၁၊ အရည်အသွေးပိုင်း ဆိုင်ရာ စီရင်ချက်MOSFETကောင်းသည်ဖြစ်စေ ဆိုးသည်ဖြစ်စေ၊
MOSFET အစားထိုးခြင်း နိယာမ နှင့် အကောင်း သို့မဟုတ် အဆိုး စီရင်ဆုံးဖြတ်ခြင်း ပထမဦးစွာ multimeter R × 10kΩ ဘလောက် (built-in 9V သို့မဟုတ် 15V ဘက်ထရီ) ကို အသုံးပြု၍ အနှုတ်ဘော (အနက်ရောင်) ဂိတ် (G) နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော အပြုသဘောဘောပင် (အနီရောင်)၊ အရင်းအမြစ် (S)။ ဂိတ်ပေါက်နှင့် အရင်းအမြစ်ကြားတွင် အားသွင်းသောအခါ၊ multimeter pointer သည် အနည်းငယ်ကွဲလွဲနေလိမ့်မည်။ တစ်ဖန် multimeter R × 1Ω ဘလောက်ကိုသုံးပြီး၊ မြောင်း (D) သို့ အနုတ်ဘောပင်၊ အရင်းအမြစ် (S) သို့ အပြုသဘောဆောင်သောဘောပင်၊ MOSFET သည် အနည်းငယ် ohms ၏တန်ဖိုးကို ညွှန်ပြပြီး MOSFET ကောင်းသည်ဟု ညွှန်ပြသည်။
2၊ လမ်းဆုံ MOSFET လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အရည်အသွေးပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။
မာလ်တီမီတာကို R×100 ဖိုင်သို့ ခေါ်ဆိုမည်ဖြစ်ပြီး၊ တတိယခြေအား ဆိုင်းငံ့ထားရန် အနီရောင်ဘောပင်၊ မီတာအပ်၏ အနည်းငယ်လွှဲခြင်းကို တွေ့ရှိပါက တတိယခြေသည် တံခါးပေါက်ဖြစ်ကြောင်း သက်သေပြပါ။ ပိုသိသာထင်ရှားတဲ့ ရလဒ်တွေကို ရချင်ရင်တော့ ဆိုင်းငံ့ထားတဲ့ ခြေဖဝါးကို လက်ချောင်းနဲ့ ထိဖို့ ခန္ဓာကိုယ်ကို အသုံးပြုပြီး အပ်ကို သိသိသာသာ ကွဲထွက်သွားတာကို မြင်သရွေ့ တံခါးပေါက်အတွက် ဆိုင်းငံ့ထားတဲ့ ခြေကို ညွှန်ပြပေးနိုင်ပါတယ်။ အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းအတွက် နှစ်ပေကျန်ရှိသည်။
ခွဲခြားဆက်ဆံရခြင်းအကြောင်းများJFETinput resistance သည် 100MΩ ထက် ပိုကြီးသည်၊ transconductance သည် အလွန်မြင့်မားသည်၊ gate သည် open-circuit ဖြစ်သောအခါ၊ space electromagnetic field ကို gate voltage signal ဖြင့် အလွယ်တကူ induced နိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် tube သည် ပြတ်တောက်သွားသည်၊ သို့မဟုတ် conduction ဖြစ်တတ်သည်။ အကယ်၍ လူ့ခန္ဓာကိုယ်သည် gate induction voltage သို့ တိုက်ရိုက်ဝင်ရောက်ပါက input interference signal အားကောင်းသောကြောင့်၊ အထက်ဖော်ပြပါဖြစ်စဉ်သည် ပိုမိုထင်ရှားလာမည်ဖြစ်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဘယ်ဘက်ဘက်လိုက်ရှိ အပ်သည် အလွန်ကြီးမားသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ပြွန်သည် ပြတ်တောက်သွားတတ်သည်၊ Drain-source resistance RDS တိုးလာသည်၊ drain-source current သည် IDS ကို လျော့နည်းသွားသည်ဟု ဆိုလိုသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်တွင်၊ ပြွန်သည် conduction ဖြစ်လေ့ရှိသောကြီးမားသော deflection ၏ညာဘက်ခြမ်းရှိအပ်၊ RDS ↓၊ IDS ↑။ သို့ရာတွင်၊ မီတာအပ်မှ အမှန်တကယ် လှည့်ထွက်သွားသော မည်သည့် ဦးတည်ချက်ကို ဖြစ်ပေါ်စေသော ဗို့အား (ရှေ့သို့ သို့မဟုတ် နောက်ပြန်ဗို့အား) နှင့် ပြွန်၏ လည်ပတ်မှုအမှတ်ဖြင့် ဆုံးဖြတ်သင့်သည်။
ကြိုတင်သတိပေးချက်များ:
စမ်းသပ်မှုရလဒ်များက လက်နှစ်ဖက်စလုံးကို D နှင့် S တိုင်များမှ ကာရံထားပြီး တံခါးကိုသာထိသောအခါ၊ မီတာအပ်သည် ယေဘုယျအားဖြင့် ဘယ်ဘက်သို့ပြောင်းသွားကြောင်းပြသသည်။ သို့သော် လက်နှစ်ဘက်စလုံးသည် D နှင့် S တိုင်များကို အသီးသီးထိလိုက်ကြပြီး လက်ချောင်းများက တံခါးပေါက်ကိုထိသောအခါ၊ မီတာအပ်ကို ညာဘက်သို့ ကွေ့သွားစေရန် သတိပြုနိုင်သည်။ အကြောင်းရင်းမှာ လူ့ခန္ဓာကိုယ်၏ အစိတ်အပိုင်းများစွာနှင့် ခုခံမှုဘက်လိုက်ခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။MOSFETsaturation ဒေသသို့။
Crystal triode pin ၏ဆုံးဖြတ်ချက်
Triode သည် core (PN လမ်းဆုံနှစ်ခု)၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်း (၃)ခုနှင့် ပြွန်ခွံတစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး လျှပ်ကူးပစ္စည်းသုံးခုကို collector c၊ emitter e၊ base b ဟုခေါ်သည်။ လက်ရှိတွင် အသုံးများသော triode သည် silicon planar tube ဖြစ်ပြီး၊ PNP-type နှင့် NPN-type ဟူ၍ အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲထားသည်။ ဂျာမီယမ်အလွိုင်းပြွန်များသည် ယခုအခါ ရှားပါးလာသည်။
ဤနေရာတွင် triode ၏ triode ခြေထောက်များကိုတိုင်းတာရန် multimeter ကိုအသုံးပြုရန်ရိုးရှင်းသောနည်းလမ်းကိုမိတ်ဆက်ပေးပါမည်။
1၊ အောက်ခြေတိုင်ကိုရှာပါ၊ ပြွန်အမျိုးအစား (NPN သို့မဟုတ် PNP) ကိုဆုံးဖြတ်ပါ။
PNP-type triode အတွက်၊ C နှင့် E တိုင်များသည် ၎င်းအတွင်းရှိ PN လမ်းဆုံနှစ်ခု၏ အပြုသဘောဆောင်သောဝင်ရိုးများဖြစ်ပြီး B တိုင်သည် ၎င်း၏ဘုံအနှုတ်တိုင်ဖြစ်ပြီး NPN-type triode သည် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်ပြီး C နှင့် E တိုင်များသည် အနှုတ်ဝင်ရိုးများဖြစ်သည်။ PN လမ်းဆုံနှစ်ခု၏ B တိုင်သည် ၎င်း၏ဘုံအပြုသဘောဆောင်သည့်တိုင်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် အခြေခံဝင်ရိုးစွန်းနှင့် PN လမ်းဆုံ၏ အပြုသဘောဆောင်သော ခုခံမှုလက္ခဏာများနှင့်အညီ ပြွန်အမျိုးအစားကို ဆုံးဖြတ်ရန် လွယ်ကူသည်၊ . တိကျသောနည်းလမ်းမှာ-
R × 100 သို့မဟုတ် R × 1K ဂီယာတွင် နံပါတ်တပ်ထားသော multimeter ကိုသုံးပါ။ အနီရောင် ဘောပင်ကို ပင်နံပါတ်တစ်ခုနှင့် ထိပါ၊ ထို့နောက် အနက်ရောင်ဘောပင်ကို အခြားပင်နှစ်ချောင်းနှင့် ချိတ်ဆက်ထားကာ အသုံးပြုပါက အုပ်စုသုံးစု (အုပ်စုတစ်စုစီမှ) ဖတ်ရှုမှု ၃ ခုကို ရနိုင်စေရန်၊ ဖတ်ရှုမှု နှစ်စုံအနက်မှ တစ်ခုသည် ခုခံမှုတန်ဖိုးနည်းသောအခါ၊ ရာဂဏန်း ohms၊ အများသူငှာ pin များသည် အနီရောင်ဘောပင်ဖြစ်ပါက၊ contact သည် base ဖြစ်ပြီး transistor အမျိုးအစား PNP အမျိုးအစား၊ အများသူငှာ ပင်နံပါတ်များသည် ဘောနက်ဖြစ်ပါက၊ အဆက်အသွယ်သည် အခြေခံဖြစ်ပြီး၊ NPN အမျိုးအစား၏ ထရန်စစ္စတာအမျိုးအစားဖြစ်သည်။
၂၊ ထုတ်လွှတ်သူနှင့် စုဆောင်းသူကို ခွဲခြားသတ်မှတ်ပါ။
triode ထုတ်လုပ်မှုတွင် P ဧရိယာနှစ်ခု သို့မဟုတ် N ဧရိယာနှစ်ခုသည် doping အာရုံစူးစိုက်မှုအတွင်း ကွဲပြားသည်၊ အကယ်၍ မှန်ကန်သောအသံချဲ့စက်၊ triode သည် ပြင်းထန်သောအသံချဲ့စက်ရှိပြီး အပြန်အလှန်အားဖြင့် မှားယွင်းသောအသံချဲ့စက်ဖြင့်၊ အသံချဲ့စက်အများအပြား၏ အသံချဲ့စက်သည် အလွန်အားနည်းနေပါသည်။ ထို့ကြောင့် မှန်ကန်သော အသံချဲ့စက်ဖြင့် triode၊ မှားယွင်းသော အသံချဲ့စက်ဖြင့် triode သည် ကြီးမားသော ခြားနားမှု ရှိလိမ့်မည်။
tube အမျိုးအစားနှင့် base b ကို ခွဲခြားသတ်မှတ်ပြီးနောက်၊ စုဆောင်းသူနှင့် emitter ကို အောက်ပါနည်းလမ်းဖြင့် ဖော်ထုတ်နိုင်ပါသည်။ R x 1K ကို နှိပ်ပြီး multimeter ကို ခေါ်ဆိုပါ။ ခြေရင်းနှင့် အခြားပင်ကို လက်နှစ်ဖက်ဖြင့် ဖိပါ (လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ တိုက်ရိုက်မထိမိစေရန် သတိထားပါ)။ တိုင်းတာမှုဖြစ်စဉ်ကို သိသာထင်ရှားစေရန်အတွက်၊ သင့်လက်ချောင်းများကို ရေစွတ်ပြီး အနီရောင်ဘောပင်ကို အရင်းဖြင့် ဖိပါ၊ အနက်ရောင်ဘောပင်ကို အခြားပင်ဖြင့် ညှပ်ကာ ပေါင်းထည့်ကိရိယာ၏ ညာဘက်လွှဲသည့် ပြင်းအားကို အာရုံစိုက်ပါ။ ထို့နောက် ပင်တန်းနှစ်ခုကို ချိန်ညှိပါ၊ အထက်ဖော်ပြပါ တိုင်းတာမှု အဆင့်များကို ပြန်လုပ်ပါ။ တိုင်းတာမှုနှစ်ခုရှိ အပ်လွှဲ၏ ပမာဏကို နှိုင်းယှဉ်ပြီး အစိတ်အပိုင်းကို ပိုကြီးသောလွှဲဖြင့် ရှာဖွေပါ။ PNP-type ထရန်စစ္စတာများအတွက်၊ အနက်ရောင်ဘောပင်ကို pin နှင့် base pinch ကို အတူတကွချိတ်ဆက်ပါ၊ ပင်အပ်လွှဲခွင်ပမာဏပိုကြီးသည့်နေရာကိုရှာဖွေရန် အထက်ဖော်ပြပါစမ်းသပ်မှုများကို ထပ်လုပ်ပါ၊ NPN အမျိုးအစားအတွက်၊ အနက်ရောင်ဘောပင်သည် base၊ အနီရောင်၊ ဘောပင်သည် emitter နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ PNP အမျိုးအစားတွင်၊ အနီရောင်ဘောပင်သည် စုဆောင်းသူနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ အနက်ရောင်ဘောပင်သည် ထုတ်လွှတ်သည့်အရာနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။
ဤသတ်မှတ်ခြင်းနည်းလမ်း၏နိယာမမှာ multimeter တွင်ဘက်ထရီကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်ပြီး၊ ဗို့အားကို transistor ၏စုဆောင်းမှုနှင့် emitter ထဲသို့ထည့်သည်၊ ထို့ကြောင့်၎င်းသည်အသံချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းရှိသည်။ ၎င်း၏အခြေခံ၊ စုဆောင်းသူအား လက်ဖြင့်ဆွဲကိုင်ကာ triode သို့ လက်ဖြင့် ခုခံနိုင်မှု နှင့် ညီမျှသည် ၊ ထို့ကြောင့် ၎င်းသည် လုပ်ဆောင်နိုင်ရန်၊ ဤအချိန်တွင် ညာဘက်သို့ လွှဲနေသည့် မီတာအပ်၏ ပြင်းအားသည် ၎င်း၏ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းကို ရောင်ပြန်ဟပ်နေသောကြောင့် သင်သည် မှန်ကန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ emitter, collector ၏တည်နေရာကိုဆုံးဖြတ်ပါ။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ ၂၁-၂၀၂၄
