N-Channel MOSFET၊ N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor သည် အရေးကြီးသော MOSFET အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ အောက်တွင်ဖော်ပြထားသည်မှာ N-channel MOSFETs ၏အသေးစိတ်ရှင်းပြချက်ဖြစ်ပါသည်။
I. အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဖွဲ့စည်းမှု
N-channel MOSFET တွင် အောက်ပါ အဓိက အစိတ်အပိုင်းများ ပါဝင်ပါသည်။
ဂိတ်:အရင်းအမြစ်နှင့်မြောင်းကြားရှိ conductive channel ကိုထိန်းချုပ်ရန် gate voltage ကိုပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် control terminal ကို။· ·
အရင်းအမြစ်-Current outflow သည် များသောအားဖြင့် circuit ၏ negative side သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။· ·
ရေဆင်း- current inflow သည် များသောအားဖြင့် circuit ၏ load နှင့် ချိတ်ဆက်သည်။
အလွှာ-များသောအားဖြင့် P-type တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး MOSFET များအတွက် အလွှာအဖြစ်အသုံးပြုသည်။
insulator:ဂိတ်ပေါက်နှင့် ချန်နယ်ကြားတွင် တည်ရှိပြီး များသောအားဖြင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO2) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး insulator အဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။
II လည်ပတ်မူသဘောတရား
N-channel MOSFET ၏လည်ပတ်မှုနိယာမသည်အောက်ပါအတိုင်းလုပ်ဆောင်သည့်လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ်အခြေခံသည်။
ဖြတ်တောက်မှုအခြေအနေgate voltage (Vgs) သည် threshold voltage (Vt) ထက်နိမ့်သောအခါ၊ N-type conducting channel သည် gate အောက်ရှိ P-type substrate တွင် မဖြစ်ပေါ်ဘဲ၊ ထို့ကြောင့် source နှင့် drain အကြား cut-off state သည် နေရာယူထားသည်။ နှင့် Current မစီးနိုင်ပါ။
လျှပ်ကူးနိုင်သော အခြေအနေ-gate voltage (Vgs) သည် threshold voltage (Vt) ထက် မြင့်မားသောအခါ၊ ဂိတ်အောက်ရှိ P-type substrate အတွင်းရှိ အပေါက်များကို ဖယ်ထုတ်ပြီး depletion layer ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ ဂိတ်ဗို့အား ထပ်မံတိုးလာခြင်းဖြင့်၊ အီလက်ထရွန်များကို P-type အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်သို့ ဆွဲဆောင်ကာ N-type conducting channel အဖြစ် ဖွဲ့စည်းသည်။ ဤအချိန်တွင် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းနှင့် လျှပ်စီးကြောင်းများကြားတွင် လမ်းကြောင်းတစ်ခု ဖွဲ့စည်းထားသည်။
III အမျိုးအစားများနှင့်ဝိသေသလက္ခဏာများ
N-channel MOSFET များကို Enhancement-Mode နှင့် Depletion-Mode ကဲ့သို့ ၎င်းတို့၏ ဝိသေသလက္ခဏာများအလိုက် အမျိုးအစားများ ခွဲခြားနိုင်သည်။ ၎င်းတို့တွင်၊ Enhancement-Mode MOSFETs များသည် gate voltage သုညဖြစ်သောအခါတွင် ဖြတ်တောက်သည့်အခြေအနေတွင်ရှိပြီး လုပ်ဆောင်နိုင်ရန် positive gate voltage ကိုအသုံးပြုရန်လိုအပ်ပါသည်။ Depletion-Mode MOSFET များသည် ဂိတ်ဗို့အား သုညဖြစ်သောအခါတွင် လျှပ်ကူးနိုင်သော အခြေအနေတွင် ရှိနေပါသည်။
N-channel MOSFET များသည် အောက်ပါကဲ့သို့သော ထူးကဲသော လက္ခဏာများစွာ ရှိသည်။
မြင့်မားသော input impedance-MOSFET ၏တံခါးနှင့်ချန်နယ်ကို insulating အလွှာဖြင့်ခွဲထုတ်ထားသောကြောင့်အလွန်မြင့်မားသော input impedance ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။
ဆူညံသံနည်းMOSFET များ၏ လည်ပတ်မှုတွင် လူနည်းစု သယ်ဆောင်သူများ၏ ဆေးထိုးခြင်းနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်း မပါဝင်သောကြောင့် ဆူညံသံ နည်းပါးပါသည်။
ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်း MOSFET များသည် အဖွင့်နှင့် အပိတ်ပြည်နယ်နှစ်ခုလုံးတွင် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းသည်။
မြန်နှုန်းမြင့် ကူးပြောင်းခြင်းလက္ခဏာများ-MOSFET များသည် အလွန်လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများ ရှိပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော ဆားကစ်များနှင့် မြန်နှုန်းမြင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
IV လျှောက်လွှာဧရိယာများ
N-channel MOSFET များကို ၎င်းတို့၏ ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်၊
ဒစ်ဂျစ်တယ်ပတ်လမ်းများ-လော့ဂျစ်ဂိတ်ပတ်လမ်းများ၏ အခြေခံဒြပ်စင်တစ်ခုအနေဖြင့်၊ ၎င်းသည် ဒစ်ဂျစ်တယ်အချက်ပြမှုများကို လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ထိန်းချုပ်ခြင်းကို လုပ်ဆောင်သည်။
Analogue ဆားကစ်များအသံချဲ့စက်များနှင့် စစ်ထုတ်မှုများကဲ့သို့သော analogue ဆားကစ်များတွင် အဓိကအစိတ်အပိုင်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။
ပါဝါအီလက်ထရောနစ်ပါဝါထောက်ပံ့မှုများနှင့် မော်တာဒရိုက်များကဲ့သို့သော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။
အခြားနေရာများ-LED အလင်းရောင်၊ မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင်လည်း တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် N-channel MOSFET သည် အရေးကြီးသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာအဖြစ် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်နည်းပညာတွင် အစားထိုး၍မရသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေသည်။
တင်ချိန်- စက်တင်ဘာ ၁၃-၂၀၂၄
