ဂိတ်ပေါက်စွမ်းရည်နှင့် MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ကဲ့သို့သော ကန့်သတ်ချက်များသည် ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို အကဲဖြတ်ရန်အတွက် အရေးကြီးသော ညွှန်ကိန်းများဖြစ်သည်။ အောက်ဖော်ပြပါသည် ဤကန့်သတ်ချက်များ၏ အသေးစိတ်ရှင်းလင်းချက်ဖြစ်သည်-
I. Gate capacitance
Gate capacitance တွင် အဓိကအားဖြင့် input capacitance (Ciss)၊ output capacitance (Coss) နှင့် reverse transfer capacitance (Crss၊ Miller capacitance) ဟုလည်း ခေါ်သည်။
Input Capacitance (Ciss)-
အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်- input capacitance သည် gate နှင့် source နှင့် drain အကြား စုစုပေါင်း capacitance ဖြစ်ပြီး၊ gate source capacitance (Cgs) နှင့် gate drain capacitance (Cgd) သည် အပြိုင်ချိတ်ဆက်ထားသော Ciss = Cgs + Cgd တို့ ပါဝင်ပါသည်။
လုပ်ဆောင်ချက်- input capacitance သည် MOSFET ၏ switching speed ကို အကျိုးသက်ရောက်သည်။ input capacitance ကို threshold voltage သို့ အားသွင်းသောအခါ၊ ကိရိယာကို ဖွင့်နိုင်သည်။ သတ်မှတ်ထားသော တန်ဖိုးတစ်ခုသို့ ထုတ်လွှတ်လိုက်သည်၊ စက်ပစ္စည်းကို ပိတ်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ မောင်းနှင်သည့်ပတ်လမ်းနှင့် Ciss သည် စက်၏အဖွင့်နှင့်အဖွင့်နှောင့်နှေးမှုအပေါ် တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသည်။
အထွက်စွမ်းရည် (Coss)-
အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်- output capacitance သည် drain နှင့် source အကြား စုစုပေါင်း capacitance ဖြစ်ပြီး၊ မျဉ်းပြိုင်တွင် drain-source capacitance (Cds) နှင့် gate-drain capacitance (Cgd) ၊ ဆိုလိုသည်မှာ Coss = Cds + Cgd ပါဝင်သည်။
အခန်းကဏ္ဍ- soft-switching applications များတွင် Coss သည် circuit အတွင်းရှိ resonance ဖြစ်စေနိုင်သောကြောင့် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။
Reverse Transmission Capacitance (Crss)-
အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်- ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းနိုင်မှုစွမ်းရည်သည် ဂိတ်ပေါက်ပေါက်စွမ်းရည် (Cgd) နှင့် ညီမျှပြီး Miller capacitance ဟု မကြာခဏ ရည်ညွှန်းသည်။
အခန်းကဏ္ဍ- ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်သည် ခလုတ်၏ အတက်အဆင်းအချိန်များအတွက် အရေးကြီးသော ဘောင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် အဖွင့်နှောင့်နှေးချိန်ကိုလည်း သက်ရောက်မှုရှိသည်။ Drain-source voltage တိုးလာသည်နှင့်အမျှ capacitance တန်ဖိုးသည် ကျဆင်းသွားသည်။
II ခုခံမှု (Rds(on))
အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်- On-resistance သည် သီးခြားအခြေအနေများ (ဥပမာ၊ သီးခြား ယိုစိမ့်နေသော လျှပ်စီးကြောင်း၊ ဂိတ်ဗို့အားနှင့် အပူချိန်) တို့တွင် MOSFET ၏ အရင်းအမြစ်နှင့် ယိုစီးမှုအကြား ခုခံမှုဖြစ်သည်။
လွှမ်းမိုးနိုင်သောအချက်များ- On-resistance သည် ပုံသေတန်ဖိုးမဟုတ်ပါ၊ ၎င်းသည် အပူချိန်၊ အပူချိန်မြင့်မားလေ၊ Rds(on) ကြီးလေလေဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ခံနိုင်အားဗို့အားမြင့်လေ၊ MOSFET ၏အတွင်းပိုင်းဖွဲ့စည်းပုံမှာ ပိုထူလေ၊ သက်ဆိုင်ရာ on-resistance မြင့်မားလေဖြစ်သည်။
အရေးပါမှု- switching power supply သို့မဟုတ် driver circuit ကို ဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ MOSFET မှ ဖြတ်သန်းစီးဆင်းနေသော လက်ရှိသည် ဤ resistance အတွက် စွမ်းအင်ကို စားသုံးမည်ဖြစ်သောကြောင့် MOSFET ၏ on-resistance ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်သောကြောင့်၊ ခုခံမှုဆုံးရှုံးမှု။ ခုခံမှုနည်းသော MOSFET ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် ခုခံမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။
တတိယ၊ အခြားအရေးကြီးသောဘောင်များ
Gate Capacitance နှင့် On-resistance အပြင် MOSFET တွင် အခြားသော အရေးကြီးသော ကန့်သတ်ဘောင်များ ပါရှိပါသည်။
V(BR)DSS (Drain Source Breakdown Voltage):Drain မှတဆင့် စီးဆင်းနေသော လျှပ်စီးကြောင်းသည် တိကျသော အပူချိန်တစ်ခုတွင် တိကျသော အပူချိန်တစ်ခုသို့ ရောက်ရှိပြီး ဂိတ်ရင်းမြစ်ကို တိုတိုတုတ်တုတ်ဖြင့် ရောက်ရှိသည့် Drain source ဗို့အား။ ဤတန်ဖိုးထက်၊ ပြွန်ပျက်စီးနိုင်သည်။
VGS(th) (Threshold Voltage):အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားတွင် conducting channel ကို စတင်ဖြစ်ပေါ်စေရန် gate voltage သည် လိုအပ်သည်။ ပုံမှန် N-channel MOSFET များအတွက် VT သည် 3 မှ 6V ခန့်ဖြစ်သည်။
ID (အမြင့်ဆုံး Continuous Drain Current):အမြင့်ဆုံးအဆင့်သတ်မှတ်ထားသော လမ်းဆုံအပူချိန်တွင် ချစ်ပ်မှခွင့်ပြုနိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးဆက်တိုက် DC လျှပ်စီးကြောင်း။
IDM (အများဆုံး Pulsed Drain Current):Pulsed current သည် စဉ်ဆက်မပြတ် DC လျှပ်စီးကြောင်းထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသဖြင့် စက်ကကိုင်တွယ်နိုင်သည့် pulsed Current အဆင့်ကို ရောင်ပြန်ဟပ်သည်။
PD (အမြင့်ဆုံးပါဝါ dissipation):စက်ပစ္စည်းသည် အမြင့်ဆုံးပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျော့ပါးစေနိုင်သည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET ၏ gate capacitance၊ on-resistance နှင့် အခြားသော parameters များသည် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် application အတွက် အရေးပါပြီး သီးခြား application scenarios နှင့် လိုအပ်ချက်များအရ ရွေးချယ်ပြီး ဒီဇိုင်းဆွဲရန် လိုအပ်ပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၁၈-၂၀၂၄