MOSFET ၏ အဓိက အခန်းကဏ္ဍ သုံးခု

သတင်း

MOSFET ၏ အဓိက အခန်းကဏ္ဍ သုံးခု

MOSFET တွင် အသုံးများသော အဓိက အခန်းကဏ္ဍ သုံးခုမှာ ချဲ့ထွင်ခြင်း ဆားကစ်များ၊ အဆက်မပြတ် လက်ရှိ အထွက်နှုန်း နှင့် switching conduction တို့ ဖြစ်သည်။

 

1, အသံချဲ့စက်ပတ်လမ်း

MOSFET သည် မြင့်မားသော input impedance ၊ ဆူညံသံနည်းသော နှင့် အခြားသော လက္ခဏာများ ရှိသောကြောင့် ရွေးချယ်မှု၏ ဘုံအဆုံး၏ အဝင်နှင့် အထွက် circuit များအလိုက် transistor ကဲ့သို့ လက်ရှိ input stage ၏ multi-stage amplification အဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ ကွဲပြားခြားနားသော၊ discharge circuit ၏ပြည်နယ်သုံးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။MOSFETအသီးသီးသော ဘုံအရင်းအမြစ်၊ အများသူငှာ ယိုစိမ့်မှုနှင့် ဘုံတံခါး။ အောက်ဖော်ပြပါပုံတွင် Rg သည် gate resistor ဖြစ်သည့် MOSFET ၏ ဘုံအရင်းအမြစ်ချဲ့စက်ပတ်လမ်းကိုပြသထားပြီး Rs ဗို့အားကျဆင်းမှုကို ဂိတ်သို့ထည့်ထားသည်။ Rd သည် drain resistor ဖြစ်ပြီး၊ drain current သည် drain voltage သို့ပြောင်းပြီး amplification multiplier Au ကို ထိခိုက်စေပါသည်။ Rs သည် ဂိတ်ပေါက်အတွက် ဘက်လိုက်ဗို့အားကို ပေးဆောင်သည့် အရင်းအမြစ် ခုခံအား၊ C3 သည် Rs ဖြင့် AC အချက်ပြမှုကို လျှော့ချပေးသည့် bypass capacitor ဖြစ်သည်။

 

 

2လက်ရှိ အရင်းအမြစ်ပတ်လမ်း

အောက်ဖော်ပြပါပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း Constant current source ကို မက်ထရိုဗေဒစမ်းသပ်မှုတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်၊ ၎င်းကို အဓိကအားဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။MOSFETmagneto-electric meter tuning scale process အဖြစ်အသုံးပြုနိုင်သည့် constant current source circuit ဖြစ်သည်။ MOSFET သည် ဗို့အား-အမျိုးအစား ထိန်းချုပ်ကိရိယာဖြစ်သောကြောင့် ၎င်း၏ဂိတ်ပေါက်သည် လျှပ်စီးကြောင်းကို မယူသလောက်ဘဲ၊ input impedance သည် အလွန်မြင့်မားသည်။ ကြီးမားသော အဆက်မပြတ် လက်ရှိထွက်ရှိမှုကို တိကျမှုကို မြှင့်တင်လိုပါက၊ ရည်ညွှန်းရင်းမြစ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်မှုပေါင်းစပ်မှုကို လိုချင်သောအကျိုးသက်ရောက်မှုရရှိရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။

 

3၊ switching circuit ၊

MOSFET ၏ အရေးအကြီးဆုံး အခန်းကဏ္ဍမှာ ကူးပြောင်းခြင်း အခန်းကဏ္ဍ ဖြစ်သည်။ Switching, အမျိုးမျိုးသော electronic load control, switching power supply switching, etc. MOS tube ၏ အထူးခြားဆုံး feature သည် switching ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများဖြစ်သည်၊NMOS၊ Vgs သည် 4V သို့မဟုတ် 10V ၏ ဂိတ်ဗို့အား 4V သို့မဟုတ် 10V ဖြစ်နိုင်သရွေ့၊ အရင်းအမြစ်ကို အခြေပြုသည့် ကိစ္စနှင့် သက်ဆိုင်သည်၊ Vgs သည် အနိမ့်ဆုံး drive ဟုခေါ်သည့် ကိစ္စနှင့် သက်ဆိုင်ပါသည်။ PMOS အတွက်၊ အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ အချို့သောတန်ဖိုးထက်နည်းသော Vgs သည် အရင်းအမြစ်ကို VCC သို့အခြေခံထားသောအခါတွင်၊ ဆိုလိုသည်မှာ high end drive နှင့်သက်ဆိုင်သည်။ PMOS ကို high end driver အဖြစ် အလွယ်တကူအသုံးပြုနိုင်သော်လည်း NMOS ကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်း၊ စျေးနှုန်းကြီးမြင့်ခြင်းနှင့် အစားထိုးအမျိုးအစားအနည်းငယ်ကြောင့် NMOS ကို high end driver များတွင် အသုံးပြုပါသည်။

 

အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော အဓိကအခန်းကဏ္ဍသုံးရပ်အပြင် MOSFET များကို ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော resistors များကို သိရှိနားလည်နိုင်ရန် MOSFET များကို variable resistors များအဖြစ်လည်းအသုံးပြုနိုင်ပြီး အသုံးချပရိုဂရမ်များစွာလည်းရှိသည်။


တင်ချိန်- ဧပြီလ ၂၉-၂၀၂၄