ဒြပ်စင်များကို ကူးပြောင်းခြင်းအနေဖြင့် MOSFET နှင့် IGBT တို့သည် အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်များတွင် မကြာခဏပေါ်လာသည်။၎င်းတို့သည် ပုံပန်းသဏ္ဍာန်နှင့် ဝိသေသ ဘောင်များတွင်လည်း ဆင်တူသည်။အချို့သောဆားကစ်များသည် MOSFET ကိုအသုံးပြုကြပြီး အချို့သောဆားကစ်များသည် အဘယ်ကြောင့် MOSFET ကိုအသုံးပြုရသနည်းဟု လူအများအံ့သြကြလိမ့်မည်ဟုယုံကြည်ပါသည်။IGBT လား?
သူတို့ကြားက ဘာကွာခြားလဲ။နောက်တစ်ခု,Olukeyမင်းရဲ့မေးခွန်းတွေကို ဖြေလိမ့်မယ်။
တစ်ခုကဘာလဲMOSFET?
MOSFET၊ တရုတ်အမည်အပြည့်အစုံမှာ metal-oxide semiconductor field effect transistor ဖြစ်သည်။ဤ field effect transistor ၏ gate ကို insulating layer ဖြင့် သီးခြားခွဲထားသောကြောင့် ၎င်းကို insulated gate field effect transistor ဟုခေါ်ပါသည်။MOSFET ကို ၎င်း၏ "ချန်နယ်" (အလုပ်လုပ်ဆောင်ပေးသူ) ၏ polarity အရ "N-type" နှင့် "P-type" ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။ အများအားဖြင့် N MOSFET နှင့် P MOSFET ဟုခေါ်သည်။
MOSFET ကိုယ်တိုင်တွင် VDD ဗို့အားလွန်သွားသောအခါတွင် MOSFET လောင်ကျွမ်းခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အသုံးပြုသော ကပ်ပါးဒိုင်အိုဒိုက်ပါရှိသည်။overvoltage သည် MOSFET ကိုမပျက်စီးမီတွင် diode သည် ဦးစွာနောက်ပြန်ဆုတ်သွားပြီး ကြီးမားသောလျှပ်စီးကြောင်းကို မြေပြင်သို့ပို့ဆောင်ပေးသောကြောင့် MOSFET ကိုလောင်ကျွမ်းခြင်းမှကာကွယ်ပေးပါသည်။
IGBT ဆိုတာဘာလဲ။
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) သည် ထရန်စစ္စတာနှင့် MOSFET တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။
IGBT ၏ circuit သင်္ကေတများကို မပေါင်းစည်းနိုင်သေးပါ။schematic diagram ကိုဆွဲသောအခါ၊ triode နှင့် MOSFET သင်္ကေတများကို ယေဘုယျအားဖြင့် ချေးယူကြသည်။ဤအချိန်တွင်၊ ဇယားကွက်ပေါ်တွင် အမှတ်အသားပြုထားသော မော်ဒယ်မှ IGBT သို့မဟုတ် MOSFET လားဟု သင်ဆုံးဖြတ်နိုင်ပါသည်။
တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ IGBT တွင် body diode ရှိမရှိကိုလည်း ဂရုပြုသင့်သည်။ပုံပေါ်တွင် အမှတ်အသားမရှိပါက ၎င်းသည် မရှိဟု မဆိုလိုပါ။တရားဝင်အချက်အလက်များတွင် အခြားနည်းဖြင့်ဖော်ပြထားခြင်းမရှိပါက၊ ဤဒိုင်အိုဒမှာ ရှိနေပါသည်။IGBT အတွင်းရှိ ကိုယ်ထည်ဒိုင်အိုဒသည် ကပ်ပါးမဟုတ်သော်လည်း IGBT ၏ ပျက်စီးလွယ်သော ပြောင်းပြန်ဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို ကာကွယ်ရန်အတွက် အထူးတပ်ဆင်ထားသည်။FWD (freewheeling diode) လို့လည်း ခေါ်ပါတယ်။
ဒီနှစ်ခုရဲ့ အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံက မတူပါဘူး။
MOSFET ၏ တိုင်သုံးလုံးမှာ အရင်းအမြစ် (S)၊ မြောင်း (D) နှင့် ဂိတ် (G) တို့ဖြစ်သည်။
IGBT ၏ တိုင်သုံးလုံးမှာ စုဆောင်းသူ (C)၊ ထုတ်လွှတ်သူ (E) နှင့် ဂိတ် (G) တို့ဖြစ်သည်။
IGBT တစ်ခုအား MOSFET ၏ မြောင်းထဲသို့ အပိုအလွှာတစ်ခု ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် တည်ဆောက်ထားသည်။၎င်းတို့၏ အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
လျှောက်လွှာနယ်ပယ်နှစ်ခု၏ ကွဲပြားသည်။
MOSFET နှင့် IGBT တို့၏ အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံများသည် ကွဲပြားပြီး ၎င်းတို့၏ လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။
MOSFET ၏ဖွဲ့စည်းပုံကြောင့်၊ ၎င်းသည် KA သို့ရောက်ရှိနိုင်သည့် ကြီးမားသောလျှပ်စီးကြောင်းကို ရရှိနိုင်သော်လည်း ကြိုတင်လိုအပ်သောဗို့အားခံနိုင်ရည်မှာ IGBT လောက်မပြင်းထန်ပါ။၎င်း၏အဓိကအသုံးချဧရိယာများမှာ ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ ballast များ၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် induction အပူပေးခြင်း၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် အင်ဗာတာ ဂဟေဆော်စက်များ၊ ဆက်သွယ်ရေး ပါဝါထောက်ပံ့မှုများနှင့် အခြားသော ကြိမ်နှုန်းမြင့် ပါဝါထောက်ပံ့ရေးနယ်ပယ်များဖြစ်သည်။
IGBT သည် ပါဝါ၊ လျှပ်စီးနှင့် ဗို့အား အများအပြားကို ထုတ်လုပ်နိုင်သော်လည်း ကြိမ်နှုန်းမှာ အလွန်မြင့်မားသည်။လက်ရှိတွင် IGBT ၏ hard switching speed သည် 100KHZ သို့ရောက်ရှိနိုင်သည်။IGBT ကို ဂဟေစက်များ၊ အင်ဗာတာများ၊ ကြိမ်နှုန်းပြောင်းစက်များ၊ လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားထောက်ပံ့မှု၊
MOSFET နှင့် IGBT ၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်များ
MOSFET တွင် မြင့်မားသော input impedance၊ လျင်မြန်သော switching speed၊ ကောင်းမွန်သော thermal stability၊ voltage control current စသည်တို့၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ ပါရှိသည်။ ဆားကစ်တွင်၊ ၎င်းကို အသံချဲ့စက်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်နှင့် အခြားရည်ရွယ်ချက်များအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။
အီလက်ထရွန်းနစ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ အမျိုးအစားသစ်တစ်ခုအနေဖြင့် IGBT တွင် မြင့်မားသော input impedance၊ ဗို့အားနည်းသော ထိန်းချုပ်မှုပါဝါစားသုံးမှု၊ ရိုးရှင်းသော ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်း၊ ဗို့အားမြင့်ခံနိုင်ရည်နှင့် ကြီးမားသော လက်ရှိသည်းခံနိုင်မှုတို့ ပါဝင်ပြီး အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ်ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုလျက်ရှိသည်။
IGBT ၏ စံပြညီမျှသော circuit ကို အောက်ပါပုံတွင် ပြထားသည်။IGBT သည် အမှန်တကယ်တွင် MOSFET နှင့် transistor ပေါင်းစပ်မှုဖြစ်သည်။MOSFET တွင် ခံနိုင်ရည်အား မြင့်မားသော်လည်း IGBT သည် ဤချို့ယွင်းချက်ကို ကျော်လွှားသည်။IGBT သည် မြင့်မားသောဗို့အားတွင် ခုခံမှုနည်းနေသေးသည်။.
ယေဘူယျအားဖြင့်၊ MOSFET ၏အားသာချက်မှာ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောလက္ခဏာများရှိပြီး ကြိမ်နှုန်းရာပေါင်းများစွာ kHz နှင့် MHz အထိ လည်ပတ်နိုင်သောကြောင့်ဖြစ်သည်။အားနည်းချက်မှာ on-resistance ကြီးမားပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှုသည် ဗို့အားမြင့်ခြင်းနှင့် လက်ရှိအခြေအနေများတွင် ကြီးမားသောကြောင့်ဖြစ်သည်။IGBT သည် သေးငယ်သော ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဗို့အားခံနိုင်ရည်မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းနိမ့်နှင့် ပါဝါမြင့်မားသော အခြေအနေများတွင် ကောင်းစွာလုပ်ဆောင်သည်။
MOSFET သို့မဟုတ် IGBT ကိုရွေးချယ်ပါ။
ဆားကစ်တွင် MOSFET အား power switch tube သို့မဟုတ် IGBT အဖြစ် ရွေးချယ်ရန်မှာ အင်ဂျင်နီယာများ မကြာခဏ ကြုံတွေ့ရသော မေးခွန်းတစ်ခု ဖြစ်သည်။စနစ်၏ဗို့အား၊ လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် switching power ကဲ့သို့သော အကြောင်းရင်းများကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါက၊ အောက်ပါအချက်များကို အကျဉ်းချုပ်နိုင်သည်-
လူတွေက "MOSFET ဒါမှမဟုတ် IGBT ပိုကောင်းလား" လို့ မေးလေ့ရှိပါတယ်။တကယ်တော့ ဒီနှစ်ခုကြားမှာ ကောင်းခြင်း ဆိုးခြင်း ကွာခြားခြင်းမရှိပါဘူး။အရေးကြီးဆုံးက သူ့ရဲ့ လက်တွေ့အသုံးချပုံကို ကြည့်ဖို့ပါပဲ။
MOSFET နှင့် IGBT အကြား ခြားနားချက်နှင့်ပတ်သက်၍ သင့်တွင် မေးခွန်းများရှိနေသေးပါက၊ အသေးစိတ်အတွက် Olukey သို့ ဆက်သွယ်နိုင်ပါသည်။
Olukey သည် WINSOK အလယ်အလတ်နှင့် ဗို့အားနိမ့် MOSFET ထုတ်ကုန်များကို အဓိကအားဖြင့် ဖြန့်ဖြူးပါသည်။ထုတ်ကုန်များကို စစ်တပ်စက်မှုလုပ်ငန်း၊ LED/LCD ဒရိုင်ဘာဘုတ်များ၊ မော်တာဒရိုင်ဘာဘုတ်များ၊ အမြန်အားသွင်းခြင်း၊ အီလက်ထရွန်းနစ်စီးကရက်များ၊ LCD မော်နီတာများ၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ အသေးစားအိမ်သုံးပစ္စည်းများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာထုတ်ကုန်များနှင့် Bluetooth ထုတ်ကုန်များတွင် အသုံးများပါသည်။အီလက်ထရွန်းနစ်အကြေးခွံများ၊ ယာဉ်အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ကွန်ရက်ထုတ်ကုန်များ၊ အိမ်သုံးပစ္စည်းများ၊ ကွန်ပျူတာအရံအတားများနှင့် အမျိုးမျိုးသော ဒစ်ဂျစ်တယ်ထုတ်ကုန်များ။
စာတင်ချိန်- ဒီဇင်ဘာ-၁၈-၂၀၂၃
