ပါဝါ MOSFET ၏ ကန့်သတ်ချက်တစ်ခုစီ၏ ရှင်းလင်းချက်

VDSS အများဆုံး Drain-Source ဗို့အား

ဂိတ်ရင်းမြစ်ကို အတိုချုံ့လိုက်ခြင်းဖြင့်၊ ယိုစီးမှုဆိုင်ရာ ဗို့အားအဆင့်သတ်မှတ်ချက် (VDSS) သည် ပြိုကျပျက်စီးခြင်းမရှိဘဲ မြောင်း-ရင်းမြစ်သို့ သက်ရောက်နိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးဗို့အားဖြစ်သည်။ အပူချိန်ပေါ် မူတည်၍ အမှန်တကယ် နှင်းပြိုကျမှု ဗို့အားသည် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသည့် VDSS ထက် နိမ့်နိုင်ပါသည်။ V(BR)DSS ၏အသေးစိတ်ဖော်ပြချက်အတွက် Electrostatic ကိုကြည့်ပါ။

V(BR)DSS ၏ အသေးစိတ်ဖော်ပြချက်အတွက်၊ Electrostatic Characteristics ကို ကြည့်ပါ။

VGS အများဆုံး ဂိတ်ရင်းမြစ် ဗို့အား

VGS ဗို့အားအဆင့်သတ်မှတ်ချက်သည် ဂိတ်ရင်းမြစ်ဝင်ရိုးစွန်းများကြားတွင် သက်ရောက်နိုင်သော အမြင့်ဆုံးဗို့အားဖြစ်သည်။ ဤဗို့အားအဆင့်သတ်မှတ်ခြင်း၏ အဓိကရည်ရွယ်ချက်မှာ ဗို့အားအလွန်အကျွံကြောင့်ဖြစ်ရသည့် gate oxide ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ရန်ဖြစ်သည်။ gate oxide ခံနိုင်ရည်ရှိသော အမှန်တကယ်ဗို့အားသည် သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားထက် များစွာမြင့်မားသော်လည်း ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ကွဲပြားပါသည်။

အမှန်တကယ် gate oxide သည် သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားထက် များစွာမြင့်မားသော ဗို့အားကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော်လည်း ၎င်းသည် ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ကွဲပြားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် VGS ကို အဆင့်သတ်မှတ်ထားသည့် ဗို့အားအတွင်း ထားရှိခြင်းသည် အပလီကေးရှင်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေသည်။

ID - ဆက်တိုက် ယိုစိမ့်နေသော လက်ရှိ

ID သည် အမြင့်ဆုံးအဆင့်သတ်မှတ်ထားသော လမ်းဆုံအပူချိန်၊ TJ(max) နှင့် ပြွန်မျက်နှာပြင်အပူချိန် 25°C သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသောတွင် အများဆုံးခွင့်ပြုနိုင်သော ဆက်တိုက် DC လက်ရှိအဖြစ် သတ်မှတ်သည်။ ဤကန့်သတ်ချက်များသည် လမ်းဆုံနှင့် case၊ RθJC နှင့် case temperature တို့ကြား အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော အပူခံနိုင်ရည်၏ လုပ်ဆောင်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

Switching losses သည် ID တွင်မပါဝင်သည့်အပြင် လက်တွေ့အသုံးပြုရန်အတွက် ပြွန်မျက်နှာပြင်အပူချိန် 25°C (Tcase) တွင် ထိန်းသိမ်းရန်ခက်ခဲသည်။ ထို့ကြောင့်၊ hard-switching applications များတွင် အမှန်တကယ် switching current သည် များသောအားဖြင့် ID အဆင့်သတ်မှတ်ချက် @ TC = 25°C ၏ ထက်ဝက်ထက်နည်းပြီး၊ များသောအားဖြင့် 1/3 မှ 1/4 ကြားတွင်ရှိသည်။ ဖြည့်စွက်။

ထို့အပြင်၊ တိကျသောအပူချိန်ရှိ ID သည် အပူခံနိုင်ရည် JA ကိုအသုံးပြုပါက၊ ပိုမိုလက်တွေ့ကျသောတန်ဖိုးဖြစ်သည်။

IDM - Impulse Drain Current

ဤကန့်သတ်ချက်များသည် ဆက်တိုက် DC လျှပ်စီးကြောင်းထက် များစွာမြင့်မားသော စက်ကိရိယာမှ ကိုင်တွယ်နိုင်သည့် တွန်းအားကို ရောင်ပြန်ဟပ်စေသည်။ IDM ကို သတ်မှတ်ရခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ လိုင်း၏ ohmic ဒေသဖြစ်သည်။ အချို့သော ဂိတ်ရင်းမြစ် ဗို့အားအတွက်၊MOSFETအများဆုံး Drain current ဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။

လက်ရှိ ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၊ ပေးထားသော gate-source voltage တစ်ခုအတွက်၊ operating point သည် linear region တွင်တည်ရှိပါက၊ drain current တိုးလာခြင်းသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို တိုးစေသည့် drain-source voltage ကိုတိုးစေသည်။ ပါဝါမြင့်မားသောအချိန်ကြာကြာလည်ပတ်ခြင်းသည် စက်ချို့ယွင်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။ ဒီအတွက်ကြောင့်

ထို့ကြောင့်၊ အမည်ခံ IDM ကို ပုံမှန် gate drive ဗို့အားများဖြင့် ဒေသအောက်တွင် သတ်မှတ်ရန် လိုအပ်သည်။ ဒေသ၏အဖြတ်အတောက်သည် Vgs နှင့်မျဉ်းကွေးတို့ဆုံရာဖြစ်သည်။

ထို့ကြောင့် ချစ်ပ်ပြား ပူလွန်းပြီး လောင်ကျွမ်းခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အထက်လက်ရှိ သိပ်သည်းဆကန့်သတ်ချက်ကို သတ်မှတ်ရန် လိုအပ်သည်။ ၎င်းသည် ပက်ကေ့ဂျ်လမ်းပြများမှတစ်ဆင့် အလွန်အကျွံစီးဆင်းမှုကို တားဆီးရန်၊ အချို့ကိစ္စများတွင် ချစ်ပ်တစ်ခုလုံးရှိ "အညံ့ဆုံးချိတ်ဆက်မှု" သည် ချစ်ပ်မဟုတ်သော်လည်း ပက်ကေ့ချ်က ဦးဆောင်နေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။

IDM တွင် အပူသက်ရောက်မှု၏ ကန့်သတ်ချက်များကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းဖြင့် အပူချိန်တိုးမှုသည် သွေးခုန်နှုန်း အကျယ်၊ ပဲမျိုးစုံကြားရှိ အချိန်ကာလ၊ အပူငွေ့ပျံခြင်း၊ RDS(on) နှင့် pulse current ၏ လှိုင်းပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ကျယ်ဝန်းမှုအပေါ် မူတည်ပါသည်။ Pulse current သည် IDM ကန့်သတ်ချက်ထက် မကျော်လွန်ကြောင်း ကျေနပ်စေရုံမျှဖြင့် junction temperature ကို အာမမခံနိုင်ပါ။

အများဆုံးခွင့်ပြုသည့်တန်ဖိုးထက် မကျော်လွန်ပါ။ ခုန်နေသောလျှပ်စီးကြောင်းအောက်ရှိ လမ်းဆုံအပူချိန်ကို Thermal and Mechanical Properties တွင် ယာယီအပူခံနိုင်ရည်ရှိသော ဆွေးနွေးမှုကို ရည်ညွှန်းခြင်းဖြင့် ခန့်မှန်းနိုင်သည်။

PD - စုစုပေါင်းခွင့်ပြုနိုင်သော ချန်နယ်ပါဝါ Dissipation

Total Allowable Channel Power Dissipation သည် ကိရိယာမှ ဖြုန်းတီးနိုင်သည့် အမြင့်ဆုံး ပါဝါ dissipation ကို ချိန်ညှိပေးပြီး အမြင့်ဆုံး လမ်းဆုံအပူချိန်နှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော လုပ်ဆောင်ချက်အဖြစ် 25°C တွင် ဖော်ပြနိုင်သည်။

TJ၊ TSTG - လည်ပတ်မှုနှင့် သိုလှောင်မှု ဝန်းကျင် အပူချိန် အတိုင်းအတာ

ဤကန့်သတ်ချက်နှစ်ခုသည် စက်၏လည်ပတ်မှုနှင့် သိုလှောင်မှုပတ်ဝန်းကျင်မှ ခွင့်ပြုထားသော လမ်းဆုံအပူချိန်အကွာအဝေးကို ချိန်ညှိပေးသည်။ ဤအပူချိန်အကွာအဝေးသည် စက်ပစ္စည်း၏ အနိမ့်ဆုံးလည်ပတ်မှုသက်တမ်းကို ပြည့်မီရန် သတ်မှတ်ထားသည်။ စက်ပစ္စည်းသည် ဤအပူချိန်အကွာအဝေးအတွင်း လည်ပတ်နေခြင်းကို သေချာစေခြင်းဖြင့် ၎င်း၏ လည်ပတ်မှုသက်တမ်းကို များစွာတိုးမြှင့်ပေးမည်ဖြစ်သည်။

EAS-Single Pulse Avalanche Breakdown Energy

 

ဗို့အားလွန်ကဲခြင်း (များသောအားဖြင့် ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် လျှပ်စီးကြောင်းကြောင့်) ပြိုကွဲဗို့အားထက် မကျော်လွန်ပါက၊ စက်ပစ္စည်းသည် ပြိုကျပျက်စီးခြင်းသို့ မရောက်ဘဲ ပြိုကျပျက်စီးမှုကို ချေဖျက်နိုင်စွမ်း မလိုအပ်ပါ။ ပြိုကျပျက်စီးသွားသော စွမ်းအင်သည် စက်က ခံနိုင်ရည်ရှိသော ယာယီအရှိန်လွန်မှုကို ချိန်ညှိပေးသည်။

Avalanche breakdown energy သည် စက်ပစ္စည်းတစ်ခုခံနိုင်ရည်ရှိသည့် လျှပ်စီးလျှောလျှောလျှပ်စီးလျှောစီးခြင်း၏ ဘေးကင်းသောတန်ဖိုးကို သတ်မှတ်ပြီး နှင်းတောင်ပြိုကျမှုဖြစ်ပေါ်ရန်အတွက် စွန့်ထုတ်ရန်လိုအပ်သည့် စွမ်းအင်ပမာဏအပေါ် မူတည်သည်။

နှင်းပြိုမှုပြိုကွဲခြင်းဆိုင်ရာ စွမ်းအင်အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကို သတ်မှတ်သည့် စက်ပစ္စည်းတစ်ခုသည် များသောအားဖြင့် UIS အဆင့်သတ်မှတ်ချက်နှင့် အဓိပ္ပာယ်ဆင်တူသည့် EAS အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကိုလည်း သတ်မှတ်ပေးကာ စက်က ဘေးကင်းစွာ စုပ်ယူနိုင်သည့် ပြောင်းပြန်နှင်းလျှော့ပြိုကွဲစွမ်းအင်ကို သတ်မှတ်ပေးသည်။

L သည် inductance တန်ဖိုးဖြစ်ပြီး iD သည် inductor တွင် စီးဆင်းနေသော peak current ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် တိုင်းတာခြင်းကိရိယာရှိ drain current အဖြစ် ရုတ်တရက် ပြောင်းလဲသွားပါသည်။ Inductor တစ်လျှောက် ထုတ်ပေးသည့် ဗို့အားသည် MOSFET ပြိုကွဲသည့်ဗို့အားထက် ကျော်လွန်သွားပြီး ပြိုကျပျက်စီးသွားမည်ဖြစ်သည်။ နှင်းပြိုကျမှု ပြိုကွဲသောအခါ၊ inductor အတွင်းရှိ လျှပ်စီးကြောင်းသည် MOSFET စက်ပစ္စည်းမှတဆင့် စီးဆင်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊MOSFETပိတ်ထားသည်။ inductor တွင် သိမ်းဆည်းထားသော စွမ်းအင်သည် လွင့်နေသော inductor တွင် သိမ်းဆည်းထားသော စွမ်းအင်နှင့် MOSFET မှ လွင့်စင်သွားသည် ။

MOSFET များကို အပြိုင်ချိတ်ဆက်သောအခါ၊ ပြိုကွဲနေသော ဗို့အားများသည် ကိရိယာများကြားတွင် တူညီမှုမရှိပါ။ များသောအားဖြင့် ဖြစ်ပျက်သည်မှာ စက်တစ်ခုသည် နှင်းပြိုကျမှု ပြိုကွဲမှုကို ပထမဆုံးတွေ့ကြုံရပြီး နောက်ဆက်တွဲ နှင်းပြိုမှုပြိုကွဲသည့် ရေစီးကြောင်းများ (စွမ်းအင်) အားလုံးကို ထိုစက်မှတဆင့် စီးဆင်းနေခြင်း ဖြစ်သည်။

EAR - ထပ်ခါတလဲလဲ နှင်းပြိုခြင်း၏ စွမ်းအင်

ထပ်ခါတလဲလဲနှင်းပြိုကျခြင်း၏စွမ်းအင်သည် "စက်မှုလုပ်ငန်းစံသတ်မှတ်ချက်" တစ်ခုဖြစ်လာသော်လည်း၊ ကြိမ်နှုန်း၊ အခြားဆုံးရှုံးမှုများနှင့်အအေးပမာဏကိုမသတ်မှတ်ဘဲ၊ ဤသတ်မှတ်ချက်သည်အဓိပ္ပါယ်မရှိပါ။ အပူပျံ့ခြင်း (အအေးခံခြင်း) အခြေအနေသည် ထပ်ခါတလဲလဲ နှင်းပြိုနေသော စွမ်းအင်ကို ထိန်းချုပ်ပေးလေ့ရှိသည်။ နှင်းတောင်ပြိုကျမှုကြောင့် ထုတ်ပေးတဲ့ စွမ်းအင်အဆင့်ကိုလည်း ခန့်မှန်းရခက်ပါတယ်။

နှင်းတောင်ပြိုကျမှုကြောင့် ထုတ်ပေးတဲ့ စွမ်းအင်အဆင့်ကိုလည်း ခန့်မှန်းရခက်ပါတယ်။

EAR အဆင့်သတ်မှတ်ခြင်း၏ တကယ့်အဓိပ္ပါယ်မှာ စက်က ခံနိုင်ရည်ရှိသော နှင်းပြိုကျမှုပြိုကွဲခြင်းစွမ်းအင်ကို ချိန်ညှိရန်ဖြစ်သည်။ ဤအဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်သည် နှင်းပြိုကျမှုပြိုကွဲနိုင်သည့် မည်သည့်စက်ပစ္စည်းအတွက်မဆို လက်တွေ့ကျသည့် စက်ပစ္စည်းအပူလွန်ကဲစေရန် ကြိမ်နှုန်းကန့်သတ်ချက်မရှိဟု ယူဆပါသည်။

MOSFET ကိရိယာသည် စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်းစစ်ဆေးနေစဉ်အတွင်း အပူလွန်ကဲခြင်းရှိ၊ မရှိ၊ အထူးသဖြင့် နှင်းတောင်ပြိုကျမှုဖြစ်နိုင်ချေရှိသော စက်ပစ္စည်းများအတွက် လည်ပတ်နေသည့် စက်ပစ္စည်း၏အပူချိန် သို့မဟုတ် အပူစုပ်ခွက်ကို တိုင်းတာရန် စိတ်ကူးကောင်းပါသည်။

IAR - Avalanche Breakdown Current

အချို့သောစက်ပစ္စည်းများအတွက်၊ နှင်းပြိုကျမှုပြိုကွဲချိန်တွင် ချစ်ပ်ပေါ်ရှိ လက်ရှိသတ်မှတ်အစွန်း၏သဘောထားကို avalanche current IAR ကန့်သတ်ရန်လိုအပ်သည်။ ဤနည်းအားဖြင့် နှင်းတောင်ပြိုခြင်း လျှပ်စီးကြောင်းသည် နှင်းပြိုခြင်းပြိုကွဲခြင်း စွမ်းအင်သတ်မှတ်ချက်၏ "ကောင်းမွန်သောပုံနှိပ်ခြင်း" ဖြစ်လာသည်။ ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်း၏ စစ်မှန်သော စွမ်းရည်ကို ပြသသည်။

Part II Static Electrical Characterization

V(BR)DSS- Drain-Source Breakdown Voltage (ပျက်စီးခြင်းဗို့အား)

V(BR)DSS (တစ်ခါတစ်ရံ VBDSS ဟုခေါ်သည်) သည် မြောင်းမှတဆင့်စီးဆင်းနေသောလျှပ်စီးကြောင်းသည် တိကျသောအပူချိန်တစ်ခုနှင့် ဂိတ်ရင်းမြစ်တိုသွားသဖြင့် တိကျသောတန်ဖိုးတစ်ခုသို့ရောက်ရှိသွားသော DSS-source voltage ဖြစ်သည်။ ဤကိစ္စတွင် ရေဆင်းအရင်းအမြစ်ဗို့အားမှာ avalanche breakdown voltage ဖြစ်သည်။

V(BR)DSS သည် အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန်ကိန်းဂဏန်းဖြစ်ပြီး၊ နိမ့်သောအပူချိန်တွင် V(BR)DSS သည် 25°C တွင် drain-source voltage ၏အမြင့်ဆုံးအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ထက် နည်းပါသည်။ -50°C တွင်၊ V(BR)DSS သည် -50°C တွင် drain-source voltage ၏အမြင့်ဆုံးအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ထက်နည်းပါသည်။ -50°C တွင်၊ V(BR)DSS သည် 25°C တွင် အများဆုံး drain-source voltage rating ၏ 90% ခန့်ဖြစ်သည်။

VGS(th), VGS(off): အတိုင်းအတာ ဗို့အား

VGS(th) သည် အပို gate source voltage သည် drain တွင် current ကို စတင်ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် MOSFET ကို ပိတ်လိုက်သောအခါ လက်ရှိ ပျောက်ကွယ်သွားစေရန် နှင့် စမ်းသပ်ရန်အတွက် အခြေအနေများ (drain current, drain source voltage, junction အပူချိန်) ကိုလည်း သတ်မှတ်ပေးထားသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့်၊ MOS ဂိတ်ကိရိယာအားလုံးတွင် မတူညီပါ။

threshold voltages ကွဲပြားလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့် VGS(th) ၏ ကွဲလွဲမှုအကွာအဝေးကို သတ်မှတ်ထားပါသည်။VGS(th) သည် အပူချိန်တက်လာသောအခါတွင် အနှုတ်အပူချိန်ကိန်းတစ်ခုဖြစ်သည်။MOSFETအတော်လေးနည်းတဲ့ gate source voltage မှာ ဖွင့်ပါလိမ့်မယ်။

RDS(ဖွင့်)- ခုခံမှု

RDS(on) သည် တိကျသော drain current (များသောအားဖြင့် ID လက်ရှိ၏ ထက်ဝက်)၊ gate-source voltage နှင့် 25°C တွင် တိုင်းတာသော Drain-source resistance ဖြစ်သည်။ RDS(on) သည် တိကျသော drain current (များသောအားဖြင့် ID ၏ ထက်ဝက်)၊ gate-source voltage နှင့် 25°C တွင် တိုင်းတာသည့် Drain-source resistance ဖြစ်သည်။

IDSS- သုည ဂိတ်ဗို့အား စီးဆင်းမှု လက်ရှိ

IDSS သည် ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား သုညဖြစ်သောအခါ တိကျသော Drain-ရင်းမြစ်ဗို့အားရှိ Drain နှင့် Source အကြား ယိုစိမ့်သောလျှပ်စီးကြောင်းဖြစ်သည်။ ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်းသည် အပူချိန်နှင့်အတူ တိုးလာသောကြောင့် IDSS ကို အခန်းနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်များတွင် သတ်မှတ်ထားသည်။ ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်းကြောင့် ပါဝါ dissipation ကို IDSS ကို မြောင်းရင်းမြစ်များကြား ဗို့အားဖြင့် မြှောက်ခြင်းဖြင့် တွက်ချက်နိုင်သည်၊ ၎င်းမှာ များသောအားဖြင့် နည်းပါးပါသည်။

IGSS - Gate Source Leakage Current

IGSS သည် သတ်မှတ်ထားသော gate source voltage တွင် gate မှတဆင့် စီးဆင်းနေသော leakage current ဖြစ်သည်။

အပိုင်း III Dynamic Electrical လက္ခဏာများ

Ciss : Input Capacitance

တံခါးပေါက်နှင့် အရင်းအမြစ်ကြားရှိ စွမ်းရည်သည် AC အချက်ပြမှုဖြင့် တိုင်းတာပြီး မြောင်းကို အရင်းအမြစ်သို့ အတိုချုံ့ကာ၊ Ciss ကို gate drain capacitance, Cgd, နှင့် gate source capacitance, Cgs, parallel, သို့မဟုတ် Ciss = Cgs + Cgd တို့ကို ချိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။ input capacitance ကို threshold ဗို့အားတစ်ခုသို့ အားသွင်းသည့်အခါ စက်ပစ္စည်းကို ဖွင့်ထားပြီး သတ်မှတ်ထားသော တန်ဖိုးတစ်ခုသို့ လွှတ်လိုက်သောအခါ ပိတ်သွားပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ driver circuit နှင့် Ciss သည် device ၏ turn-on နှင့် turn-off နှောင့်နှေးမှုအပေါ် တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသည်။

Coss : အထွက်စွမ်းရည်

output capacitance သည် gate source တိုတောင်းသောအခါ AC signal ဖြင့် တိုင်းတာသော မြောင်းနှင့် source အကြား capacitance ဖြစ်ပြီး Coss သည် drain-source capacitance Cds နှင့် gate-drain capacitance Cgd သို့မဟုတ် Coss = Cds + Cgd တို့ကို အပြိုင်ဖွဲ့စည်းသည်။ Soft-switching applications များအတွက် Coss သည် circuit တွင် resonance ဖြစ်စေနိုင်သောကြောင့် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

Crss : Reverse Transfer Capacitance

source grounded ဖြင့် Drain နှင့် gate အကြား တိုင်းတာနိုင်သော capacitance သည် reverse transfer capacitance ဖြစ်သည်။ ပြောင်းပြန်အပြောင်းအရွှေ့စွမ်းရည်သည် gate drain capacitance, Cres = Cgd နှင့် ညီမျှပြီး ခလုတ်တစ်ခု၏ အတက်အဆင်းအချိန်များအတွက် အရေးကြီးဆုံးဘောင်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည့် Miller capacitance ဟု မကြာခဏခေါ်သည်။

၎င်းသည် အတက်အဆင်း ကူးပြောင်းချိန်များအတွက် အရေးကြီးသော ဘောင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အဖွင့်နှောင့်နှေးချိန်ကိုလည်း သက်ရောက်မှုရှိသည်။ အထူးသဖြင့် output capacitance နှင့် reverse transfer capacitance သည် drain voltage တိုးလာသည်နှင့်အမျှ capacitance သည် လျော့နည်းသွားပါသည်။

Qgs၊ Qgd နှင့် Qg- ဂိတ်တာဝန်ခံ

ဂိတ်တာဝန်ခံတန်ဖိုးသည် terminals များကြားရှိ capacitor တွင်သိမ်းဆည်းထားသော charge ကိုရောင်ပြန်ဟပ်သည်။ capacitor ပေါ်ရှိ အားသွင်းမှုသည် switching ၏ချက်ချင်းတွင် ဗို့အားနှင့်အတူ ပြောင်းလဲသွားသောကြောင့် gate driver circuits များကို ဒီဇိုင်းဆွဲသောအခါ gate charge ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားလေ့ရှိပါသည်။

Qgs သည် 0 မှ ပထမ inflection point မှ Qgd သည် ပထမပိုင်းမှ ဒုတိယ inflection point ("Miller" charge) အပိုင်းဖြစ်ပြီး Qg သည် 0 မှ VGS သီးသန့် drive နှင့် ညီမျှသည့်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ဓာတ်အား။

leakage current နှင့် leakage source voltage အပြောင်းအလဲများသည် gate charge value ပေါ်တွင် အတော်လေးသေးငယ်သော သက်ရောက်မှုရှိပြီး gate charge သည် အပူချိန်ဖြင့် မပြောင်းလဲပါ။ စမ်းသပ်မှုအခြေအနေများကို သတ်မှတ်ထားသည်။ ပုံသေ ယိုစိမ့်နေသော လက်ရှိနှင့် ကွဲလွဲနေသော ယိုစိမ့်မှု အရင်းအမြစ် ဗို့အားအတွက် သက်ဆိုင်ရာ ဂိတ်တာဝန်ခံ ကွဲလွဲချက် မျဉ်းကွေးများ အပါအဝင် ဂိတ်တာဝန်ခံ၏ ဂရပ်ကို ပြထားသည်။

fixed drain current နှင့် ကွဲပြားသော drain source voltage အတွက် သက်ဆိုင်ရာ gate charge variation curves များကို datasheets တွင် ထည့်သွင်းထားပါသည်။ ဂရပ်တွင်၊ ကုန်းပြင်မြင့်ဗို့အား VGS(pl) သည် လက်ရှိတိုးလာသည်နှင့် (လျှပ်စီးကြောင်းလျော့နည်းသွားသည်နှင့်) လျော့နည်းသွားသည်။ ကုန်းပြင်မြင့်ဗို့အားသည် တံခါးခုံဗို့အားနှင့်လည်း အချိုးကျသည်၊ ထို့ကြောင့် မတူညီသော တံခါးခုံဗို့အားသည် မတူညီသော ကုန်းပြင်မြင့်ဗို့အားကို ထုတ်ပေးလိမ့်မည်။

ဓာတ်အား။

အောက်ပါ ပုံကြမ်းကို ပိုမိုအသေးစိတ်ပြီး အသုံးချသည်-

td(on): အချိန်မှန်နှောင့်နှေးချိန်

အချိန်မှန်နှောင့်နှေးသည့်အချိန်သည် ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား ဂိတ်ဒရိုက်ဗို့အား 10% တက်လာသည့်အချိန်မှ သတ်မှတ်ထားသော လျှပ်စီးကြောင်း၏ 10% ယိုစိမ့်သည့်အချိန်အထိ ဖြစ်သည်။

td(off) : ပိတ်ချိန်နှောင့်နှေးခြင်း။

အဖွင့်နှောင့်နှေးသည့်အချိန်သည် ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အား 90% သို့ gate drive ဗို့အား 90% သို့ ကျဆင်းသွားသည့်အချိန်မှ သတ်မှတ်ထားသော လျှပ်စီးကြောင်း၏ 90% သို့ ယိုစိမ့်သွားသည့်အချိန်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် လက်ရှိ ဝန်ကို မလွှဲပြောင်းမီ တွေ့ကြုံရသည့် နှောင့်နှေးမှုကို ပြသသည်။

tr : မြင့်တက်ချိန်

မြင့်တက်ချိန်သည် မြောင်းလျှပ်စီးအား 10% မှ 90% မြင့်တက်ရန် လိုအပ်သောအချိန်ဖြစ်သည်။

tf : ကျသွားတဲ့အချိန်

ကြွေကျချိန်သည် မြောင်းလျှပ်စီးကြောင်း 90% မှ 10% ကျဆင်းရန် လိုအပ်သောအချိန်ဖြစ်သည်။