MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ဟုလူသိများသော၊ သည် Field-Effect Transistor (FET) အမျိုးအစားတစ်ခုနှင့် သက်ဆိုင်သော အသုံးများသော အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။MOSFET တစ်ခုသတ္တုတံခါး၊ အောက်ဆိုဒ် လျှပ်ကာအလွှာ (များသောအားဖြင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် SiO₂) နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာအလွှာ (များသောအားဖြင့် ဆီလီကွန် Si) တို့ ပါဝင်သည်။ လည်ပတ်မှုနိယာမမှာ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သို့မဟုတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအတွင်းပိုင်းရှိ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအား ပြောင်းလဲရန်အတွက် ဂိတ်ဗို့အားကို ထိန်းချုပ်ရန်ဖြစ်ပြီး အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားရှိ လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်ရန်ဖြစ်သည်။
MOSFETsN-channel ကို အဓိက အမျိုးအစား နှစ်မျိုးဖြင့် ခွဲခြားနိုင်သည်။MOSFETs(NMOS) နှင့် P-channelMOSFETs(PMOS)။ NMOS တွင်၊ အရင်းအမြစ်နှင့်စပ်လျဉ်း၍ gate voltage သည် positive ဖြစ်နေသောအခါ၊ n-type conducting channels များသည် semiconductor မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖွဲ့စည်းထားပြီး အရင်းအမြစ်မှ အီလက်ထရွန်များကို မြောင်းဆီသို့ စီးဆင်းစေပါသည်။ PMOS တွင်၊ အရင်းအမြစ်နှင့်စပ်လျဉ်း၍ gate voltage သည် negative ဖြစ်သောအခါ၊ p-type conducting channels များကို semiconductor မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖွဲ့စည်းထားပြီး အပေါက်များကို source မှ drain သို့ စီးဆင်းစေပါသည်။
MOSFETsမြင့်မားသော input impedance၊ ဆူညံသံနိမ့်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းခြင်းနှင့် ပေါင်းစပ်ရလွယ်ကူခြင်းစသည့် အားသာချက်များစွာရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် ၎င်းတို့ကို analog circuits၊ digital circuits၊ power management၊ power electronics၊ communication systems နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊MOSFETsCMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) လော့ဂျစ်ဆားကစ်များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် အခြေခံယူနစ်များဖြစ်သည်။ CMOS ဆားကစ်များသည် NMOS နှင့် PMOS ၏ အားသာချက်များကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းခြင်း၊ မြန်နှုန်းမြင့်ခြင်းနှင့် မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုတို့ဖြင့် လက္ခဏာရပ်များဖြစ်သည်။
ဖြည့်စွက်ကာ,MOSFETs၎င်းတို့၏လုပ်ဆောင်နေသောလမ်းကြောင်းများကို ကြိုတင်ဖွဲ့စည်းထားခြင်းရှိမရှိအရ မြှင့်တင်မှုအမျိုးအစားနှင့် လျော့နည်းခြင်းအမျိုးအစားဟူ၍ အမျိုးအစားခွဲခြားနိုင်သည်။ မြှင့်တင်မှုအမျိုးအစားMOSFETဂိတ်ဗို့သည် သုညဖြစ်ပြီး လမ်းကြောင်းသည် လျှပ်ကူးမှုမရှိသောအခါ၊ conductive channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် အချို့သော gate voltage ကိုအသုံးပြုရန်လိုအပ်ပါသည်။ while depletion အမျိုးအစားMOSFETဂိတ်ဗို့အားသည် သုညဖြစ်ပြီး ချန်နယ်သည် လျှပ်ကူးနေပြီးဖြစ်သည့်အချိန်တွင် ဂိတ်ဗို့အား ချန်နယ်၏ conductivity ကို ထိန်းချုပ်ရန် အသုံးပြုသည်။
အကျဉ်းချုပ်မှာ,MOSFETဂိတ်ဗို့အား ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် အရင်းအမြစ်နှင့် Drain အကြား လက်ရှိကို ထိန်းညှိပေးသော သတ္တုအောက်ဆိုဒ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ တည်ဆောက်မှုအပေါ် အခြေခံ၍ field effect ထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး အသုံးချမှုများစွာနှင့် အရေးကြီးသော နည်းပညာတန်ဖိုးများရှိသည်။
စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၁၂-၂၀၂၄
