body diode (အသုံးအနှုန်းအဖြစ် ပုံမှန် diode အဖြစ် ရည်ညွှန်းလေ့ရှိသည်။“ခန္ဓာကိုယ် diode”ပုံမှန်အခြေအနေများတွင် အသုံးများလေ့မရှိသော်လည်း diode ကိုယ်တိုင်၏ ဝိသေသ သို့မဟုတ် ဖွဲ့စည်းပုံကို ရည်ညွှန်းနိုင်သည်။ သို့ရာတွင်၊ ဤရည်ရွယ်ချက်အတွက်၊ ၎င်းသည် စံဒိုင်အိုဒကိုရည်ညွှန်းသည်) နှင့် MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) သည် ရှုထောင့်များစွာတွင် သိသိသာသာကွဲပြားသည်။ အောက်တွင် ၎င်းတို့၏ ခြားနားချက်များကို အသေးစိတ် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာထားသည် ။
1. အခြေခံ အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်များနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံများ
- Diode: Diode သည် P-type နှင့် N-type semiconductors များဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော electrode နှစ်ခုပါရှိသော semiconductor ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး PN လမ်းဆုံတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ပြောင်းပြန်စီးဆင်းမှု (reverse bias) ကို ပိတ်ဆို့ထားစဉ်တွင် အပြုသဘောမှ အနုတ်ဘက်သို့ စီးဆင်းမှုကိုသာ ခွင့်ပြုသည်။
- MOSFET- MOSFET သည် လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်ရန် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကို အသုံးပြုသည့် သုံးခု-terminal semiconductor ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ဂိတ်ပေါက် (G)၊ အရင်းအမြစ် (S) နှင့် မြောင်း (D) တို့ ပါဝင်သည်။ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားရှိ လျှပ်စီးကြောင်းအား ဂိတ်ဗို့အားဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသည်။
2. လုပ်ငန်းအခြေခံမူ
- Diode- Diode ၏ လုပ်ဆောင်မှုနိယာမသည် PN လမ်းဆုံ၏ unidirectional conductivity အပေါ် အခြေခံသည်။ ရှေ့ဘက်ဘက်လိုက်မှုအောက်တွင်၊ သယ်ဆောင်သူများ (အပေါက်များနှင့် အီလက်ထရွန်များ) သည် လျှပ်စီးကြောင်းတစ်ခုဖြစ်လာစေရန် PN လမ်းဆုံကိုဖြတ်၍ ပျံ့နှံ့သွားပါသည်။ ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်မှုအောက်တွင်၊ လက်ရှိစီးဆင်းမှုကို ဟန့်တားနိုင်သည့် အလားအလာရှိသော အတားအဆီးတစ်ခုကို ဖန်တီးထားသည်။
- MOSFET- MOSFET ၏ လုပ်ဆောင်မှုနိယာမသည် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် အခြေခံသည်။ ဂိတ်ဗို့အား ပြောင်းလဲသောအခါ၊ ၎င်းသည် ဂိတ်ပေါက်အောက်ရှိ semiconductor ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်း (N-channel သို့မဟုတ် P-channel) ဖြစ်ပေါ်လာပြီး အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားရှိ လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်သည်။ MOSFET များသည် input voltage ပေါ်မူတည်၍ output current ပါသော ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့် ကိရိယာများဖြစ်သည်။
3. စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများ
- Diode
- ကြိမ်နှုန်းမြင့် နှင့် ပါဝါနည်းသော application များအတွက် သင့်လျော်သည်။
- unidirectional conductivity ပါရှိပြီး၊ ၎င်းကို rectification၊ detection နှင့် voltage regulation circuits များတွင် အဓိက အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု ဖြစ်စေပါသည်။
- Reverse breakdown voltage သည် အရေးကြီးသော parameter တစ်ခုဖြစ်ပြီး reverse breakdown ပြဿနာများကိုရှောင်ရှားရန် ဒီဇိုင်းတွင် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရပါမည်။
- MOSFET
- မြင့်မားသော input impedance၊ ဆူညံသံနိမ့်၊ ပါဝါစားသုံးမှုနည်းပါးပြီး အပူတည်ငြိမ်မှုကောင်းမွန်သည်။
- ကြီးမားသောပေါင်းစပ်ဆားကစ်များနှင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် သင့်လျော်သည်။
- MOSFET များကို N-channel နှင့် P-channel အမျိုးအစားများအဖြစ် ပိုင်းခြားထားပြီး တစ်ခုချင်းစီကို မြှင့်တင်မုဒ် နှင့် depletion-mode မျိုးကွဲများဖြင့် ခွဲခြားထားပါသည်။
- saturation ဒေသတွင် လက်ရှိကျန်ရှိနေသော အဆက်မပြတ်နီးပါးရှိသော စဉ်ဆက်မပြတ် လက်ရှိလက္ခဏာကောင်းများကို ပြသသည်။
4. လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များ
- Diode- အီလက်ထရွန်းနစ်၊ ဆက်သွယ်ရေးနှင့် ပါဝါထောက်ပံ့ရေးနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး၊ တည့်မတ်သော ဆားကစ်များ၊ ဗို့အား ထိန်းညှိဆားကစ်များနှင့် ထောက်လှမ်းသည့် ဆားကစ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။
- MOSFET- ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ကွန်ပျူတာများနှင့် ဆက်သွယ်ရေး၊ ကူးပြောင်းခြင်းဒြပ်စင်များ၊ ချဲ့ထွင်သောဒြပ်စင်များနှင့် မောင်းနှင်မှုဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အသုံးပြုသည့် ပေါင်းစပ်မှုတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
5. နိဂုံး
Diodes နှင့် MOSFET များသည် ၎င်းတို့၏ အခြေခံ အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်များ၊ တည်ဆောက်ပုံများ၊ လုပ်ဆောင်မှုဆိုင်ရာ အခြေခံမူများ၊ စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများနှင့် အပလီကေးရှင်းနယ်ပယ်များတွင် ကွဲပြားသည်။ Diodes များသည် ၎င်းတို့၏ unidirectional conductivity ကြောင့် rectification နှင့် voltage regulation တွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါ၀င်ပြီး MOSFET များကို ၎င်းတို့၏ input impedance မြင့်မားမှု၊ ဆူညံမှုနည်းခြင်းနှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်းကြောင့် ပေါင်းစပ် circuit များနှင့် power electronics များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ အစိတ်အပိုင်းနှစ်ခုစလုံးသည် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်နည်းပညာအတွက် အခြေခံဖြစ်ပြီး တစ်ခုစီသည် ၎င်း၏အားသာချက်များကို ပေးဆောင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၁၈-၂၀၂၄
