်းထုတ်ကာ ၎င်းသည် thyristor ကို မောင်းနှင်နိုင်ကြောင်း သက်သေပြရန်အတွက် တကယ့်စမ်းသပ်မှုကို ရပ်လိုက်ပါ။ IGBT ၏ drive အတွက်၊ ဤစာတမ်းသည် အဓိကအားဖြင့် IGBT drive အမျိုးအစားများအပြင် ၎င်းတို့၏သက်ဆိုင်ရာ drive circuit နှင့် simulation စမ်းသပ်မှုကိုရပ်တန့်ရန်အတွက် အသုံးအများဆုံး optocoupler isolation drive ကို အဓိကထားတင်ပြပါသည်။
2. Thyristor drive circuit ကို ယေဘူယျအားဖြင့် thyristor လည်ပတ်မှုအခြေအနေများကို လေ့လာခြင်းမှာ-
(1) thyristor သည် reverse anode ဗို့အားလက်ခံသည်၊ မည်သည့်ဗို့အားကို Gate ကလက်ခံသည်ဖြစ်စေ thyristor သည် off state တွင်ရှိသည်။
(2) Thyristor သည် forward anode ဗို့အားလက်ခံသည်၊၊ တံခါးသည် thyristor ဖွင့်ထားသည့် positive voltage ကိုလက်ခံသည့်ကိစ္စတွင်သာဖြစ်သည်။
(3) Thyristor သည် conduction အခြေအနေတွင် gate voltage မည်သည်ဖြစ်စေ ၊ thyristor သည် conduction ကို အခိုင်အမာ အခိုင်အမာ တည်ရှိနေစေကာမူ အပြုသဘောဆောင်သော anode ဗို့အားတစ်ခုသာ ဖြစ်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ thyristor conduction ပြီးနောက် gate သည် ပျောက်ဆုံးသွားပါသည်။ (4) လျှပ်ကူးမှုအခြေအနေတွင် thyristor သည် ပင်မပတ်လမ်းဗို့အား (သို့မဟုတ် လက်ရှိ) သုညအနီးသို့ လျော့ကျသွားသောအခါ၊ thyristor သည် ပိတ်သွားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် thyristor ကို TYN1025၊ ၎င်း၏ခံနိုင်ရည်အား 600V မှ 1000V၊ လက်ရှိ 25A အထိရှိသည်။ ၎င်းသည် gate drive ဗို့အား 10V မှ 20V၊ drive current သည် 4mA မှ 40mA လိုအပ်သည်။ ၎င်း၏ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုလက်ရှိ 50mA၊ အင်ဂျင်လက်ရှိ 90mA ဖြစ်သည်။ DSP သို့မဟုတ် CPLD သည် 5V အထိ signal လွှဲခွင်ကို အစပျိုးသည်။ ပထမဦးစွာ၊ 5V ၏ amplitude သည် 24V သို့နေသမျှကာလပတ်လုံး၊ ထို့နောက် 2:1 isolation transformer မှတဆင့် 24V trigger signal ကို 12V trigger signal အဖြစ်သို့ပြောင်းရန်၊ အထက်နှင့်အောက် voltage isolation ၏လုပ်ဆောင်ချက်ကို ပြီးမြောက်စေပါသည်။
စမ်းသပ်ပတ်လမ်းဒီဇိုင်းနှင့်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာ
ပထမဦးစွာ boost circuit သည် isolation transformer circuit ၏ back stage ကြောင့်ဖြစ်သည်။MOSFETစက်သည် 15V trigger signal လိုအပ်သည်၊ ထို့ကြောင့် 5V trigger signal ကို 15V trigger signal အဖြစ်သို့ ပထမဦးစွာ လိုအပ်သည်၊ MC14504 5V signal မှတဆင့်၊ 15V signal အဖြစ်သို့ပြောင်းပြီးနောက် CD4050 မှတဆင့် 15V drive signal shaping ၏ output ပေါ်ရှိ ချန်နယ် 2၊ 5V input signal ကိုချိတ်ဆက်သည်၊ ချန်နယ် 1 သည် output Channel 2 သို့ ချိတ်ဆက်ထားပြီး 5V input signal နှင့် ချိတ်ဆက်သည်၊ channel 1 သည် 15V trigger signal ၏ output သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။
ဒုတိယအပိုင်းမှာ isolation transformer circuit ဖြစ်ပြီး circuit ၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ- 15V trigger signal ဖြစ်ပြီး thyristor conduction ၏ နောက်ကျောကို အစပျိုးရန် 12V trigger signal အဖြစ် ပြောင်းလဲကာ 15V trigger signal နှင့် back ကြားအကွာအဝေးကို ပြုလုပ်ရန်၊ စင်မြင့်။
ဆားကစ်၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမမှာ- ကြောင့်ဖြစ်သည်။MOSFETIRF640 drive ဗို့အား 15V၊ ထို့ကြောင့် J1 တွင် 15V စတုရန်းလှိုင်းအချက်ပြသို့ ဝင်ရောက်ခြင်း ၊ regulator 1N4746 နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော resistor R4 မှတဆင့် ၊ trigger voltage တည်ငြိမ်နေစေရန်အတွက် trigger voltage သည် မမြင့်မားစေရန်၊ , MOSFET ကိုမီးရှို့ပြီးနောက် MOSFET IRF640 သို့ (တကယ်တော့၊ ဒါက switching tube၊ အဖွင့်နဲ့အပိတ်ရဲ့နောက်ဖက်ကိုထိန်းချုပ်တယ်။ turn-on နဲ့ turn-off ရဲ့နောက်ဖက်ကိုထိန်းချုပ်သည်) ကိုထိန်းချုပ်ပြီးနောက်၊ MOSFET ၏ turn-on နှင့် turn-off time ကိုထိန်းချုပ်နိုင်ရန် drive signal ၏တာဝန်လည်ပတ်မှု။ ၎င်း၏ D-pole မြေပြင်နှင့်ညီမျှသော MOSFET ကိုဖွင့်သောအခါ၊ ၎င်းသည်ဖွင့်သောအခါပိတ်သည်၊ 24 V နှင့်ညီမျှသော back-end circuit ပြီးနောက်တွင်၎င်းသည် 12 V အထွက်အချက်ပြမှု၏ညာဘက်ကိုဖြစ်စေရန်ဗို့အားပြောင်းလဲမှုမှတဆင့်ထရန်စဖော်မာသည် . Transformer ၏ညာဘက်စွန်းကို rectifier တံတားတစ်ခုနှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ထို့နောက် 12V signal သည် connector X1 မှ output ဖြစ်သည်။
စမ်းသပ်မှုအတွင်း ကြုံတွေ့ရသော ပြဿနာများ
ပထမဦးစွာ၊ ပါဝါဖွင့်လိုက်သောအခါ fuse သည် ရုတ်တရက် မှုတ်သွားပြီး နောက်ပိုင်းတွင် ဆားကစ်ကို စစ်ဆေးသောအခါတွင် ကနဦး circuit design တွင် ပြဿနာရှိနေကြောင်း တွေ့ရှိရသည်။ အစပိုင်းတွင်၊ ၎င်း၏ switching tube output ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက်၊ 24V မြေပြင်နှင့် 15V မြေပြင်ခြားနားခြင်းအား MOSFET ၏ဂိတ် G တိုင်သည် S တိုင်၏နောက်ဘက်နှင့်ညီမျှသော အတုအယောင်အစပျိုးခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ကုသမှုသည် 24V နှင့် 15V မြေပြင်ကို ချိတ်ဆက်ပြီး စမ်းသပ်မှုကို ရပ်တန့်ရန် နောက်တစ်ကြိမ် ဆားကစ်သည် ပုံမှန်အတိုင်း အလုပ်လုပ်ပါသည်။ ပတ်လမ်းချိတ်ဆက်မှုသည် ပုံမှန်ဖြစ်သော်လည်း drive signal တွင် MOSFET အပူ၊ အပေါင်း drive signal သည် အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ၊ fuse လွင့်သွားပြီး drive signal ကိုထည့်သည့်အခါ fuse သည် တိုက်ရိုက်လွင့်ပါသည်။ ပတ်လမ်းအား စစ်ဆေးရာတွင် drive signal ၏ high level duty cycle သည် ကြီးလွန်းသဖြင့် MOSFET ဖွင့်ချိန်သည် ရှည်လွန်းကြောင်း တွေ့ရှိရပါသည်။ ဤဆားကစ်၏ဒီဇိုင်းသည် MOSFET ကိုဖွင့်လိုက်သောအခါတွင် 24V ကို MOSFET ၏အစွန်းများသို့တိုက်ရိုက်ထည့်ကာ လက်ရှိ-ကန့်သတ်ခုခံအားကိုမထည့်ဘဲ၊ Current ကြီးလွန်းပါက MOSFET သည် အချိန်မှန်လွန်းပါက၊ MOSFET ပျက်စီးခြင်း၊ signal ၏တာဝန်သံသရာကိုထိန်းညှိရန်လိုအပ်သည် ယေဘုယျအားဖြင့် 10% မှ 20% သို့မဟုတ်ထို့ထက်ကြီးမားသည်။
2.3 drive circuit ကိုအတည်ပြုခြင်း။
drive circuit ၏ဖြစ်နိုင်ခြေကိုစစ်ဆေးရန်အတွက်၊ တစ်ခုနှင့်တစ်ခုချိတ်ဆက်ထားသော thyristor ဆားကစ်ကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက်၎င်းကိုအသုံးပြုသည်၊ တစ်ခုနှင့်တစ်ခုအစီအစဥ်ရှိ thyristor နှင့်ဆန့်ကျင်ပြီးအပြိုင်ဆန့်ကျင်မှု၊ inductive reactance ဖြင့် circuit သို့ဝင်ရောက်ခွင့်၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှု 380V AC ဗို့အားအရင်းအမြစ်ဖြစ်သည်။
ဤဆားကစ်ရှိ MOSFET၊ thyristor Q2၊ Q8 သည် G11 နှင့် G12 ဝင်ရောက်မှုမှတစ်ဆင့် အချက်ပြအချက်ပြမှုဖြစ်ပြီး Q5၊ Q11 မှ G21၊ G22 ဝင်ရောက်မှုမှတစ်ဆင့် အချက်ပြသည်။ drive signal ကို thyristor ဂိတ်အဆင့်သို့မရရှိမီ၊ thyristor ၏ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုဆန့်ကျင်နိုင်စွမ်းကိုတိုးတက်စေရန်အတွက်၊ thyristor ၏တံခါးသည် resistor နှင့် capacitor နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဤဆားကစ်ကို inductor နှင့်ချိတ်ဆက်ပြီး main circuit ထဲသို့ထည့်သည်။ ပင်မပတ်လမ်းအချိန်သို့ ကြီးမားသော inductor ကိုထိန်းချုပ်ရန်အတွက် thyristor ၏ conduction angle ကိုထိန်းချုပ်ပြီးနောက်၊ လည်ပတ်မှုတစ်ဝက်၏အစပျိုးအချက်ပြမှုကွာခြားချက်၏အထက်နှင့်အောက်ဆားကစ်များ၊ အထက် G11 နှင့် G12 သည်အစပျိုးအချက်ပြမှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ isolation transformer ၏ ရှေ့ဇာတ်စင်၏ drive circuit မှတဆင့် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ခွဲထုတ်ထားပြီး၊ အောက်ပိုင်း G21 နှင့် G22 သည်လည်း အလားတူ signal မှ ခွဲထုတ်ထားသည်။ အစပျိုးအချက်ပြမှုနှစ်ခုသည် anti-parallel thyristor ဆားကစ်အပြုသဘောနှင့်အနုတ်လက္ခဏာဆောင်ခြင်းအား အစပျိုးပေးသည်၊ 1 ချန်နယ်အထက်တွင် thyristor ဆားကစ်ဗို့အားတစ်ခုလုံးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ thyristor conduction တွင် ၎င်းသည် 0 ဖြစ်လာပြီး 2၊ 3 ချန်နယ်သည် thyristor ဆားကစ်အပေါ်နှင့် အောက်သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ လမ်းအစပျိုးအချက်ပြမှုများ၊ 4 ချန်နယ်ကို thyristor တစ်ခုလုံး၏လက်ရှိစီးဆင်းမှုဖြင့်တိုင်းတာသည်။
2 ချန်နယ်သည် အပြုသဘောဆောင်သော အစပျိုးအချက်ပြမှုကို တိုင်းတာပြီး thyristor conduction အထက်တွင် အစပျိုးလိုက်သည်၊ လက်ရှိသည် အပြုသဘောဆောင်ပါသည်။ 3 ချန်နယ်သည် ပြောင်းပြန်အစပျိုးအချက်ပြအချက်ပြမှုကို တိုင်းတာပြီး thyristor conduction ၏အောက်ပတ်လမ်းကို အစပျိုးလိုက်သည်၊ လက်ရှိသည် အနှုတ်ဖြစ်သည်။
3.IGBT drive circuit ဆွေးနွေးပွဲ၏ IGBT drive circuit တွင် အထူးတောင်းဆိုမှုများ အများအပြားရှိသည်၊
(၁) ဗို့အားခုန်နှုန်း အတက်အဆင်း မောင်းနှင်မှုနှုန်း လုံလောက်စွာ ကြီးမားသင့်သည်။ igbt ကိုဖွင့်ပါ၊ မတ်စောက်သောဂိတ်ဗို့အား၏ ဦးဆောင်အစွန်းကို ဂိတ်ပေါက်ကြားရှိ G နှင့် emitter E သို့ ပေါင်းထည့်သည်၊ သို့မှသာ အဖွင့်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန် အတိုဆုံးအဖွင့်အချိန်သို့ရောက်ရှိစေရန် လျင်မြန်စွာဖွင့်ထားသည်။ IGBT shutdown တွင်၊ gate drive circuit သည် IGBT landing edge သည် အလွန်မတ်စောက်သော shutdown voltage ဖြစ်သည်၊ နှင့် သင့်လျော်သော reverse bias voltage ကြားရှိ IGBT gate G နှင့် emitter E သို့ IGBT အမြန်ပိတ်ခြင်း၊ shutdown time ကိုတိုစေခြင်း၊ shutdown ဆုံးရှုံးမှု။
(2) IGBT conduction ပြီးနောက်၊ gate drive circuit မှပေးဆောင်သော drive voltage နှင့် current သည် IGBT drive ဗို့အားနှင့် current အတွက် လုံလောက်သော amplitude ဖြစ်သင့်သည်၊ သို့မှသာ IGBT ၏ power output သည် အမြဲတမ်း saturated ဖြစ်နေစေရန်။ အကူးအပြောင်း လွန်လွန်ကဲကဲ၊ IGBT သည် saturation area မှ မထွက်ရန်နှင့် ပျက်စီးကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် gate drive circuit မှ ပံ့ပိုးပေးသော မောင်းနှင်အား လုံလောက်ရပါမည်။
(၃) IGBT gate drive circuit သည် သင့်လျော်သောတန်ဖိုးကိုယူရန် IGBT positive drive voltage ကို ပေးဆောင်သင့်ပြီး အထူးသဖြင့် IGBT တွင်အသုံးပြုသည့် စက်များ၏ short-circuit လည်ပတ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ positive drive voltage ကို လိုအပ်သော အနည်းဆုံးတန်ဖိုးသို့ ရွေးချယ်သင့်သည်။ အကောင်းဆုံးအတွက် IGBT ၏ ဂိတ်ဗို့အားကို 10V ~ 15V သို့ပြောင်းခြင်းဖြစ်သင့်သည်။
(၄) IGBT ပိတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ဂိတ်ပေါက်ကြားတွင်သက်ရောက်သည့် အနုတ်ဘက်လိုက်ဗို့အားသည် IGBT ၏ လျင်မြန်စွာပိတ်ခြင်းကို အထောက်အကူဖြစ်စေသော်လည်း အလွန်ကြီးမားသော၊ သာမန်အားဖြင့် -2V မှ -10V အထိ မယူသင့်ပါ။
(5) ကြီးမားသော inductive loads များတွင်၊ မြန်ဆန်လွန်းသော switching သည် အန္တရာယ်ရှိသော၊ IGBT တွင် inductive load များ လျင်မြန်သော turn-on နှင့် turn-off များသည် high-frequency နှင့် high amplitude နှင့် spike voltage Ldi / dt ၏ အကျယ်ကို ကျဉ်းမြောင်းစေသည်။ ဆူးသည် စုပ်ယူရန်မလွယ်ကူပါ၊ ကိရိယာပျက်စီးရန်လွယ်ကူသည်။
(၆) IGBT ကို ဗို့အားမြင့်သောနေရာများတွင် အသုံးပြုသောကြောင့် drive circuit သည် ပြင်းထန်သော သီးခြားခွဲထုတ်ခြင်း၏ အလားအလာတွင်၊ drive circuit တစ်ခုလုံးနှင့် အတူရှိသင့်သည်၊ သာမန်အားဖြင့် မြန်နှုန်းမြင့် optical coupling isolation သို့မဟုတ် transformer coupling isolation ကို အသုံးပြုသည်။
မောင်းပတ်လမ်း အနေအထား
ပေါင်းစပ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ လက်ရှိ IGBT gate drive circuit ကို ပေါင်းစပ်ချစ်ပ်များဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ထိန်းချုပ်မုဒ်သည် အဓိကအားဖြင့် သုံးမျိုးရှိသေးသည်-
(1) direct triggering type input နှင့် output signals များကြားတွင် လျှပ်စစ်အထီးကျန်ခြင်း မရှိပါ။
(2) Transformer isolation drive သည် input နှင့် output signals များကြားတွင် pulse transformer isolation, isolation voltage level 4000V အထိဖြစ်သည်။
အောက်ပါအတိုင်း ချဉ်းကပ်မှု ၃ ခု ရှိပါသည်။
Passive ချဉ်းကပ်နည်း- IGBT ကို တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်ရန် ဆင့်ပွားထရန်စဖော်မာ၏ အထွက်ကို အသုံးပြုသည်၊ ဗို့-စက္ကန့်တန်းတူညီမျှခြင်း၏ ကန့်သတ်ချက်များကြောင့်၊ ၎င်းသည် တာဝန်လည်ပတ်မှုများစွာ ပြောင်းလဲခြင်းမရှိသည့်နေရာများနှင့်သာ သက်ဆိုင်ပါသည်။
အသက်ဝင်သောနည်းလမ်း- ထရန်စဖော်မာသည် သီးခြားအချက်ပြမှုများကိုသာ ပံ့ပိုးပေးသည်၊ IGBT ကိုမောင်းနှင်ရန်အတွက် ဒုတိယပလပ်စတစ်အသံချဲ့စက်ပတ်လမ်းတွင်၊ drive waveform သည် ပိုကောင်းသော်လည်း သီးခြားအရန်ပါဝါပေးရန် လိုအပ်သည်။
ကိုယ်ပိုင်ထောက်ပံ့နည်း- pulse transformer ကို ယုတ္တိဗေဒအချက်ပြလှိုင်းများ ထုတ်လွှင့်ရန်အတွက် မောင်းနှင်စွမ်းအင်နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မော်ဂျူလာနှင့် demodulation နည်းပညာနှစ်ခုလုံးကို ပို့လွှတ်ရန်အတွက် အသုံးပြုသည်၊ မော်ဂျူလာအမျိုးအစား-ကိုယ်ပိုင်ထောက်ပံ့ရေးချဉ်းကပ်မှုနှင့် အချိန်ခွဲဝေမှုနည်းပညာ ကိုယ်တိုင်ထောက်ပံ့မှုအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသည်။ - လော့ဂျစ်အချက်ပြမှုများကို ထုတ်လွှင့်ရန် လိုအပ်သော ပါဝါထောက်ပံ့မှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် မော်ဂျူလာနှင့် ဒီမိုဒလာနည်းပညာကို ထုတ်လုပ်ရန် rectifier တံတားသို့ ကိုယ်တိုင်ပေးသည့် ပါဝါကို အမျိုးအစား။
3. thyristor နှင့် IGBT drive အကြား ဆက်သွယ်မှုနှင့် ကွာခြားချက်
Thyristor နှင့် IGBT drive circuit သည် အလားတူ အလယ်ဗဟိုကြားတွင် ကွာခြားချက်ရှိသည်။ ပထမဦးစွာ၊ ဗို့အားမြင့်ဆားကစ်များသည် ထိန်းချုပ်မှုပတ်လမ်းအပေါ် အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရှောင်ရှားရန်အတွက် switching device နှင့် control circuit များကို တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ခွဲထုတ်ရန် drive circuit နှစ်ခု လိုအပ်ပါသည်။ ထို့နောက် switching device ကိုဖွင့်ရန် gate drive အချက်ပြမှုတွင် နှစ်ခုလုံးကို အသုံးချသည်။ ကွာခြားချက်မှာ thyristor drive သည် လက်ရှိ အချက်ပြမှု လိုအပ်ပြီး IGBT သည် ဗို့အား အချက်ပြမှု လိုအပ်ပါသည်။ switching device conduction ပြီးနောက်၊ thyristor ၏ gate သည် thyristor အသုံးပြုမှုကို ထိန်းချုပ်မှု ဆုံးရှုံးသွားသည်၊ အကယ်၍ သင်သည် thyristor ကို ပိတ်လိုပါက၊ thyristor terminals များကို reverse voltage သို့ ပေါင်းထည့်သင့်သည်။ IGBT ကိုပိတ်ရန်အတွက် IGBT ကို ပိတ်ရန် အနုတ် မောင်းနှင်မှုဗို့အား ဂိတ်ပေါက်တွင်သာ ထည့်သွင်းရန် လိုအပ်ပါသည်။
4. နိဂုံး
ဤစာတမ်းကို ဇာတ်ကြောင်း၏ အပိုင်းနှစ်ပိုင်းအဖြစ် အဓိကအားဖြင့် ပိုင်းခြားထားပြီး၊ ဇာတ်ကြောင်းကို ရပ်တန့်ရန် thyristor drive circuit ၏ ပထမပိုင်း၊ သက်ဆိုင်ရာ drive circuit ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် circuit ၏ ဒီဇိုင်းကို လက်တွေ့ကျသော thyristor circuit တွင် အသုံးချပြီး၊ နှင့် drive circuit ၏ဖြစ်နိုင်ချေကိုသက်သေပြရန်စမ်းသပ်မှုများ၊ ပြဿနာများကိုခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းတွင်ကြုံတွေ့ရသောစမ်းသပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည်ရပ်တန့်ပြီးဖြေရှင်းသည်။ drive circuit ၏တောင်းဆိုမှုအပေါ် IGBT ၏ဒုတိယအပိုင်းတွင်အဓိကဆွေးနွေးမှုဖြစ်ပြီး၊ ဤအခြေခံပေါ်တွင်လက်ရှိအသုံးများသော IGBT drive circuit နှင့် main optocoupler isolation drive circuit တို့သည် simulation နှင့်စမ်းသပ်မှုကိုရပ်တန့်ရန်၊ drive circuit ၏ဖြစ်နိုင်ခြေ။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ 15-2024
