resistors R1-R6၊ electrolytic capacitors C1-C3၊ capacitor C4၊ PNP triode VD1၊ diodes D1-D2၊ intermediate relay K1၊ ဗို့အားနှိုင်းယှဥ်စနစ်၊ Dual time base ပေါင်းစည်းထားသော ချစ်ပ် NE556 နှင့် MOSFET Q1 တို့ပါ၀င်သော ခုခံအား R1-R6၊ Dual time base integrated chip NE556 ၏ pin နံပါတ် 6 ဖြင့် signal input အဖြစ် ဆောင်ရွက်ပေးပြီး၊ နှင့် resistor R1 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို Pin 6 သို့ တစ်ချိန်တည်း ချိတ်ဆက်ထားသည့် dual-time base integrated chip NE556 ကို signal input အဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ resistor R1 ၏အဆုံးတစ်ဖက်ကို dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 14၊ resistor R2 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ resistor R4 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ PNP transistor VD1 ၏ထုတ်လွှတ်မှု၊ MOSFET Q1 ၏ယိုပေါက်နှင့် DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် resistor R1 ၏အခြားအဆုံးတစ်ဖက်ကို dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 1၊ dual-time base integrated chip NE556 ၏ pin 2၊ capacitor C1 ၏ positive electrolytic capacitance နှင့် intermediate relay တို့ဖြစ်သည်။ K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော K1-1 ၊ intermediate relay ၏ အခြားတစ်ဖက် ၊ K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော K1-1 ၊ electrolytic capacitor C1 နှင့် capacitor C3 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို power supply ground နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ capacitor C3 ၏ အခြားစွန်း dual time base integrated chip NE556 ၏ pin 3 နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ dual time base integrated chip NE556 ၏ pin 4 ကို electrolytic capacitor C2 ၏ positive pole နှင့် resistor R2 ၏ အခြားအဆုံးကို တစ်ချိန်တည်းတွင် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ electrolytic capacitor C2 ၏ negative pole သည် power supply ground နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး electrolytic capacitor C2 ၏ negative pole ကို power supply ground နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ C2 ၏ အနှုတ်တိုင်ကို ပါဝါထောက်ပံ့ရေးမြေသို့ ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 5 သည် resistor R3 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ အခြားတစ်ဖက်ကို resistor R3 သည် ဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာ၏ အပြုသဘောဆောင်သည့် အဆင့်ထည့်သွင်းမှုနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဗို့အားနှိုင်းယှဥ်နှိုင်းယှဉ်မှု၏အနုတ်လက္ခဏာအဆင့်အဝင်ကို တစ်ချိန်တည်းတွင် diode D1 ၏အပြုသဘောဆောင်သောဝင်ရိုးစွန်းနှင့် resistor R4 ၏အခြားစွန်းသို့ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ တစ်ချိန်တည်းတွင် diode D1 ၏အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သည်ပါဝါထောက်ပံ့ရေးမြေပြင်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ဗို့အားနှိုင်းယှဥ်မှုအား resistor R5 ၏အဆုံးနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ resistor R5 ၏ အခြားတစ်ဖက်ကို PNP triplex နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာ၏အထွက်အား resistor R5 ၏တစ်ဖက်စွန်းသို့ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ resistor R5 ၏အခြားအဆုံးကို PNP transistor VD1 ၏အခြေခံနှင့်ချိတ်ဆက်သည်၊ PNP transistor VD1 ၏စုဆောင်းသူသည် diode ၏ positive pole နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ D2၊ diode D2 ၏အနုတ်လက္ခဏာဆောင်တံသည် resistor R6 ၏အဆုံး၊ capacitor C4 ၏အဆုံးနှင့် MOSFET ၏တံခါး၊ တစ်ချိန်တည်းတွင် resistor R6 ၏အခြားစွန်း၊ အခြားအဆုံးနှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ capacitor C4 နှင့် intermediate relay ၏အခြားအဆုံး K1 သည် power supply land နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး intermediate relay ၏အခြားစွန်းသည် K1 ၏အရင်းအမြစ်၏အရင်းအမြစ်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။MOSFET.
MOSFET retention circuit၊ A သည် low trigger signal ကိုထောက်ပံ့ပေးသောအခါ၊ ဤအချိန်တွင် dual time base integrated chip NE556 set၊ dual time base integrated chip NE556 pin 5 output high level၊ high level၊ high level သည် voltage comparator ၏ positive phase input သို့ အနှုတ်၊ ရည်ညွှန်းဗို့အားကိုပံ့ပိုးရန် resistor R4 နှင့် diode D1 မှဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာ၏အဆင့်အဝင်၊ ဤအချိန်တွင်၊ ဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာအထွက်နှုန်းမြင့်မားသည်၊ Triode VD1 စီးဆင်းစေရန်မြင့်မားသောအဆင့်၊ triode VD1 စုဆောင်းသူထံမှစီးဆင်းနေသောလက်ရှိ၊ capacitor C4 အား diode D2 မှတဆင့် အားသွင်းပြီး တစ်ချိန်တည်းမှာပင် MOSFET Q1 သည် ဤအချိန်တွင်၊ intermediate relay K1 ၏ coil ကို စုပ်ယူသွားပြီး intermediate relay K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော contact K 1-1 နှင့် intermediate ပြီးနောက်၊ Relay K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော အဆက်အသွယ် K 1-1 သည် ချိတ်ဆက်မှု ပြတ်တောက်သွားသည်၊၊ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ 1 နှင့် 2 ပေသို့ DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုသည် ပင်နံပါတ် 1 နှင့် pin 2 ပေါ်ရှိ ဗို့အားကို သိုလှောင်ထားသည့်တိုင်အောင် ထောက်ပံ့ရေးဗို့အားကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ကို ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား၏ 2/3 သို့ အားသွင်းထားပြီး၊ dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ကို အလိုအလျောက် ပြန်လည်သတ်မှတ်ပြီး dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 5 ကို နိမ့်သောအဆင့်သို့ အလိုအလျောက် ပြန်လည်ရောက်ရှိသွားမည်ဖြစ်သည်။ နောက်ဆက်တွဲ ဆားကစ်များ အလုပ်မလုပ်ဘဲ၊ ယခုအချိန်တွင် capacitor C4 သည် capacitance C4 discharging ပြီးဆုံးသည်အထိ MOSFET Q1 conduction ကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် intermediate relay K1 coil release၊ intermediate relay K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော contact K 11 ကို ပိတ်ပြီး၊ အပိတ်အလယ်အလတ်တန်းလျား K1 မှတဆင့် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော အဆက်အသွယ် K 1-1 သည် dual time base integrated chip NE556 ၏ 1 ပေနှင့် 2 ပေ ဗို့အားထုတ်လွှတ်မှုကို ပိတ်မည်ဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ကြိမ်အတွက် dual time base integrated chip NE556 pin 6 သည် နိမ့်သည် ပြင်ဆင်ရန် သတ်မှတ်ထားသော dual time base integrated chip NE556 ကိုပြုလုပ်ရန် အစပျိုးအချက်ပြခြင်း။
Dual Time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 pin 1 နှင့် pin 2 အား ထောက်ပံ့မှုဗို့အား၏ 2/3 သို့ အားသွင်းသောအခါ၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 သည် အလိုအလျောက် ပြန်လည်သတ်မှတ်နိုင်ပြီး၊ Dual Time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ်၏ ဆားကစ်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ရိုးရှင်းပြီး ဆန်းသစ်ပါသည်။ NE556 pin 5 သည် နိမ့်သောအဆင့်သို့ အလိုအလျောက်ပြန်သွားသည်၊ ထို့ကြောင့် နောက်ဆက်တွဲဆားကစ်များ အလုပ်မလုပ်စေရန်၊ အားသွင်း capacitor C4 အလိုအလျောက်ရပ်တန့်စေရန်နှင့် MOSFET Q1 conductive မှထိန်းသိမ်းထားသော capacitor C4 အားအားသွင်းခြင်းကိုရပ်တန့်ပြီးနောက်၊ ဤအပလီကေးရှင်းသည် စဉ်ဆက်မပြတ်ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်MOSFETQ1 သည် 3 စက္ကန့်ကြာလျှပ်ကူးသည်။
၎င်းတွင် resistors R1-R6၊ electrolytic capacitors C1-C3၊ capacitor C4၊ PNP transistor VD1၊ diodes D1-D2၊ intermediate relay K1၊ voltage comparator၊ dual time base integrated chip NE556 နှင့် MOSFET Q1၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ထားသော pin 6 ချပ်စ် NE556 ကို အချက်ပြထည့်သွင်းမှုအဖြစ် အသုံးပြုပြီး ခုခံအား R1 ၏အဆုံးတစ်ဖက်ကို dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556၊ resistor R2၊ Dual time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 14 နှင့် အချိန်နှစ်ခု၏ pin 14 တို့ကို ချိတ်ဆက်ထားသည်။ base integrated chip NE556 နှင့် resistor R2 သည် dual time base integrated chip NE556 ၏ pin 14 သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ dual-time base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 14၊ resistor R2 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ resistor R4 ၏အဆုံးတစ်ခု၊ PNP transistor
ဘယ်လိုအလုပ်မူကြမ်းလဲ။
A သည် low trigger signal ကိုထောက်ပံ့ပေးသောအခါ၊ Dual-time base integrated chip NE556 set၊ dual-time base integrated chip NE556 pin 5 output high level၊ high-level သို့ high-level voltage comparator ၏ positive phase input ၊ ၏ negative phase input ၊ ရည်ညွှန်းဗို့အားကိုပံ့ပိုးပေးရန် resistor R4 နှင့် diode D1 မှဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ပေးသော၊ ယခုတစ်ကြိမ်၊ ဗို့အားနှိုင်းယှဉ်ကိရိယာအထွက်အဆင့်မြင့်မားခြင်း၊ transistor VD1 conduction ၏မြင့်မားသောအဆင့်၊ transistor VD1 ၏စုဆောင်းသူထံမှလက်ရှိစီးဆင်းနေသော diode D2 မှတဆင့် capacitor C4 အားသွင်းခြင်း၊ ဤအချိန်တွင်၊ အလယ်အလတ် relay K1 ကွိုင်စုပ်ခြင်း၊ အလယ်အလတ် relay K1 ကွိုင်စုပ်ခြင်း။ transistor VD1 ၏စုဆောင်းမှစီးဆင်းနေသောလက်ရှိအား capacitor C4 မှ diode D2 သို့အားသွင်းပြီးတစ်ချိန်တည်းတွင်၊MOSFETQ1 conducts၊ ဤအချိန်တွင်၊ intermediate relay K1 ၏ coil သည် suctioned ဖြစ်ပြီး intermediate relay K1 normally-closed contact K 1-1 is disconnected, and the intermediate relay K1 normally-closed contact K 1-1 သည် ပါဝါပြတ်တောက်သွားသည်၊ dual-timebase ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ 1 နှင့် 2 ပေသို့ DC ပါဝါရင်းမြစ်မှ ပံ့ပိုးပေးသည့် ဗို့အားကို ပင်နံပါတ် 1 နှင့် pin 2 ပေါ်ရှိ ဗို့အားအား 2/3 ၏ 2/3 သို့ အားသွင်းချိန်အထိ ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား၊ Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ကို အလိုအလျောက် ပြန်လည်သတ်မှတ်ပြီး Dual-time Base ပေါင်းစပ်ချစ်ပ် NE556 ၏ pin 5 သည် နိမ့်သောအဆင့်သို့ အလိုအလျောက် ပြန်လည်ရောက်ရှိသွားကာ နောက်ဆက်တွဲ ဆားကစ်များ အလုပ်မလုပ်တော့ဘဲ ယခုအချိန်တွင်၊ capacitor C4 ၏ discharge ပြီးဆုံးသည်အထိ MOSFET Q1 conduction ကို ဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားရန် capacitor C4 အား discharge လုပ်ပြီး intermediate relay K1 ၏ coil ထွက်လာပြီး intermediate relay K1 သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ပိတ်ထားသော contact K 1-1 တွင် အဆက်ပြတ်သွားပါသည်။ Relay K1 သည် ပုံမှန်အပိတ် အဆက်အသွယ် K 1-1 အပိတ်၊ ယခုအကြိမ်တွင် အပိတ်အလယ်အလတ် relay K1 မှတဆင့် ပုံမှန်အပိတ် အဆက်အသွယ် K 1-1 သည် dual-time base integrated chip NE556 1 ပေနှင့် 2 ပေတွင် ဗို့အားကို နောက်တစ်ကြိမ် လွှတ်ရန်၊ dual-time base integrated chip NE556 set အတွက် ပြင်ဆင်မှုများ ပြုလုပ်ရန်အတွက် အစပျိုးအချက်ပြမှုကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် dual-time base ပေါင်းစည်းထားသော ချစ်ပ် NE556 pin 6 သည် အနိမ့်ဆုံးသတ်မှတ်ရန် အချက်ပြမှုတစ်ခုဖြစ်သည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ 19-2024
