switching power supply သို့မဟုတ် motor drive circuit ကို ဒီဇိုင်းဆွဲသောအခါတွင် အသုံးပြုသည်။MOSFETs၊ MOS ၏ on-resistance၊ အမြင့်ဆုံးဗို့အားနှင့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းကဲ့သို့သော အကြောင်းရင်းများကို ယေဘူယျအားဖြင့် ထည့်သွင်းစဉ်းစားသည်။
MOSFET ပြွန်များသည် မြှင့်တင်မှု သို့မဟုတ် လျော့နည်းခြင်း အမျိုးအစား၊ P-channel သို့မဟုတ် N-channel အဖြစ် တီထွင်ဖန်တီးနိုင်သော FET အမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။ မြှင့်တင်ရေး NMOSFETs နှင့် မြှင့်တင်ရေး PMOSFETs များကို ယေဘူယျအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး ဤနှစ်ခုကို အများအားဖြင့် ဖော်ပြကြသည်။
ဒီနှစ်ခုကို ပိုအသုံးများတာကတော့ NMOS ဖြစ်ပါတယ်။ အကြောင်းရင်းမှာ conductive resistance သည် သေးငယ်ပြီး ထုတ်လုပ်ရလွယ်ကူသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် NMOS ကို power supply နှင့် motor drive applications များတွင် switching လုပ်လေ့ရှိသည်။
MOSFET အတွင်းတွင်၊ မော်တာကဲ့သို့သော inductive loads များကိုမောင်းနှင်ရာတွင် အလွန်အရေးကြီးသော thyristor ကို မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်ကြားတွင် ထားရှိထားပြီး အများအားဖြင့် ပေါင်းစပ် circuit ချစ်ပ်တစ်ခုတွင်မဟုတ်ဘဲ MOSFET တစ်ခုတည်းတွင်သာ ရှိနေပါသည်။
Parasitic capacitance သည် ကျွန်ုပ်တို့ မလိုအပ်ဘဲ MOSFET ၏ ပင်နံပါတ် (၃) ခုကြားတွင် ရှိနေသည်၊ သို့သော် ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်၏ ကန့်သတ်ချက်များကြောင့် ဖြစ်သည်။ parasitic capacitance သည် driver circuit တစ်ခုကို ဒီဇိုင်းဆွဲခြင်း သို့မဟုတ် ရွေးချယ်ရာတွင် ပိုမိုခက်ခဲစေသော်လည်း ၎င်းကို ရှောင်လွှဲ၍မရပါ။
၏အဓိကဘောင်များMOSFET
1၊ ဗို့အား VT ကိုဖွင့်ပါ။
အဖွင့်ဗို့အား (တံခါးခုံဗို့အားဟုလည်းခေါ်သည်) : အရင်းအမြစ် S နှင့် D အကြားလျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းတစ်ခုစတင်ဖွဲ့စည်းရန်အတွက် ဂိတ်ဗို့အား လိုအပ်သော၊ စံ N-channel MOSFET, VT သည် 3 ~ 6V ခန့်; လုပ်ငန်းစဉ်တိုးတက်မှုများမှတဆင့် MOSFET VT တန်ဖိုးကို 2 ~ 3V သို့လျှော့ချနိုင်သည်။
2, DC input ကိုခုခံ RGS
gate source pole နှင့် gate current အကြား ပေါင်းထည့်ထားသော ဗို့အားအချိုးသည် ဤလက္ခဏာကို တစ်ခါတစ်ရံတွင် ဂိတ်ပေါက်မှတဆင့်စီးဆင်းသော gate current ဖြင့်ဖော်ပြသည်၊၊ MOSFET ၏ RGS သည် 1010Ω အလွယ်တကူကျော်လွန်နိုင်သည်။
3. Drain အရင်းအမြစ်ပြိုကွဲ BVDS ဗို့အား။
VGS = 0 (အဆင့်မြှင့်ပြီး)၊ မြောင်း-ရင်းမြစ်ဗို့အား တိုးမြှင့်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် VDS ကို မြောင်း-ရင်းမြစ်ပြိုကွဲဗို့အား BVDS ဟုခေါ်သောအခါ ID သည် သိသိသာသာတိုးလာသည်၊ အကြောင်းရင်းနှစ်ရပ်ကြောင့် ID သည် သိသိသာသာတိုးလာသည်- (၁) နှင်းပြိုခြင်း၊ မြောင်းအနီးရှိ depletion layer ပြိုကွဲခြင်း၊ (၂) မြောင်းနှင့် ရင်းမြစ်ဝင်ရိုးစွန်းများကြား ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မှု ပြိုကွဲခြင်း၊ တိုတောင်းသော ကတုတ်ကျင်းအရှည်ရှိသည့် MOSFET အချို့သည် VDS ကို တိုးမြင့်စေခြင်းဖြင့် မြောင်းဒေသရှိ မြောင်းအလွှာကို အရင်းအမြစ်ဒေသအထိ ချဲ့ထွင်ခြင်း၊ Channel length သည် သုညဖြစ်စေသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ မြောင်း-ရင်းမြစ်ထိုးဖောက်မှု၊ ထိုးဖောက်မှုထုတ်လုပ်ရန်၊ အရင်းအမြစ်ဒေသရှိ သယ်ဆောင်သူအများစုသည် depletion layer ၏လျှပ်စစ်စက်ကွင်းမှ drain region သို့ ကြီးမားသော ID ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်၊ .
4၊ ဂိတ်ရင်းမြစ်ပြိုကွဲဗို့အား BVGS
ဂိတ်ဗို့အား တိုးလာသောအခါ IG ကို သုညမှ တိုးလာသောအခါ VGS ကို gate source breakdown voltage BVGS ဟုခေါ်သည်။
5၊ကြိမ်နှုန်းနည်းသော transconductance
VDS သည် ပုံသေတန်ဖိုးဖြစ်သောအခါ၊ ပြောင်းလဲမှုဖြစ်စေသော gate source voltage ၏ microvariation နှင့် drain current ၏ microvariation အချိုးကို transconductance ဟုခေါ်သည်၊ ၎င်းသည် gate source voltage ၏ စွမ်းရည်ကို ထင်ဟပ်စေကာ drain current ကို ထိန်းချုပ်ရန်၊ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို ဖော်ပြသော အရေးကြီးသော ကန့်သတ်ချက်MOSFET.
6၊ on-resistance RON
On-resistance RON သည် ID ပေါ်ရှိ VDS ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုပြသသည်၊ သည်တစ်ချိန်တည်းတွင် Drain ဝိသေသလက္ခဏာများ၏ tangent မျဉ်း၏လျှောစောက်၏ပြောင်းပြန်ဖြစ်ပြီး၊ saturation ဒေသတွင် ID သည် VDS နှင့်မပြောင်းလဲသလောက်ဖြစ်သည်၊ RON သည်အလွန်ကြီးမားသည်။ တန်ဖိုး၊ ယေဘုယျအားဖြင့် ကီလို-Ohm ဆယ်ဂဏန်းမှ ရာနှင့်ချီသော ကီလို-Ohms များတွင်၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များတွင် MOSFET များသည် conductive VDS = 0 ၏အခြေအနေတွင် မကြာခဏအလုပ်လုပ်သောကြောင့် ဤအချက်တွင်၊ on-resistance RON ကို ခန့်မှန်းနိုင်သည်။ အနီးစပ်ဆုံးအားဖြင့် RON ၏မူလအစ၊ ယေဘုယျ MOSFET၊ RON တန်ဖိုးသည် ohms ရာဂဏန်းအတွင်းဖြစ်သည်။
7၊ inter-polar capacitance
လျှပ်ကူးပစ္စည်း သုံးခုကြားတွင် အပြန်အလှန်ဝင်ရိုးစွန်း စွမ်းရည် တည်ရှိသည်- ဂိတ်ရင်းမြစ် စွမ်းရည် CGS၊ ဂိတ်ပေါက် လျှပ်စီးကြောင်း စွမ်းရည် CGD နှင့် လျှပ်စီးကြောင်း အရင်းအမြစ် စွမ်းဆောင်ရည် CDS-CGS နှင့် CGD သည် 1~3pF ခန့်၊ CDS သည် 0.1 ~ 1pF ခန့် ဖြစ်သည်။
8၊ကြိမ်နှုန်းနည်းသော ဆူညံသံအချက်
ဆူညံသံသည် ပိုက်လိုင်းအတွင်းရှိ သယ်ဆောင်သူများ ရွေ့လျားမှု မမှန်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ရှိနေခြင်းကြောင့်၊ ပုံမှန်မဟုတ်သော ဗို့အား သို့မဟုတ် လက်ရှိပြောင်းလဲမှုများသည် အသံချဲ့စက်မှ ပေးပို့သည့် အချက်ပြခြင်းမရှိသော်လည်း အထွက်တွင် ဖြစ်ပေါ်ပါသည်။ ဆူညံသံစွမ်းဆောင်ရည်ကို အများအားဖြင့် noise factor NF တွင် ဖော်ပြသည်။ ယူနစ်မှာ decibel (dB) ဖြစ်သည်။ တန်ဖိုးနည်းလေ လေပြွန်က ဆူညံသံနည်းလေလေပါပဲ။ low-frequency noise factor သည် low-frequency range တွင်တိုင်းတာထားသော noise factor ဖြစ်သည်။ Field Effect Tube ၏ ဆူညံမှုအချက်မှာ bipolar triode ထက် အနည်းငယ် dB ခန့် ရှိသည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီ ၂၄-၂၀၂၄
