မှန်ကန်သော MOSFET ကိုရွေးချယ်ရန် circuit driver သည် အလွန်အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။MOSFET ရွေးချယ်မှု မကောင်းပါက ဆားကစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပြဿနာ၏ ကုန်ကျစရိတ်ကို တိုက်ရိုက်ထိခိုက်စေမည်ဖြစ်ပြီး၊ MOSFET ရွေးချယ်မှုအတွက် ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော ထောင့်တစ်ခုကို အောက်တွင်ဖော်ပြထားသည်။
1၊ N-channel နှင့် P-channel ရွေးချယ်မှု
(1) ဘုံဆားကစ်များတွင် MOSFET ကို grounded ထားပြီး load သည် trunk voltage နှင့် ချိတ်ဆက်သောအခါ၊ MOSFET သည် low voltage side switch တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဗို့အားနည်းသော ဘေးဘက်ခလုတ်တွင်၊ စက်ကိုပိတ်ရန် သို့မဟုတ် ဖွင့်ရန် လိုအပ်သည့်ဗို့အားကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းကြောင့် N-channel MOSFET ကို အသုံးပြုသင့်သည်။
(၂) MOSFET သည် bus နှင့် ချိတ်ဆက်ပြီး load ကို grounded ဖြစ်သောအခါ၊ high voltage side switch ကို အသုံးပြုရပါမည်။ ပစ္စယော-လက်ပံMOSFETs အများအားဖြင့် ဤ topology တွင်၊ ဗို့အား drive ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် ထပ်မံအသုံးပြုကြသည်။
2 မှန်တာကို ရွေးချင်တာMOSFETဗို့အားအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကို မောင်းနှင်ရန် လိုအပ်သည့် ဗို့အားကို ဆုံးဖြတ်ရန် လိုအပ်သည့်အပြင် အကောင်အထည်ဖော်ရန် အလွယ်ကူဆုံးနည်းလမ်း၏ ဒီဇိုင်းတွင်၊ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားပိုကြီးလာသောအခါ၊ စက်သည် သဘာဝအားဖြင့် ကုန်ကျစရိတ်ပိုမိုလိုအပ်ပါသည်။ သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူသော ဒီဇိုင်းများအတွက်၊ အောက်ဗို့အားများသည် ပို၍အဖြစ်များသော်လည်း စက်မှုဒီဇိုင်းများအတွက်၊ ဗို့အားပိုမိုလိုအပ်ပါသည်။ လက်တွေ့အတွေ့အကြုံကို ကိုးကား၍ သတ်မှတ်ဗို့အားသည် ပင်စည် သို့မဟုတ် ဘတ်စ်ကားဗို့ထက် ကြီးနေရန် လိုအပ်သည်။ ၎င်းသည် MOSFET ပျက်ကွက်မှုမဖြစ်စေရန် လုံလောက်သောလုံခြုံရေးအကာအကွယ်ကိုပေးမည်ဖြစ်သည်။
3၊ ပတ်လမ်းဖွဲ့စည်းပုံအရ၊ လက်ရှိအဆင့်သတ်မှတ်ချက်သည် အခြေအနေအားလုံးတွင် ဝန်ခံနိုင်ရည်ရှိသင့်သည်၊ ၎င်းသည် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်သောရှုထောင့်များ၏ ဘေးကင်းမှုကိုလည်း အခြေခံထားသည်။
4. နောက်ဆုံးတွင် MOSFET ၏ ကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆုံးဖြတ်သည်။ switching performance ကို ထိခိုက်စေတဲ့ parameter တွေ အများကြီးရှိပါတယ်၊ ဒါပေမယ့် အရေးကြီးဆုံးကတော့ gate/drain၊ gate/source နဲ့ drain/source capacitance ဖြစ်ပါတယ်။ ဤစွမ်းရည်များသည် ခလုတ်တစ်ခုစီတွင် အားသွင်းထားရသောကြောင့် စက်ပစ္စည်းအတွင်း ကူးပြောင်းမှုဆုံးရှုံးမှုများကို ဖန်တီးပေးပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၂၀-၂၀၂၄
