ပါဝါမြင့်မားသောအသုံးချပရိုဂရမ်များကိုဖွင့်ခြင်း- Winsok Mosfets သည် TOLL ထုပ်ပိုးမှုဖြေရှင်းချက်ကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။

MOSFET ၏လျှောက်လွှာတွင်ပါဝါမြင့်မားသောပါဝါထောက်ပံ့မှုပမာဏသည်အတော်လေးကြီးမားသည်၊ ပါဝါသည်အတော်လေးလေးလံသည်၊ ပါဝါထုတ်ကုန်များ၏ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ်ကိုတိုးစေသည်၊ ပါဝါမြင့်မားသောပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၏ကြီးမားသောထုထည်သည်တပ်ဆင်မှုအပေါ်ပြဿနာများစွာဖြစ်စေလိမ့်မည်။ နှင့် ဆောက်လုပ်ရေး။ထို့ကြောင့် WINSOK သည် အထက်ပါပြဿနာများကိုဖြေရှင်းရန်အတွက် MOSFET ထုတ်ကုန်သုံးမျိုး၏ TOLL ပက်ကေ့ဂျ်ကို အသုံးပြု၍ MOSFET မော်ဒယ်များဖြစ်သည့် WSM320N04G, WSM340N10G, WSM180N15၊ ၎င်းတို့၏ သေးငယ်သောအရွယ်အစား၊ ခွင့်ပြုထားသော အီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အရွယ်အစားကို လျှော့ချရန် ဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်သည်။ လျှော့ချရန်အသုံးပြုကုန်ကြမ်းများ, ထို့နောက်တပ်ဆင်ခြင်းနှင့်ဆောက်လုပ်ရေး၏အဆင်ပြေဆောင်ကြဉ်း။အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် စွမ်းအားမြင့်အီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များအတွက် WINSOK TOLL ပက်ကေ့ချ် MOSFETs ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်နှင့် ထိရောက်မှုတိုးမြှင့်ရန်အတွက် ထိရောက်သောဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။

ဤထုတ်ကုန်များ၏ ဘုံဝိသေသလက္ခဏာများကို နားလည်ကြပါစို့- ၎င်းသည် TOLL ပက်ကေ့ချ်ပုံစံကို အသုံးပြု၍ ထုတ်ကုန်များ၏ N-channel ပါဝါ MOSFET စီးရီးတွင် ပါ၀င်သည်၊ ၎င်း၏အလျား၊ အနံနှင့် အမြင့်သည် 11.68mm × 9.9mm × 2.3mm ဖြစ်သည်။၎င်းကို TO-263-7L ပက်ကေ့ခ်ျနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက PCB ဧရိယာ၏ 30% ကို သက်သာစေနိုင်သည်။၎င်း၏ပရိုဖိုင်အမြင့်မှာ 2.30 မီလီမီတာသာရှိပြီး TO-263-7L ပက်ကေ့ချ်ထက် 60% ပိုသေးငယ်သော ထုထည်ကို ရယူထားသည်။

၎င်းတွင် drain-source current (ID) တန်ဖိုး 340A အထိ၊ peak drain-source voltage (VDSS) မှ 150V အထိနှင့် အမြင့်ဆုံး drain-source on-resistance 0.062Ω ရှိသည်။