MOSFET လျော့နည်းခြင်းအကြောင်း သင်သိပါသလား။

အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်များနှင့် လက္ခဏာများ

အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်: ကုန်ခမ်းခြင်း။MOSFETအထူးအမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည်။MOSFETဂိတ်ဗို့အား သုည သို့မဟုတ် သတ်သတ်မှတ်မှတ် အကွာအဝေးအတွင်း၌ သယ်ဆောင်သူများသည် ၎င်း၏ချန်နယ်တွင် ရှိနေပြီးသားဖြစ်သောကြောင့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား သယ်ဆောင်နိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။ ဒါက တိုးတက်မှုနဲ့ ဆန့်ကျင်ဘက်ပါ။MOSFETsconducting channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် gate voltage ၏ အချို့သော တန်ဖိုးတစ်ခု လိုအပ်သည်။

လက္ခဏာများ: Depletion အမျိုးအစားMOSFETမြင့်မားသော input impedance၊ low leakage current နှင့် low switching impedance တို့၏ အားသာချက်များရှိသည်။ ဤဝိသေသလက္ခဏာများသည် circuit ဒီဇိုင်းတွင် ကျယ်ပြန့်သော applications များအတွက် တန်ဖိုးရှိစေသည်။

အလုပ်အခြေခံ

ဆုတ်ယုတ်ခြင်း၏ လည်ပတ်မှုနိယာမMOSFETsချန်နယ်ရှိ သယ်ဆောင်သူအရေအတွက်ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် ဂိတ်ဗို့အား ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ လည်ပတ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို အောက်ပါအဆင့်များဖြင့် အကျဉ်းချုံးနိုင်သည်။

တားမြစ်ထားသောပြည်နယ်: ဂိတ်ဗို့အားသည် ချန်နယ်နှင့် ရင်းမြစ်အကြား အရေးကြီးသော ဗို့အားအောက်တွင် ရှိနေသောအခါ၊ ကိရိယာသည် တားမြစ်ထားသော အခြေအနေတွင် ရှိနေပြီး ဖြတ်သန်းစီးဆင်းမှု မရှိတော့ပါ။MOSFET.

အနုတ်လက္ခဏာခုခံမှုအခြေအနေ: ဂိတ်ဗို့အား တိုးလာသည်နှင့်အမျှ အားအားသည် ချန်နယ်တွင် စတင်တည်ဆောက်ကာ အနုတ်လက္ခဏာခုခံမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ဖန်တီးသည်။ ဂိတ်ဗို့အားကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့်၊ အနုတ်လက္ခဏာခုခံနိုင်စွမ်းကို ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး ချန်နယ်အတွင်းရှိ လက်ရှိကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

ပြည်နယ်တွင်- အရေးကြီးသောဗို့အားထက် ဂိတ်ဗို့အား ဆက်လက်တိုးလာသောအခါ၊MOSFETON အခြေအနေသို့ ရောက်ရှိလာပြီး များစွာသော အီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါက်များကို ချန်နယ်မှတဆင့် ပို့ဆောင်ကာ သိသာထင်ရှားသော လျှပ်စီးကြောင်းကို ဖန်တီးသည်။

ရွှဲ− အခြေအနေတွင်၊ ချန်နယ်ရှိ လျှပ်စီးကြောင်းသည် ရွှဲရွှဲအဆင့်သို့ရောက်ရှိပြီး ဂိတ်ဗို့အား ဆက်လက်တိုးလာသည့်အခါတွင် လက်ရှိတွင် သိသိသာသာ တိုးမလာတော့ပါ။

ဖြတ်တောက်မှုအခြေအနေ(မှတ်ချက်- ဤနေရာတွင် "ဖြတ်တောက်မှုအခြေအနေ" ၏ဖော်ပြချက်သည် လျော့နည်းသွားခြင်းကြောင့် အခြားစာပေများနှင့် အနည်းငယ်ကွာခြားနိုင်ပါသည်။MOSFETsအချို့သောအခြေအနေများအောက်တွင် အမြဲတမ်းလုပ်ဆောင်ပါ)- အချို့သောအခြေအနေများတွင် (ဥပမာ၊ ဂိတ်ဗို့အား လွန်ကဲစွာပြောင်းလဲမှု)၊ လျော့နည်းသွားခြင်း။MOSFETစွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်သော အခြေအနေသို့ ဝင်ရောက်နိုင်သော်လည်း လုံးလုံးလျားလျား ဖြတ်တောက်ခြင်း မရှိပါ။

လျှောက်လွှာဧရိယာများ

Depletion အမျိုးအစားMOSFETs၎င်းတို့၏ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်လက္ခဏာများကြောင့်နယ်ပယ်များစွာတွင်ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များရှိသည်။

ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု: ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုဆားကစ်များတွင် ထိရောက်သောစွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းရရှိရန် ၎င်း၏မြင့်မားသော input impedance နှင့် low leakage current လက္ခဏာများကို အသုံးပြုသည်။

အင်နာလော့နှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များ: analog နှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များတွင် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

မော်တော်နှင်: မော်တာအမြန်နှုန်းနှင့် စတီယာရင်၏ တိကျသောထိန်းချုပ်မှုသည် conduction နှင့် cut-off တို့ကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် သိရှိနိုင်သည်။MOSFETs.

အင်ဗာတာပတ်လမ်း: နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်သည့်စနစ်များနှင့် ရေဒီယိုဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် အင်ဗာတာ၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့် DC မှ AC သို့ပြောင်းလဲခြင်းကိုနားလည်သဘောပေါက်ရန်။

ဗို့အားထိန်းညှိ: အထွက်ဗို့အား၏ အရွယ်အစားကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့်၊ ၎င်းသည် ဗို့အား၏ တည်ငြိမ်သော အထွက်အားကို သိရှိပြီး အီလက်ထရွန်နစ် ပစ္စည်းများ၏ ပုံမှန်အလုပ်လုပ်မှုကို အာမခံပါသည်။

မလုပ်မီမဆုံးဖြတ်မီအချို့အချက်များကိုစဥ်းစားရန်သတိပေးခြင်း

လက်တွေ့အသုံးချမှုတွင် သင့်လျော်သော အားဖြည့်မှုကို ရွေးချယ်ရန် လိုအပ်သည်။MOSFETသတ်မှတ်ထားသော လိုအပ်ချက်အလိုက် မော်ဒယ်နှင့် ဘောင်များ။

depletion type ကစလို့MOSFETsမြှင့်တင်မှုအမျိုးအစားနှင့် ကွဲပြားစွာ လုပ်ဆောင်သည်။MOSFETs၎င်းတို့သည် circuit ဒီဇိုင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းတွင် အထူးအာရုံစိုက်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

အချုပ်အားဖြင့် depletion အမျိုးအစားMOSFETအရေးကြီးသော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင် အသုံးချနိုင်သော အလားအလာများစွာရှိသည်။ သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာ၏ စဉ်ဆက်မပြတ်တိုးတက်မှုနှင့် အသုံးချပရိုဂရမ်လိုအပ်ချက်များ တိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသုံးချမှုနယ်ပယ်သည်လည်း ဆက်လက်တိုးမြင့်လာမည်ဖြစ်သည်။