MOSFET Anti-Reverse Circuit

ပထမဦးစွာ MOSFET ဆန့်ကျင်ဘက်ပြောင်းပြန်ပတ်လမ်း၏အခြေခံနိယာမ

MOSFET ၏ switching ဝိသေသလက္ခဏာများကို အသုံးပြု၍ MOSFET ဆန့်ကျင်ပြန်ဆားကစ်သည် ဆားကစ်အဖွင့်အပိတ်ကို သိရှိရန် gate (G) ဗို့အားကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့်၊ power supply polarity မှန်ကန်သောအခါ၊ gate voltage သည် conduction state တွင် MOSFET ကိုဖြစ်စေသည်၊ လက်ရှိပုံမှန်အတိုင်းစီးဆင်းနိုင်သည်။ power supply polarity သည် ပြောင်းပြန်ဖြစ်သောအခါ၊ gate voltage သည် MOSFET conduction ကို မဖြစ်စေသောကြောင့် circuit ကိုဖြတ်တောက်သည်။

ဒုတိယအချက်၊ MOSFET ဆန့်ကျင်ဘက်ပြောင်းပြန်ပတ်လမ်း၏ တိကျသောနားလည်သဘောပေါက်မှု

1. N-channel MOSFET ဆန့်ကျင်ဘက်ပြောင်းပြန်ပတ်လမ်း

N-channel MOSFET များကို အများအားဖြင့် anti-reverse circuit များကို သိရှိရန် အသုံးပြုကြသည်။ ဆားကစ်တွင်၊ N-channel MOSFET ၏အရင်းအမြစ် (S) ကိုဝန်၏အနှုတ် terminal နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ D သည် power supply ၏ positive terminal သို့ချိတ်ဆက်ထားပြီး gate (G) နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ resistor မှတဆင့် power supply ၏ negative terminal သို့မဟုတ် control circuit ဖြင့် ထိန်းချုပ်သည်။

ရှေ့သို့ချိတ်ဆက်မှု- ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏အပြုသဘောဆောင်သောဂိတ်သည် D နှင့်ချိတ်ဆက်ထားပြီး အနုတ် တာမီနယ်ကို S နှင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ယခုအချိန်တွင်၊ resistor သည် MOSFET အတွက်ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား (VGS) ကိုပေးဆောင်ပြီး VGS သည် သတ်မှတ်ချက်ထက်ကြီးသောအခါ၊ MOSFET ၏ဗို့အား (Vth)၊ MOSFET သည် လည်ပတ်နေပြီး၊ ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အပြုသဘောဆောင်သော ဂိတ်မှ MOSFET မှတဆင့် ဝန်ထံသို့ လက်ရှိစီးဆင်းသည်။

ပြောင်းပြန်သောအခါ- power supply ၏ positive terminal သည် S နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး negative terminal သည် D နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ယခုအချိန်တွင် MOSFET သည် cutoff state တွင်ရှိနေပြီး gate voltage ကြောင့် load ကိုပျက်စီးခြင်းမှကာကွယ်ရန်အတွက် circuit ကို disconnect လုပ်ထားသည်။ MOSFET အပြုအမူကို ပြုလုပ်ရန် လုံလောက်သော VGS ကို မဖွဲ့စည်းနိုင်ပါ (VGS သည် 0 အောက် သို့မဟုတ် Vth ထက် များစွာနည်းနိုင်သည်)။

2. Auxiliary Components များ၏ အခန်းကဏ္ဍ

Resistor- MOSFET အတွက် gate source voltage နှင့် gate current ကို ကန့်သတ်ရန် အသုံးပြုပါသည်။

ဗို့အားထိန်းညှိခြင်း- ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား မြင့်မားခြင်းနှင့် MOSFET ကို ဖြိုခွဲခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည့် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု။

Parasitic Diode- ကပ်ပါးဒိုင်အိုဒ (body diode) သည် MOSFET အတွင်းတွင်ရှိပြီး၊ သို့သော်၎င်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုဆန့်ကျင်ပြန်ပြန်ဆားကစ်များတွင်၎င်း၏အန္တရာယ်ရှိသောအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုရှောင်ရှားရန်အတွက်ဆားကစ်ဒီဇိုင်းဖြင့်၎င်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလျစ်လျူရှုခြင်း သို့မဟုတ် ရှောင်ရှားကြသည်။

တတိယအချက်၊ MOSFET ဆန့်ကျင်ဘက်ပြောင်းပြန်ပတ်လမ်း၏အားသာချက်များ

 

နိမ့်ကျခြင်း- MOSFET on-resistance သေးငယ်သည်၊ on-resistance ဗို့အား လျော့နည်းသွားသည်၊ ထို့ကြောင့် circuit ဆုံးရှုံးမှုသည် သေးငယ်သည်။

 

 

မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှု- ဆန့်ကျင်ဘက်ပြောင်းပြန်လုပ်ဆောင်ချက်ကို ရိုးရှင်းသော ဆားကစ်ဒီဇိုင်းဖြင့် သိရှိနိုင်ပြီး MOSFET ကိုယ်တိုင်က ယုံကြည်စိတ်ချရမှု မြင့်မားသည်။

 

ပျော့ပြောင်းမှု- မတူညီသော လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် မတူညီသော MOSFET မော်ဒယ်များနှင့် ဆားကစ်ဒီဇိုင်းများကို ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

 

ကြိုတင်သတိပေးချက်များ

 

MOSFET ဆန့်ကျင်ဘက်ပတ်လမ်း၏ ဒီဇိုင်းတွင်၊ ဗို့အား၊ လက်ရှိ၊ ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် အခြားသော ကန့်သတ်ချက်များအပါအဝင် လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် MOSFET များကို ရွေးချယ်ထားကြောင်း သေချာစေရမည်။

 

ဆားကစ်စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်ဆိုးရွားသောသက်ရောက်မှုများကိုရှောင်ရှားရန်အတွက် parasitic capacitance၊ parasitic inductance စသည်တို့ကဲ့သို့သော circuit ရှိအခြားအစိတ်အပိုင်းများ၏သြဇာလွှမ်းမိုးမှုကိုထည့်သွင်းစဉ်းစားရန်လိုအပ်သည်။

 

လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် ဆားကစ်၏တည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုသေချာစေရန် လုံလောက်သောစမ်းသပ်ခြင်းနှင့် အတည်ပြုခြင်းလည်း လိုအပ်ပါသည်။

 

အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET ဆန့်ကျင်ဘက်ပတ်လမ်းသည် ရိုးရှင်းသော၊ ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုကာကွယ်ရေးအစီအစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ပြောင်းပြန်ပါဝါဝင်ရိုးစွန်းကို ကာကွယ်ရန် လိုအပ်သော အသုံးချပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုထားသည်။