MOSFET နှင့် Triode တို့သည် အလွန်အသုံးများသော အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး နှစ်ခုလုံးကို အီလက်ထရွန်းနစ် ခလုတ်များအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ခလုတ်များအသုံးပြုမှုကို လဲလှယ်ရာတွင်လည်း အသုံးပြုရန် ခလုတ်အဖြစ်၊MOSFETနှင့် Triode တွင်တူညီမှုများများစွာရှိသည်၊ ကွဲပြားခြားနားသောနေရာများလည်းရှိသည်၊ ထို့ကြောင့်နှစ်ခုကိုမည်သို့ရွေးချယ်သင့်သနည်း။
Triode တွင် NPN အမျိုးအစားနှင့် PNP အမျိုးအစားရှိသည်။ MOSFET တွင် N-channel နှင့် P-channel ပါရှိသည်။ MOSFET ၏ ပင်နံပါတ်သုံးချောင်းမှာ gate G၊ D နှင့် source S ဖြစ်ပြီး၊ Triode ၏ pin သုံးခုမှာ base B၊ collector C နှင့် emitter E ဖြစ်သည်။ MOSFET နှင့် Triode အကြားကွာခြားချက်ကဘာလဲ။
N-MOSFET နှင့် NPN Triode ကို switching နိယာမအဖြစ်အသုံးပြုသည်။
(1) မတူညီသော ထိန်းချုပ်မှုမုဒ်
Triode သည် လက်ရှိ အမျိုးအစား ထိန်းချုပ်မှု အစိတ်အပိုင်း တစ်ခု ဖြစ်ပြီး MOSFET သည် ဗို့အား ထိန်းချုပ်မှု အစိတ်အပိုင်း တစ်ခု ဖြစ်ပြီး၊ ထိန်းချုပ် ဘက်ခြမ်း ၏ အဝင်ဗို့အား လိုအပ်ချက်များ တွင် Triode သည် အတော်လေး နည်းပါး သည်၊ ယေဘုယျ အားဖြင့် 0.4V မှ 0.6V သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော Triode ကို အခြေခံ ကန့်သတ်ချက်ကို ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့်၊ လက်ရှိ resistor သည် base current ကိုပြောင်းလဲနိုင်သည်။ MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားပြီး၊ conduction အတွက်လိုအပ်သောဗို့အားမှာ အများအားဖြင့် 4V မှ 10V ခန့်ဖြစ်ပြီး saturation သို့ရောက်ရှိသောအခါ လိုအပ်သောဗို့အားမှာ 6V မှ 10V ခန့်ဖြစ်သည်။ နိမ့်သောဗို့အားအချိန်များတွင်ထိန်းချုပ်မှုတွင်၊ Triode အား ခလုတ်တစ်ခုအဖြစ် သို့မဟုတ် Triode ကို ကြားခံထိန်းချုပ်မှု MOSFET အဖြစ်၊ Microcontrollers၊ DSP၊ PowerPC နှင့် အခြားသောပရိုဆက်ဆာ I/O port ဗို့အား နည်းပါးသည်၊ 3.3V သို့မဟုတ် 2.5V သာရှိသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့် တိုက်ရိုက်ထိန်းချုပ်နိုင်မည်မဟုတ်ပေ။MOSFET, အနိမ့်ဗို့အား, MOSFET ၏ conduction သို့မဟုတ်ပြည်တွင်းရေးခုခံမဖြစ်နိုင်, ဤကိစ္စတွင်ခုနှစ်, Triode ထိန်းချုပ်မှုကိုအများအားဖြင့်အသုံးပြုသည်။
(၂) မတူညီသော input impedance
Triode ၏ input impedance သည် သေးငယ်သည်၊ MOSFET ၏ input impedance သည် ကြီးမားသည်၊ junction capacitance သည် ကွဲပြားသည်၊ Triode ၏ junction capacitance သည် MOSFET ထက် ပိုကြီးသည်၊၊ MOSFET တွင် လုပ်ဆောင်မှုသည် Triode ထက် ပိုမြန်သည်၊MOSFETတည်ငြိမ်မှု ပိုကောင်းတာက Multi conductor က သေးငယ်တဲ့ ဆူညံသံနဲ့ thermal stability က ပိုကောင်းပါတယ်။
MOSFET ၏အတွင်းပိုင်းခံနိုင်ရည်သည် အလွန်သေးငယ်ပြီး Triode ၏အခြေအနေတွင် ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် အမြဲမပြတ်ဖြစ်နေကာ၊ သေးငယ်သောလက်ရှိအချိန်များတွင် ယေဘူယျအားဖြင့် Triode ကိုအသုံးပြုကြပြီး အတွင်းပိုင်းခုခံမှုအလွန်သေးငယ်သော်လည်း MOSFET ကိုအသုံးပြုသော်လည်း လျှပ်စီးကြောင်းကြီးသည်၊ ဗို့အားကျဆင်းမှုလည်းရှိသည်။ အလွန်ကြီးမားသည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီ ၂၄-၂၀၂၄
