MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) များကို အပြည့်အဝ ထိန်းချုပ်နိုင်သော ကိရိယာများအဖြစ် သတ်မှတ်လေ့ရှိသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် MOSFET ၏ လည်ပတ်မှုအခြေအနေ (အဖွင့်အပိတ်) ကို ဂိတ်ဗို့အား (Vgs) ဖြင့် လုံးလုံးလျားလျား ထိန်းချုပ်ထားပြီး bipolar transistor (BJT) ကဲ့သို့ base current ပေါ်တွင်မူတည်ခြင်းမရှိသောကြောင့်ဖြစ်သည်။
MOSFET တွင်၊ Gate Voltage Vgs သည် အရင်းအမြစ်နှင့် Drain ကြားတွင် conducting channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းထားခြင်းရှိမရှိကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့်အပြင် conducting channel ၏ width နှင့် conductivity ကို ဆုံးဖြတ်သည်။ Vgs သည် အတိုင်းအတာဗို့အား Vt ကိုကျော်လွန်သောအခါ၊ conducting channel ကိုဖွဲ့စည်းပြီး MOSFET သည် on-state သို့ဝင်ရောက်သည်။ Vgs သည် Vt အောက်တွင် ကျရောက်သောအခါ၊ conducting channel သည် ပျောက်သွားပြီး MOSFET သည် cut-off အခြေအနေတွင် ရှိနေသည်။ ဂိတ်ဗို့အားသည် အခြားလက်ရှိ သို့မဟုတ် ဗို့အားဘောင်များကို မှီခိုခြင်းမရှိဘဲ MOSFET ၏လည်ပတ်မှုအခြေအနေကို အမှီအခိုကင်းပြီး တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်သောကြောင့် ဤထိန်းချုပ်မှုကို အပြည့်အဝထိန်းချုပ်ထားသည်။
ဆန့်ကျင်ဘက်အားဖြင့်၊ တဝက်ထိန်းချုပ်ထားသော စက်ပစ္စည်းများ၏ လည်ပတ်မှုအခြေအနေ (ဥပမာ၊ thyristors) သည် ထိန်းချုပ်မှုဗို့အား သို့မဟုတ် လျှပ်စီးကြောင်းကြောင့်သာမက အခြားအချက်များ (ဥပမာ၊ anode ဗို့အား၊ လျှပ်စီးကြောင်း စသည်) တို့မှလည်း သက်ရောက်မှုရှိသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့်၊ အပြည့်အဝထိန်းချုပ်ထားသောကိရိယာများ (ဥပမာ၊ MOSFETs) များသည် ထိန်းချုပ်မှုတိကျမှုနှင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိမှုများတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးဆောင်လေ့ရှိသည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET များသည် ဂိတ်ဗို့အားဖြင့် လုံးဝထိန်းချုပ်ထားသည့် လည်ပတ်မှုအခြေအနေကို အပြည့်အဝထိန်းချုပ်ထားသည့်ကိရိယာများဖြစ်ပြီး တိကျမှု၊ မြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်း၏ အားသာချက်များရှိသည်။
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၂၀-၂၀၂၄
