MOSFETsတွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ ယခုအခါ အချို့သော အကြီးစားပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကို MOSFET၊ အခြေခံလုပ်ဆောင်ချက်နှင့် BJT ထရန်စစ္စတာအား ကူးပြောင်းခြင်းနှင့် ချဲ့ထွင်ခြင်းတို့ကို အသုံးပြုကြသည်။ အခြေခံအားဖြင့် BJT triode ကို အသုံးပြုနိုင်ပြီး အချို့နေရာများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်သည် triode ထက် ပိုကောင်းပါသည်။
MOSFET ၏ချဲ့ထွင်မှု
MOSFET နှင့် BJT triode နှစ်ခုစလုံးသည် semiconductor amplifier device ဖြစ်သော်လည်း၊ input signal ကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်းကဲ့သို့သော triode ထက် အားသာချက်များ၊ input signal ၏ တည်ငြိမ်မှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေသည့် လျှပ်စီးကြောင်းမရှိသလောက်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် input stage amplifier တစ်ခုအဖြစ် စံပြကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ဆူညံသံနည်းပါးပြီး အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၏ အားသာချက်များရှိသည်။ အသံချဲ့ထွင်မှု ဆားကစ်များအတွက် အကြိုအသံချဲ့စက်အဖြစ် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ သို့သော်၊ ၎င်းသည် ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော လက်ရှိကိရိယာဖြစ်သောကြောင့်၊ ဂိတ်ရင်းမြစ်ကြားရှိ ဗို့အားဖြင့် စီးဆင်းနေသော Drain current ကို ထိန်းချုပ်ထားသောကြောင့် ကြိမ်နှုန်းနိမ့် transconductance ၏ ချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းမှာ ယေဘုယျအားဖြင့် မကြီးမားသောကြောင့် ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းမှာ ညံ့ဖျင်းပါသည်။
MOSFET ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုပြောင်းခြင်း။
MOSFET သည် အီလက်ထရွန်နစ်ခလုတ်တစ်ခုအဖြစ်အသုံးပြုသော polyon လျှပ်ကူးနိုင်မှုအပေါ်သာမှီခိုသောကြောင့် BJT triode ကဲ့သို့သော base current နှင့် charge storage effect ကြောင့် MOSFET ၏ switching speed သည် triode ထက်ပိုမိုမြန်ဆန်သည်၊ switching tube အဖြစ်၊ အလုပ်၏ ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော လက်ရှိအခြေအနေတွင် MOSFET တွင်အသုံးပြုသည့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုများကို ကူးပြောင်းခြင်းကဲ့သို့သော ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော လက်ရှိအချိန်အခါများတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ BJT triode ခလုတ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOSFET ခလုတ်များသည် သေးငယ်သော ဗို့အားများနှင့် လျှပ်စီးကြောင်းများတွင် လည်ပတ်နိုင်ပြီး ဆီလီကွန် wafers များတွင် ပေါင်းစည်းရန် ပိုမိုလွယ်ကူသောကြောင့် ၎င်းတို့ကို အကြီးစား ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။
အသုံးပြုတဲ့အခါ ဘယ်လိုသတိထားရမလဲMOSFETs?
MOSFET များသည် triodes များထက်ပိုမိုသိမ်မွေ့ပြီး သင့်လျော်စွာအသုံးပြုခြင်းကြောင့် အလွယ်တကူပျက်စီးနိုင်သောကြောင့် ၎င်းတို့ကိုအသုံးပြုသည့်အခါ အထူးဂရုစိုက်သင့်သည်။
(၁) မတူညီသောအသုံးပြုမှုအချိန်များအတွက် သင့်လျော်သော MOSFET အမျိုးအစားကို ရွေးချယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။
(2) MOSFET များ အထူးသဖြင့် insulated-gate MOSFET များသည် မြင့်မားသော input impedance ရှိပြီး gate inductance charge ကြောင့် ပြွန်ကိုပျက်စီးခြင်းမှရှောင်ရှားရန် အသုံးမပြုသည့်အခါ electrode တစ်ခုစီသို့ အတိုချုံးထားသင့်သည်။
(၃) လမ်းဆုံ MOSFET များ၏ ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အားကို ပြောင်းပြန်လှန်၍မရသော်လည်း အဖွင့်ပတ်လမ်းအခြေအနေတွင် သိမ်းဆည်းနိုင်သည်။
(၄) MOSFET ၏ မြင့်မားသော input impedance ကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက်၊ tube ကို အစိုဓာတ်မှ ကာကွယ်ပြီး အသုံးပြုသည့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ခြောက်သွေ့နေသင့်သည်။
(၅) အားသွင်းထားသည့်အရာများ (ဥပမာ-သံဂဟေ၊ စမ်းသပ်ကိရိယာများ စသည်တို့) သည် MOSFET နှင့် ထိတွေ့ရာတွင် ပြွန်ပျက်စီးမှုမဖြစ်စေရန် မြေစိုက်ထားရန် လိုအပ်သည်။ အထူး သဖြင့် ဂဟေဆော်သည့် တံခါးကို MOSFET ၏ရင်းမြစ်အရ - ဂိတ်၏ ဆင့်ကဲအစီအစဥ်အရ ပါဝါပိတ်ပြီးနောက် ဂဟေဆက်ခြင်းသည် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ ဂဟေသံ၏ပါဝါသည် 15 ~ 30W သို့သင့်လျော်သည်၊ ဂဟေချိန်သည် 10 စက္ကန့်ထက်မပိုသင့်ပါ။
(၆) လျှပ်ကာတံခါး MOSFET ကို multimeter ဖြင့် စမ်းသပ်၍မရပါ၊ စမ်းသပ်သူဖြင့်သာ စမ်းသပ်နိုင်ပြီး လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ တိုတောင်းသော ဝိုင်ယာကြိုးများကို ဖယ်ရှားရန် tester သို့ ဝင်ရောက်ပြီးမှသာ စမ်းသပ်နိုင်သည်။ ဖယ်ရှားသည့်အခါ၊ ဂိတ်လွန်ကဲမှုကို ရှောင်ရှားရန် ဖယ်ရှားခြင်းမပြုမီ လျှပ်ကူးပစ္စည်းအား ဖြတ်တောက်ရန် လိုအပ်သည်။
(၇) သုံးတဲ့အခါMOSFETssubstrate leads တွေနဲ့၊ substrate leads တွေကို မှန်ကန်စွာ ချိတ်ဆက်ထားသင့်ပါတယ်။
တင်ချိန်- ဧပြီလ ၂၃-၂၀၂၄
