မံ ဝါMOSFETsswitching state တွင် လည်ပတ်နေပြီး ပြွန်များမှတဆင့် စီးဆင်းနေသော current သည် အလွန်မြင့်မားသည်။ ပြွန်ကို ကောင်းစွာမရွေးချယ်ပါက၊ မောင်းနှင်သည့်ဗို့အားပမာဏသည် လုံလောက်မှုမရှိပါက သို့မဟုတ် circuit heat dissipation မကောင်းပါက၊ ၎င်းသည် MOSFET ကို အပူတက်လာစေနိုင်သည်။
1၊ အင်ဗာတာ MOSFET အပူပေးခြင်းသည် ပြင်းထန်သည်၊ MOSFET ရွေးချယ်မှုကို အာရုံစိုက်သင့်သည်။
ကူးပြောင်းသည့်အခြေအနေရှိ အင်ဗာတာတွင် MOSFET သည် ယေဘူယျအားဖြင့် ၎င်း၏ ယိုစီးမှုအား တတ်နိုင်သမျှ ကြီးမားသော၊ တတ်နိုင်သမျှ သေးငယ်သော ခုခံမှု လိုအပ်သည်၊ ၎င်းသည် ပြွန်၏ ရွှဲဗို့အားကျဆင်းမှုကို လျှော့ချပေးနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် စားသုံးမှုမှစပြီး ပြွန်ကို လျှော့ချနိုင်ပြီး အပူကို လျှော့ချနိုင်သည်။
MOSFET လက်စွဲကိုစစ်ဆေးပါ၊ MOSFET ၏ခံနိုင်ရည်အားမြင့်မားလေ၊ ၎င်း၏ခံနိုင်ရည်အားပိုကြီးလေ၊ နှင့်ပြွန်၏လျှပ်စီးကြောင်းမြင့်မားသော၊ နိမ့်သောဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့သည် ယေဘုယျအားဖြင့်၎င်း၏ခံနိုင်ရည်မှာ ဆယ်ဂဏန်းအောက်ရောက်နေသည်ကိုတွေ့ရှိရမည်ဖြစ်ပါသည်။ milliohms
5A ၏ load current ဟုယူဆပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသုံးများသော MOSFET RU75N08R နှင့် ဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိသော 500V 840 ဖြစ်နိုင်သည်၊ ၎င်းတို့၏ drain current သည် 5A သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပို၍ရှိသော်လည်း ပြွန်နှစ်ခု၏ ခံနိုင်ရည်မှာ ကွဲပြားသည်၊ တူညီသောလက်ရှိကို မောင်းနှင်ပါ။ သူတို့ရဲ့ အပူကွာခြားချက်က အရမ်းကြီးတယ်။ 75N08R on-resistance သည် 0.008Ω သာရှိပြီး 840 ၏ on-resistance သည် 0.85Ω ဖြစ်ပြီး၊ tube မှတဆင့်စီးဆင်းနေသော load current သည် 5A၊ 75N08R tube voltage drop သည် 0.04V သာဖြစ်ပြီး၊ ယခုအချိန်တွင် MOSFET tube သုံးစွဲမှုသည်၊ 0.2W သာရှိပြီး 840 tube ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် 4.25W အထိရှိသော်လည်း tube သုံးစွဲမှုသည် 21.25W အထိမြင့်မားသည်။ ၎င်းကိုတွေ့မြင်နိုင်သည်၊ အင်ဗာတာ၏ MOSFET ၏ ခံနိုင်ရည် သေးငယ်လေလေ၊ ပြွန်၏ ခံနိုင်ရည်သည် ကြီးမားလေဖြစ်ပြီး၊ မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်းအောက်တွင် ပြွန်စားသုံးမှု အင်ဗာတာ၏ MOSFET ၏ ခံနိုင်ရည်မှာ သေးငယ်သည် တတ်နိုင်သမျှ
2၊ မောင်းနှင်မှုဗို့အား၏ ပတ်လမ်းသည် လုံလောက်စွာ မကြီးမားပါ။
MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းကိရိယာဖြစ်ပြီး ပြွန်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချလိုပါက အပူလျှော့ချခြင်း၊MOSFETgate drive ၏ဗို့အားပမာဏသည် ကြီးမားသောပမာဏဖြစ်သင့်ပြီး pulse edge သည် မတ်စောက်ပြီး ဖြောင့်နေစေရန် မောင်းနှင်ရန်၊ tube voltage drop ကို လျှော့ချနိုင်ပြီး tube သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။
3, MOSFET အပူ dissipation မကောင်းသောအကြောင်းမရှိပေ။
အင်ဗာတာ။MOSFETအပူသည်ပြင်းထန်သည်။ အင်ဗာတာ MOSFET စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုသည် ကြီးမားသောကြောင့်၊ ယေဘုယျအားဖြင့် အလုပ်သည် လုံလောက်သော ပြင်ပအပူရှိန်တစ်ခု လိုအပ်ပြီး ပြင်ပအပူစင်နှင့် MOSFET ကိုယ်တိုင်သည် အပူရှိန်ကြားရှိ အနီးကပ်ထိတွေ့မှုရှိသင့်သည် (ယေဘူယျအားဖြင့် အပူလျှပ်ကူးနိုင်သော ဆီလီကွန်အဆီဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားရန် လိုအပ်သည်။ ) ပြင်ပအပူပေးစက်သည် သေးငယ်ပါက သို့မဟုတ် MOSFET ၏ကိုယ်ပိုင်အပူပေးစက်နှင့် လုံလောက်စွာ မနီးကပ်ပါက၊ tube အပူပေးနိုင်သည်။
အင်ဗာတာ MOSFET အပူပြင်းပြင်းထန်ထန်များအတွက်အကြောင်းပြချက်လေးခုရှိပါတယ်အနှစ်ချုပ်။
MOSFET အနည်းငယ် အပူပေးခြင်းသည် ပုံမှန်ဖြစ်စဉ်တစ်ခုဖြစ်သော်လည်း ပြင်းထန်သောအပူပေးခြင်းသည် ပြွန်ကိုလောင်ကျွမ်းသွားစေသည့်တိုင် အောက်ပါအကြောင်းရင်းလေးချက်ရှိပါသည်။
1၊ ဆားကစ်ဒီဇိုင်းပြဿနာ
MOSFET ကို switching circuit state ထက် linear operating state တွင်အလုပ်လုပ်ပါစေ။ ၎င်းသည် MOSFET အပူပေးခြင်း၏အကြောင်းရင်းတစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။ N-MOS သည် ကူးပြောင်းခြင်းကို လုပ်ဆောင်နေပါက၊ P-MOS သည် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်ပြီး P-MOS သည် ပါဝါထောက်ပံ့မှုထက် G-level ဗို့အား V အနည်းငယ် ပိုမြင့်ရမည်ဖြစ်သည်။ အပြည့်အဝမဖွင့်ဘဲ ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် ကြီးမားလွန်းသဖြင့် ပါဝါစားသုံးမှုတွင် ညီမျှသော DC impedance ပိုကြီးသည်၊ ဗို့အားကျဆင်းမှု တိုးလာသောကြောင့် U* I လည်း တိုးလာသည်၊ ဆုံးရှုံးမှုသည် အပူကို ဆိုလိုသည်။ ၎င်းသည် circuit ဒီဇိုင်းတွင် ရှောင်ရှားနိုင်ဆုံးသော အမှားဖြစ်သည်။
2၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားလွန်းသည်။
အဓိကအကြောင်းအရင်းမှာ တစ်ခါတစ်ရံတွင် အသံပမာဏကို အလွန်အကျွံလိုက်စားခြင်းကြောင့် ကြိမ်နှုန်းတိုးလာခြင်းကြောင့် MOSFET သည် ကြီးမားသောကြောင့် အပူချိန်လည်း တိုးလာသည်။
3, လုံလောက်တဲ့အပူဒီဇိုင်းမဟုတ်ပါဘူး။
လျှပ်စီးကြောင်းများလွန်းပါက၊ MOSFET ၏အမည်ခံလက်ရှိတန်ဖိုးသည် ကောင်းစွာရရှိရန် ကောင်းသောအပူရှိန်ကိုရရှိရန် လိုအပ်သည်။ ထို့ကြောင့် ID သည် အမြင့်ဆုံး လျှပ်စီးထက် နည်းသည်၊ ၎င်းသည် ဆိုးရွားစွာ အပူတက်လာနိုင်သည်၊ လုံလောက်သော အရန်အပူပေးကန်ကို လိုအပ်ပါသည်။
4၊ MOSFET ရွေးချယ်မှု မှားယွင်းနေပါသည်။
ပါဝါ၏မှားယွင်းစွာစီရင်ချက်၊ MOSFET အတွင်းပိုင်းခုခံမှုကိုအပြည့်အဝထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းမရှိသောကြောင့် switching impedance တိုးလာသည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ 22-2024
