MOSFETsအခန်းကဏ္ဍတစ်ခုကစားပါ။switching circuits များတွင်ဆားကစ်အဖွင့်အပိတ်နှင့် အချက်ပြပြောင်းလဲခြင်းကို ထိန်းချုပ်ရန်ဖြစ်သည်။MOSFETs N-channel နှင့် P-channel ဟူ၍ အမျိုးအစား နှစ်မျိုး ခွဲခြားနိုင်သည်။
N-channel မှာMOSFETပတ်လမ်းbuzzer တုံ့ပြန်မှုကိုဖွင့်ရန် BEEP ပင်နံပါတ်သည် မြင့်မားပြီး buzzer ကိုပိတ်ရန် နိမ့်ပါသည်။MOSFETGPS မော်ဂျူး ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို အဖွင့်အပိတ် ထိန်းချုပ်ရန်၊ GPS_PWR ပင်နံပါတ်ကို ဖွင့်ထားချိန်တွင် GPS မော်ဂျူးမှာ အားနည်းနေပါသည်။ ပုံမှန် power supplyနှင့် GPS မော်ဂျူးအား ပါဝါပိတ်ရန် မြင့်မားသည်။
ပစ္စယော-လက်ပံMOSFETP + ဒေသရှိ N-type ဆီလီကွန်အလွှာတွင် မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ် နှစ်ခုရှိသည်။ ဤဝင်ရိုးနှစ်ခုသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခုကြား လျှပ်ကူးမဟုတ်ပါ၊ မြေစိုက်သည့်အခါ အရင်းအမြစ်သို့ အပြုသဘောဆောင်သောဗို့အား လုံလုံလောက်လောက်ထည့်ပါက၊ ဂိတ်အောက်ရှိ N-type ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်သည် P-type ပြောင်းပြန်အလွှာအဖြစ် ထွက်ပေါ်လာမည်ဖြစ်ပြီး၊ မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်ကို ချိတ်ဆက်သည့်ချန်နယ်တစ်ခုအဖြစ် ထွက်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ . ဂိတ်ရှိ ဗို့အားကိုပြောင်းခြင်းသည် ချန်နယ်ရှိ အပေါက်များ၏ သိပ်သည်းဆကို ပြောင်းလဲစေပြီး ချန်နယ်ခံနိုင်ရည်ကို ပြောင်းလဲစေသည်။ ၎င်းကို P-channel မြှင့်တင်မှုနယ်ပယ်အကျိုးသက်ရောက်မှုထရန်စစ္စတာဟုခေါ်သည်။
NMOS လက္ခဏာများ၊ အချို့သောတန်ဖိုးထက်ကြီးနေသ၍ Vgs သည် လိုင်းပေါ်ရှိ 4V သို့မဟုတ် 10V ၏ဂိတ်ဗို့အား 4V သို့မဟုတ် 10V ဟုပေးထားသော အရင်းအမြစ် grounded low-end drive case နှင့်သက်ဆိုင်ပါသည်။
NMOS နှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သော PMOS ၏ဝိသေသလက္ခဏာများသည် Vgs သည် သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးထက်နည်းနေသမျှကာလပတ်လုံးဖွင့်မည်ဖြစ်ပြီး၊ အရင်းအမြစ်သည် VCC နှင့်ချိတ်ဆက်သောအခါတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ သို့သော်၊ အစားထိုးအမျိုးအစား နည်းပါးသောကြောင့်၊ ခုခံနိုင်စွမ်းမြင့်မားပြီး စျေးနှုန်းမြင့်မားသောကြောင့် PMOS သည် high-end drive များတွင် အလွန်အဆင်ပြေစွာအသုံးပြုနိုင်သော်လည်း၊ ထို့ကြောင့် high-end drive တွင် ယေဘူယျအားဖြင့် NMOS ကိုအသုံးပြုနေဆဲဖြစ်သည်။
ခြုံ၊MOSFETsမြင့်မားသော input impedance ရှိသည်၊ ဆားကစ်များအတွင်း တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်မှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေပြီး အကြီးစားပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအဖြစ် ဖန်တီးရန် အတော်လေးလွယ်ကူသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇူလိုင်-၂၀-၂၀၂၄
