MOSFET များသည် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် MOSFETs များကို ကာရံထားသည်။MOSFETs သည် အခြေခံအကျဆုံး စက်ပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သောကြောင့်၊ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ field, board-level circuits များအပြင် IC design.The drain နှင့် source တို့တွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။MOSFETs အပြန်အလှန်လဲလှယ်နိုင်ပြီး N-type ဒေသဖြင့် P-type backgate တွင်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်၊ အရင်းအမြစ်နှစ်ခုသည် အပြန်အလှန်ဖလှယ်နိုင်သော၊ နှစ်ခုလုံးသည် N-type ဒေသတစ်ခုဖြစ်သည်။P-type backgate. ယေဘုယျအားဖြင့်၊ ဤဇုန်နှစ်ခုသည် တူညီပြီး ဤကဏ္ဍနှစ်ခုကို ပြောင်းထားလျှင်ပင်၊ စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်မည်မဟုတ်ပါ။ ထို့ကြောင့် ကိရိယာကို အချိုးကျသည်ဟု ယူဆပါသည်။
စာမူ-
MOSFET သည် စီးဆင်းနေသော လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်ရန် ဤ "induced charges" ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော conductive channel ၏ အခြေအနေကို ပြောင်းလဲရန် "induced charge" ပမာဏကို ထိန်းချုပ်ရန် VGS ကို အသုံးပြုသည်။ MOSFET များကို ထုတ်လုပ်သောအခါ၊ အထူးလုပ်ငန်းစဉ်များမှတဆင့် insulating layer တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းအမြောက်အများ ပေါ်လာပြီး အင်တာဖေ့စ်၏ အခြားတစ်ဖက်တွင် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သော စွဲချက်များကို ပိုမိုသိရှိနိုင်ကာ စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းမြင့်သော အညစ်အကြေးများ၏ N-region ကို ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဤအနုတ်လက္ခဏာဆောင်သော အခကြေးငွေများ နှင့် conductive channel ကိုဖွဲ့စည်းထားပြီး၊ VGS သည် 0 ဖြစ်နေလျှင်ပင် လျှပ်စီးကြောင်းအတော်လေးကြီးမားသော လျှပ်စီးကြောင်းကိုထုတ်ပေးပါသည်။ gate voltage ကိုပြောင်းလဲပါက၊ channel အတွင်းရှိ induced charge ပမာဏနှင့် width လည်းပြောင်းလဲပါသည်။ conductive channel ၏ တူညီသော အတိုင်းအတာသို့ ပြောင်းလဲပါသည်။ ဂိတ်ဗို့အားပြောင်းလဲပါက၊ ချန်နယ်ရှိ induced charge ပမာဏသည်လည်း ပြောင်းလဲမည်ဖြစ်ပြီး conducting channel ၏ width သည်လည်း ပြောင်းလဲသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် drain current ID သည် gate voltage နှင့်အတူ ပြောင်းလဲမည်ဖြစ်သည်။
အခန်းကဏ္ဍ-
1. ၎င်းကို အသံချဲ့စက် ဆားကစ်သို့ အသုံးချနိုင်သည်။ MOSFET အသံချဲ့စက်၏ မြင့်မားသော input impedance ကြောင့်၊ coupling ၏ capacitance သည် သေးငယ်နိုင်ပြီး electrolytic capacitors ကို အသုံးမပြုနိုင်ပါ။
မြင့်မားသော input impedance သည် impedance အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းအတွက်သင့်လျော်သည်။ Multi-stage amplifiers ၏ input stage တွင် impedance အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းအတွက် ၎င်းကိုမကြာခဏအသုံးပြုသည်။
3၊ ၎င်းကို variable resistor အဖြစ်သုံးနိုင်သည်။
4, အီလက်ထရွန်းနစ်ခလုတ်အဖြစ်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
MOSFET များကို ရုပ်မြင်သံကြားများတွင် ကြိမ်နှုန်းမြင့်ခေါင်းများနှင့် ပါဝါပြောင်းပေးသည့်ပစ္စည်းများ အပါအဝင် ကျယ်ပြန့်သော applications များတွင် အသုံးပြုနေပြီဖြစ်သည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် စိတ်ကြွသာမန်ထရန်စစ္စတာများနှင့် MOS များကို IGBT ( insulation gate bipolar transistor ) ဖြင့် ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းထားပြီး ပါဝါမြင့်သောနေရာများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုလျက်ရှိပြီး MOS ပေါင်းစည်းထားသောဆားကစ်များသည် ပါဝါစားသုံးမှုနည်းသောလက္ခဏာများရှိပြီး ယခုအခါ CPU များကို တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုလာကြသည်။ MOS ဆားကစ်များ။
တင်ချိန်- ဇူလိုင် ၁၉-၂၀၂၄
