MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) တွင် တိုင်သုံးလုံးပါရှိသည်-
ဂိတ်:G၊ MOSFET ၏ဂိတ်ပေါက်သည် စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာ၏ အခြေခံနှင့် ညီမျှပြီး MOSFET ၏ conduction နှင့် cut-off ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ MOSFETs တွင်၊ gate voltage (Vgs) သည် အရင်းအမြစ်နှင့် drain အကြား လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းကို ဖွဲ့စည်းထားခြင်းရှိမရှိကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့်အပြင် conductive channel ၏ အကျယ်နှင့် conductivity ကို ဆုံးဖြတ်သည်။ တံခါးကို သတ္တု၊ ပိုလီစီလီကွန်စသည်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ဂိတ်ပေါက်အတွင်းသို့ လျှပ်စီးကြောင်း တိုက်ရိုက်မစီးဆင်းစေရန် သို့မဟုတ် အပြင်သို့ တိုက်ရိုက်စီးဆင်းခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် လျှပ်ကာအလွှာ (များသောအားဖြင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်) ဖြင့် ဝန်းရံထားသည်။
အရင်းအမြစ်-၎၊ MOSFET ၏ရင်းမြစ်သည် စိတ်ကြွထရန်စစ္စတာ၏ ထုတ်လွှတ်မှုနှင့် ညီမျှပြီး လက်ရှိစီးဆင်းနေသည့်နေရာဖြစ်သည်။ N-channel MOSFETs များတွင်၊ အရင်းအမြစ်သည် အများအားဖြင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနှုတ် terminal (သို့မဟုတ် ground) နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး P-channel MOSFETs များတွင် အရင်းအမြစ်ကို ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အပြုသဘောဆောင်သော ဂိတ်သို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ အရင်းအမြစ်သည် ဂိတ်ဗို့အား မြင့်မားနေချိန်တွင် အီလက်ထရွန်များ (N-channel) သို့မဟုတ် အပေါက်များ (P-channel) ကို ထုတ်ပေးသည့် conducting channel ကိုဖွဲ့စည်းသည့် အဓိကအစိတ်အပိုင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။
ရေဆင်း-D၊ MOSFET ၏ drain သည် bipolar transistor ၏ collection နှင့် ညီမျှပြီး current စီးဆင်းသည့်နေရာဖြစ်သည်။ အဆိုပါ drain သည် များသောအားဖြင့် load နှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး circuit အတွင်းရှိ current output အဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ MOSFET တွင်၊ မြောင်းသည် conductive channel ၏အခြားအဆုံးဖြစ်ပြီး၊ gate voltage သည် source နှင့် drain အကြား conductive channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းခြင်းကိုထိန်းချုပ်သောအခါ၊ အရင်းအမြစ်မှ current သည် conductive channel မှတဆင့် drain သို့စီးဆင်းနိုင်သည်။
အတိုချုပ်အားဖြင့်၊ အဖွင့်အပိတ် ထိန်းချုပ်ရန် MOSFET တံခါးကို အသုံးပြုသည်၊ အရင်းအမြစ်သည် လက်ရှိစီးဆင်းသည့်နေရာဖြစ်ပြီး မြောင်းသည် လက်ရှိစီးဆင်းနေသည့်နေရာဖြစ်သည်။ အဆိုပါဝင်ရိုးသုံးခုသည် MOSFET ၏လည်ပတ်မှုအခြေအနေနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဆုံးဖြတ်သည်။ .
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၂၆-၂၀၂၄
