မြင့်မားသောပါဝါ MOSFET မောင်းနှင်ပတ်လမ်း၏ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်း

အဓိကဖြေရှင်းချက်နှစ်ခုရှိသည်။

တစ်ခုမှာ MOSFET ကို မောင်းနှင်ရန် သီးခြား ယာဉ်မောင်း ချစ်ပ်ကို အသုံးပြုခြင်း သို့မဟုတ် မြန်ဆန်သော photocouplers များ အသုံးပြုခြင်း ၊ transistors များ သည် MOSFET ကို မောင်းနှင်ရန် ဆားကစ် တစ်ခု ဖြစ်သည် ၊ သို့သော် ပထမ ချဉ်းကပ်မှု သည် လွတ်လပ်သော ပါဝါထောက်ပံ့မှု ပံ့ပိုးမှု လိုအပ်ပါသည်။ MOSFET ကိုမောင်းနှင်ရန် အခြား pulse transformer အမျိုးအစားနှင့် pulse drive circuit တွင် မောင်းနှင်နိုင်မှုစွမ်းရည်ကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် drive circuit ၏ switching frequency ကို တတ်နိုင်သမျှ မြှင့်တင်နည်း၊ အစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကို လျှော့ချရန် အရေးတကြီး လိုအပ်ပါသည်။ ဖြေရှင်းရန်လက်ရှိပြဿနာများ.

 

ပထမ drive scheme၊ half-bridge သည် သီးခြား power supply နှစ်ခု လိုအပ်သည်၊ full-bridge သည် ကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချရန် မသင့်လျော်သော အစိတ်အပိုင်းများ များလွန်းသဖြင့် တံတားတစ်ဝက်နှင့် တံတားအပြည့် နှစ်ခုစလုံးသည် သီးခြားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားထောက်ပံ့မှုသုံးမျိုး လိုအပ်ပါသည်။

 

ဒုတိယ အမျိုးအစား မောင်းနှင်မှု အစီအစဉ်နှင့် မူပိုင်ခွင့်သည် အနီးစပ်ဆုံး ကြိုတင် ဖန်တီးမှု ဖြစ်ပြီး “စွမ်းအားမြင့် အနုပညာ၊MOSFET drive circuit" မူပိုင်ခွင့် (လျှောက်လွှာနံပါတ် 200720309534. 8)၊ မူပိုင်ခွင့်သည် စွမ်းအားမြင့် MOSFET အားသွင်းမှု၏ဂိတ်ပေါက်အရင်းအမြစ်ကို ထုတ်လွှတ်ရန် လျှပ်စီးကြောင်းခံနိုင်ရည်ကိုသာ ပေါင်းထည့်ထားပြီး၊ ပိတ်ရန်ရည်ရွယ်ချက်ကို အောင်မြင်စေရန်၊ PWM အချက်ပြမှု၏ အစွန်းသည် ကြီးမားပါသည်။ PWM signal ၏အစွန်းကျဆင်းမှုသည်ကြီးမားသည်၊ MOSFET ၏နှေးကွေးသောပိတ်ခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်၊ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုသည်အလွန်ကြီးမားသည်။

 

ထို့အပြင်၊ မူပိုင်ခွင့်ပရိုဂရမ် MOSFET အလုပ်သည် အနှောင့်အယှက်ဖြစ်နိုင်ချေရှိပြီး PWM ထိန်းချုပ်ချစ်ပ်တွင် ကြီးမားသောအထွက်ပါဝါရှိရန် လိုအပ်ပြီး ချစ်ပ်အပူချိန်မြင့်မားသောကြောင့် ချစ်ပ်၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို ထိခိုက်စေပါသည်။ တီထွင်မှု၏ အကြောင်းအရာများ ဤ utility model ၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ စွမ်းအားမြင့် MOSFET drive circuit ကို ပေးဆောင်ရန် ဖြစ်ပြီး၊ ဤ utility model တီထွင်မှု နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖြေရှင်းချက်၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ စွမ်းအားမြင့် MOSFET drive ဆားကစ်၊ အချက်ပြ အထွက်နှုန်းကို ရရှိရန်၊ PWM ထိန်းချုပ်မှု ချစ်ပ်ကို အဓိက pulse transformer နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ပထမအထွက် of အလယ်တန်းသွေးခုန်နှုန်းထရန်စဖော်မာကိုပထမ MOSFET ဂိတ်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ဒုတိယအထွက်နှုန်းကိုပထမ MOSFET ဂိတ်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး ဒုတိယအထွက်နှုန်းကိုပထမ MOSFET ဂိတ်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ pulse transformer ၏ပထမအထွက်ကိုပထမ MOSFET ၏ဂိတ်ပေါက်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ pulse transformer ၏ဒုတိယအထွက်ကိုဒုတိယ MOSFET ၏တံခါးနှင့်ချိတ်ဆက်သည်၊ pulse transformer ၏ပထမအထွက်ကိုချိတ်ဆက်ထားသည်ကိုသွင်ပြင်လက္ခဏာဖြစ်သည်။ ပထမ discharge transistor နှင့် pulse transformer ၏ ဒုတိယ output ကို second discharge transistor နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ pulse transformer ၏ ပင်မအခြမ်းကို စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့် circuit နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားသည်။

 

စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုထုတ်လွှတ်သည့် circuit တွင် resistor၊ capacitor နှင့် diode ပါ၀င်သည်၊ resistor နှင့် capacitor ကို အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားပြီး အထက်ဖော်ပြပါ parallel circuit သည် diode နှင့် ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ utility model သည် အကျိုးရှိသောအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိပြီး utility model သည် transformer secondary ၏ ပထမ output နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော first discharge transistor ရှိပြီး pulse transformer ၏ ဒုတိယ output သို့ ချိတ်ဆက်ထားသော second discharge transistor တစ်ခုပါရှိသည်၊ သို့မှသာ pulse transformer သည် low output ဖြစ်သောအခါ၊ အဆင့်၊ ပထမ MOSFET နှင့် ဒုတိယ MOSFET သည် MOSFET ၏အပိတ်အမြန်နှုန်းကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် MOSFET ဆုံးရှုံးမှုကိုလျှော့ချရန်အတွက် လျင်မြန်စွာထုတ်ပေးနိုင်သည်။ PWM ထိန်းချုပ်ချစ်ပ်၏အချက်ပြမှုသည် မူလအထွက်နှင့်သွေးခုန်နှုန်းကြားရှိ signal amplification MOSFET နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ signal amplification အတွက်သုံးနိုင်သော transformer primary PWM ထိန်းချုပ်မှု ချစ်ပ်၏ အချက်ပြထွက်ရှိမှုနှင့် မူလသွေးခုန်နှုန်း ထရန်စဖော်မာကို အချက်ပြချဲ့ထွင်ရန်အတွက် MOSFET နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ၎င်းသည် PWM အချက်ပြ၏ မောင်းနှင်နိုင်စွမ်းကို ပိုမိုတိုးတက်စေပါသည်။

 

ပင်မသွေးခုန်နှုန်းထရန်စဖော်မာကို စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုထုတ်လွှတ်သည့် ဆားကစ်တစ်ခုနှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ PWM အချက်ပြမှု အဆင့်နိမ့်သောအခါ၊ PWM အချက်ပြမှု အဆင့်နိမ့်သောအခါ PWM သည် မြင့်မားသောအဆင့်တွင် ရှိနေသောအခါ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုလွှတ်ပေးရေး circuit သည် pulse transformer တွင် သိုလှောင်ထားသောစွမ်းအင်ကို ထုတ်လွှတ်သည်၊ ပထမ MOSFET ၏ရင်းမြစ်နှင့် ဒုတိယ MOSFET သည် အလွန်နိမ့်ပါးသောကြောင့် ဝင်ရောက်စွက်ဖက်ခြင်းကို ကာကွယ်ရန် အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

 

တိကျသောအကောင်အထည်ဖော်မှုတစ်ခုတွင်၊ signal amplification အတွက် low-power MOSFET Q1 ကို PWM control chip ၏ signal output terminal A နှင့် pulse transformer Tl ၏မူလတန်းနှင့် pulse transformer ၏ပထမ output terminal ကိုချိတ်ဆက်ထားသည်။ diode D1 နှင့် မောင်းနှင်သော resistor Rl မှတစ်ဆင့် ပထမ MOSFET Q4 ၏တံခါး၊ pulse transformer ၏အလယ်တန်းဒုတိယအထွက်ဂိတ်သည် diode D2 နှင့် drive resistor R2 မှတဆင့်ဒုတိယ MOSFET Q5 ၏ဂိတ်နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ pulse transformer ၏ အလယ်တန်း၏ ပထမအထွက် terminal သည် first drain triode Q2 နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားပြီး ဒုတိယ drain triode Q3 သည် second drain triode Q3 နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားသည်။ MOSFET Q5၊ pulse transformer ၏ပထမ output terminal ကို first drain transistor Q2 နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားပြီး pulse transformer ၏ ဒုတိယ output terminal ကို second drain transistor Q3 နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားပါသည်။

 

ပထမ MOSFET Q4 ၏တံခါးသည် Drain resistor R3 နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ဒုတိယ MOSFET Q5 ၏တံခါးကို Drain resistor R4 နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ pulse transformer Tl ၏အဓိကအား စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့် circuit နှင့်လည်း ချိတ်ဆက်ထားပြီး စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနှင့် ထုတ်လွှတ်သည့် circuit တွင် resistor R5၊ capacitor Cl နှင့် diode D3 နှင့် resistor R5 နှင့် capacitor Cl တို့ကို ချိတ်ဆက်ထားသည်။ Parallel နှင့် အထက်ဖော်ပြပါ Parallel circuit ကို diode D3 ဖြင့် အစီအရီ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ PWM ထိန်းချုပ်မှု ချစ်ပ်မှ PWM အချက်ပြအထွက်ကို ပါဝါနည်းသော MOSFET Q2 နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး ပါဝါနည်းသော MOSFET Q2 ကို pulse transformer ၏ အလယ်တန်းနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ပါဝါနည်းသော MOSFET Ql ဖြင့် ချဲ့ထွင်ပြီး pulse transformer Tl ၏မူလတန်းသို့ အထွက်အား။ PWM အချက်ပြမှု မြင့်မားသောအခါ၊ ပထမ MOSFET Q4 နှင့် ဒုတိယ MOSFET Q5 ကို လုပ်ဆောင်ရန် pulse transformer Tl ၏ အလယ်တန်း၏ ပထမ output terminal နှင့် ဒုတိယ output terminal သည် high level signals များကို ထုတ်ပေးပါသည်။

 

PWM အချက်ပြမှုနည်းသောအခါ ပထမအထွက်နှင့် pulse transformer ၏ဒုတိယ output သည် pulse transformer Tl အလယ်တန်း output low level signals ၊ first drain transistor Q2 နှင့် second drain transistor Q3 conduction ၊ first MOSFETQ4 gate source capacitance ကို drain resistor R3 မှတဆင့်၊ discharge အတွက် ပထမ drain transistor Q2၊ ဒုတိယ MOSFETQ5 gate source capacitance သည် drain resistor R4၊ discharge အတွက် second drain transistor Q3၊ ဒုတိယ MOSFETQ5 gate source capacitance ကို drain resistor R4၊ discharge အတွက် second drain transistor Q3 ဒုတိယ၊ MOSFETQ5 ဂိတ်ရင်းမြစ် capacitance သည် drain resistor R4 မှတဆင့် discharge အတွက်ဒုတိယ drain transistor Q3 ။ ဒုတိယ MOSFETQ5 gate source capacitance ကို drain resistor R4 နှင့် second drain transistor Q3 မှတဆင့် discharge လုပ်ပြီး ပထမ MOSFET Q4 နှင့် ဒုတိယ MOSFET Q5 ကို ပိုမြန်စေပြီး power ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချနိုင်ပါသည်။

 

PWM အချက်ပြမှုနည်းသောအခါ၊ သိုလှောင်ထားသော စွမ်းအင်ထုတ်လွှတ်သည့် ဆားကစ်သည် resistor R5၊ capacitor Cl နှင့် diode D3 ဖြင့် PWM မြင့်မားနေချိန်တွင် pulse transformer တွင် သိုလှောင်ထားသောစွမ်းအင်ကို ထုတ်လွှတ်ပေးပြီး ပထမ MOSFET Q4 နှင့် ဒုတိယ MOSFET ၏ဂိတ်ရင်းမြစ်ကို သေချာစေသည် Q5 သည် အလွန်နိမ့်ကျပြီး ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှု ဆန့်ကျင်ရေး ရည်ရွယ်ချက်ကို ဆောင်ရွက်ပေးသည်။ Diode Dl နှင့် Diode D2 သည် output current ကို တစ်ဖက်သတ်လမ်းကြောင်းအတိုင်း လုပ်ဆောင်ပေးသောကြောင့် PWM လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်၏ အရည်အသွေးကို အာမခံပြီး တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ ၎င်းသည် အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ အနှောင့်အယှက်ဆန့်ကျင်သည့် အခန်းကဏ္ဍမှလည်း ပါဝင်ပါသည်။