Positive channel Metal Oxide Semiconductor ဟုလူသိများသော PMOSFET သည် အထူး MOSFET အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ အောက်ပါတို့သည် PMOSFETs ၏အသေးစိတ်ရှင်းပြချက်ဖြစ်သည် ။
I. အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံနှင့် လုပ်ဆောင်မှုနိယာမ
1. အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံ
PMOSFET များတွင် n-type substrates နှင့် p-channels များပါရှိပြီး ၎င်းတို့၏ဖွဲ့စည်းပုံမှာ အဓိကအားဖြင့် gate (G)၊ source (S) နှင့် drain (D) တို့ ပါဝင်ပါသည်။ n-type ဆီလီကွန်အလွှာတွင်၊ အရင်းအမြစ်နှင့် ယိုစီးမှုအဖြစ် အသီးသီးလုပ်ဆောင်သော P+ ဒေသနှစ်ခုရှိပြီး ၎င်းတို့သည် p-channel မှတဆင့် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဂိတ်သည် ချန်နယ်အထက်တွင် တည်ရှိပြီး ချန်နယ်မှ သတ္တုအောက်ဆိုဒ် လျှပ်ကာအလွှာဖြင့် ခွဲထားသည်။
2. လည်ပတ်မှုအခြေခံမူများ
PMOSFETs များသည် NMOSFET များနှင့် ဆင်တူသော်လည်း ဆန့်ကျင်ဘက် သယ်ဆောင်သူ အမျိုးအစားများဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။ PMOSFET တွင် အဓိက သယ်ဆောင်သူများသည် အပေါက်များဖြစ်သည်။ အရင်းအမြစ်နှင့်စပ်လျဉ်း၍ ဂိတ်ပေါက်သို့ အနှုတ်ဗို့အားကို သက်ရောက်သောအခါ၊ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကို ဆက်သွယ်သည့် ကတုတ်ကျင်းအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည့် ဂိတ်အောက်ရှိ p-type ပြောင်းပြန်အလွှာကို တံခါးအောက်ရှိ n-type ဆီလီကွန်၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဂိတ်ဗို့အား ပြောင်းလဲခြင်းသည် ချန်နယ်ရှိ အပေါက်များ၏ သိပ်သည်းဆကို ပြောင်းလဲစေပြီး ချန်နယ်၏ conductivity ကို ထိန်းချုပ်သည်။ ဂိတ်ဗို့အား လုံလောက်စွာနိမ့်သောအခါ၊ လမ်းကြောင်းရှိ အပေါက်များ၏ သိပ်သည်းဆသည် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားတွင် စီးဆင်းမှုကို ခွင့်ပြုရန် မြင့်မားသောအဆင့်သို့ ရောက်ရှိသည်။ အပြန်အလှန်အားဖြင့် ချန်နယ်ကို ဖြတ်တောက်သည်။
II လက္ခဏာများနှင့် အသုံးချမှုများ
1. လက္ခဏာများ
ရွေ့လျားနိုင်မှုနည်းခြင်း- P-channel MOS ထရန်စစ္စတာများသည် အပေါက်ရွေ့လျားနိုင်မှုအတော်လေးနည်းသောကြောင့် PMOS ထရန်စစ္စတာများ၏ transconductance သည် တူညီသောဂျီသြမေတြီနှင့် လည်ပတ်ဗို့အားအောက်တွင် NMOS ထရန်စစ္စတာများထက် သေးငယ်သည်။
မြန်နှုန်းနိမ့်၊ ကြိမ်နှုန်းနိမ့် အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်သည်- ရွေ့လျားနိုင်မှု နည်းပါးခြင်းကြောင့် PMOS ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များသည် မြန်နှုန်းနိမ့်၊ ကြိမ်နှုန်းနိမ့်သော ဧရိယာများရှိ အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။
သယ်ဆောင်မှုအခြေအနေများ- PMOSFET များ၏ conduction အခြေအနေများသည် NMOSFET များနှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်ပြီး အရင်းအမြစ်ဗို့အားထက် gate ဗို့အား လိုအပ်ပါသည်။
- အသုံးချမှု
High Side Switching- PMOSFET များကို ပုံမှန်အားဖြင့် အရင်းအမြစ်သည် အပြုသဘောဆောင်သော ထောက်ပံ့ရေးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားရာ မြင့်မားသောဘေးထွက်ပြောင်းခြင်းပုံစံများတွင် အသုံးပြုကြပြီး မြောင်းအား ဝန်၏အပြုသဘောဆောင်သည့်အဆုံးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ PMOSFET လည်ပတ်သောအခါ၊ ၎င်းသည် load ၏အပြုသဘောဆောင်သောအဆုံးကိုအပြုသဘောဆောင်သောထောက်ပံ့ရေးနှင့်ချိတ်ဆက်ပြီးလက်ရှိဝန်မှတဆင့်စီးဆင်းရန်ခွင့်ပြုသည်။ ဤဖွဲ့စည်းပုံသည် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် မော်တာဒရိုက်များကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် အလွန်အဖြစ်များပါသည်။
Reverse Protection Circuits- PMOSFETs များကို reverse power supply သို့မဟုတ် load current backflow ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော circuit ကို ပျက်စီးမှုမှ ကာကွယ်ရန် PMOSFET များကို နောက်ပြန်အကာအကွယ် circuit များတွင်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
III ဒီဇိုင်းနှင့်ထည့်သွင်းစဉ်းစား
1. GATE voltage ထိန်းချုပ်မှု
PMOSFET ဆားကစ်များကို ဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ၊ မှန်ကန်သောလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန် gate voltage ၏တိကျသောထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်ပါသည်။ PMOSFET များ၏ conduction အခြေအနေများသည် NMOSFETs များနှင့်ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သောကြောင့်၊ gate voltage ၏ polarity နှင့် magnitude ကိုအာရုံစိုက်ရန်လိုအပ်သည်။
2. ချိတ်ဆက်မှုကို တင်ပါ။
ဝန်ကိုချိတ်ဆက်သည့်အခါ၊ PMOSFET မှတဆင့်လက်ရှိစီးဆင်းမှုနှင့်ဗို့အားကျဆင်းမှု၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုစသည်တို့ကဲ့သို့သော PMOSFET ၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်ဝန်၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုသေချာစေရန်ဝန်၏ polarity ကိုအာရုံစိုက်ရန်လိုအပ်သည်။ ၊ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။
3. အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု
PMOSFET များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် အပူချိန်ကြောင့် များစွာသက်ရောက်မှုရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် PMOSFETs များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အပူချိန်သက်ရောက်မှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ပြီး ဆားကစ်များ၏ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် သက်ဆိုင်ရာ အစီအမံများကို လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
4. ကာကွယ်မှုဆားကစ်များ
လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း PMOSFET များသည် overcurrent နှင့် overvoltage ကြောင့် ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်အတွက်၊ overcurrent protection နှင့် overvoltage protection ကဲ့သို့သော protection circuit များကို circuit တွင် တပ်ဆင်ထားရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဤအကာအကွယ်ဆားကစ်များသည် PMOSFET ကို ထိထိရောက်ရောက်ကာကွယ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်နိုင်သည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် PMOSFET သည် အထူးဖွဲ့စည်းပုံနှင့် လုပ်ငန်းဆောင်တာသဘောတရားပါရှိသော MOSFET အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ ရွေ့လျားနိုင်မှု နည်းပါးခြင်းနှင့် မြန်နှုန်းနိမ့်၊ ကြိမ်နှုန်းနိမ့် အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်မှုတို့က ၎င်းကို သီးခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးချနိုင်စေသည်။ PMOSFET ဆားကစ်များကို ဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ၊ ဆားကစ်၏ သင့်လျော်သောလည်ပတ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသေချာစေရန် ဂိတ်ဗို့အားထိန်းချုပ်မှု၊ ဝန်ချိတ်ဆက်မှုများ၊ အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ကာကွယ်မှုဆားကစ်များကို အာရုံစိုက်ရန် လိုအပ်သည်။
တင်ချိန်- စက်တင်ဘာ-၁၅-၂၀၂၄
