IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) နှင့် MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) များသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးများသော ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ နှစ်ခုဖြစ်သည်။ နှစ်မျိုးလုံးသည် အမျိုးမျိုးသော အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော်လည်း၊ ၎င်းတို့သည် ရှုထောင့်များစွာတွင် သိသိသာသာ ကွဲပြားပါသည်။ IGBT နှင့် MOSFET တို့၏ အဓိက ကွာခြားချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
1. လုပ်ငန်းအခြေခံမူ
- IGBT- IGBT သည် BJT (Bipolar Junction Transistor) နှင့် MOSFET နှစ်ခုလုံး၏ ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး ၎င်းကို ပေါင်းစပ်ကိရိယာတစ်ခုအဖြစ် ဖန်တီးထားသည်။ ၎င်းသည် MOSFET ၏ဂိတ်ဗို့အားမှတဆင့် BJT ၏အခြေခံကိုထိန်းချုပ်သည်၊ ၎င်းသည် BJT ၏ conduction နှင့် cutoff ကိုထိန်းချုပ်သည်။ IGBT ၏ conduction နှင့် cutoff process များသည် အတော်လေးရှုပ်ထွေးသော်လည်း၊ ၎င်းတွင် low conduction voltage losses နှင့် high voltage tolerance တို့ပါရှိသည်။
- MOSFET - MOSFET သည် ဂိတ်ဗို့အားမှတဆင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအတွင်း လျှပ်စီးကြောင်းကို ထိန်းချုပ်သည့် field-effect transistor တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဂိတ်ဗို့အားသည် အရင်းအမြစ်ဗို့အားထက် ကျော်လွန်သောအခါ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာသည် လျှပ်စီးစီးဆင်းမှုကို ခွင့်ပြုသည်။ အပြန်အလှန်အားဖြင့် gate voltage သည် threshold အောက်တွင်ရှိနေသောအခါ conductive layer သည် ပျောက်ကွယ်သွားပြီး current သည် မစီးဆင်းနိုင်ပါ။ MOSFET ၏လုပ်ဆောင်ချက်သည် လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများဖြင့် အတော်လေးရိုးရှင်းပါသည်။
2. လျှောက်လွှာဧရိယာများ
- IGBT- ၎င်း၏မြင့်မားသောဗို့အားသည်းခံနိုင်မှု၊ လျှပ်ကူးနည်းဗို့အားဆုံးရှုံးမှုနှင့် မြန်ဆန်သောကူးပြောင်းမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် IGBT သည် အင်ဗာတာများ၊ မော်တာဒရိုင်ဘာများ၊ ဂဟေဆော်စက်များနှင့် အနှောင့်အယှက်မဖြစ်စေသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ (UPS) ကဲ့သို့သော ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ . ဤအပလီကေးရှင်းများတွင် IGBT သည် မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် မြင့်မားသောလက်ရှိ switching လုပ်ငန်းများကို ထိရောက်စွာစီမံခန့်ခွဲသည်။
- MOSFET- MOSFET သည် ၎င်း၏မြန်ဆန်သောတုံ့ပြန်မှု၊ မြင့်မားသောထည့်သွင်းမှုခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ တည်ငြိမ်သောကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့်၊ ပါဝါနိမ့်သော၊ အမြန်ပြောင်းနိုင်သောအက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုလျက်ရှိပါသည်။ . MOSFET သည် ပါဝါနည်းသော နှင့် ဗို့အားနည်းသော အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် ထူးထူးခြားခြား ကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်သည်။
3. စွမ်းဆောင်ရည် လက္ခဏာများ
- IGBT- IGBT သည် ဗို့အားမြင့်ပြီး၊ လက်ရှိအပလီကေးရှင်းများတွင် ထူးထူးခြားခြား ပါဝါနည်းပါးသော conduction ဆုံးရှုံးမှုများကို ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် MOSFETs များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နှေးကွေးသော switching speed ရှိသည်။
- MOSFET- MOSFET များသည် ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching speeds များ၊ low-voltage applications များတွင် ပိုမိုထိရောက်မှု နှင့် မြင့်မားသော switching frequencies များတွင် power ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းတို့ဖြင့် လက္ခဏာရပ်များဖြစ်ပါသည်။
4. အပြန်အလှန်ဖလှယ်နိုင်မှု
IGBT နှင့် MOSFET ကို မတူညီသောရည်ရွယ်ချက်များအတွက် ဒီဇိုင်းရေးဆွဲအသုံးပြုထားပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် လဲလှယ်၍မရပါ။ မည်သည့်စက်ပစ္စည်းကိုအသုံးပြုရန် ရွေးချယ်မှုသည် တိကျသောအက်ပ်လီကေးရှင်း၊ စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကုန်ကျစရိတ်ထည့်သွင်းစဉ်းစားမှုများအပေါ် မူတည်ပါသည်။
နိဂုံး
IGBT နှင့် MOSFET တို့သည် လုပ်ငန်းသဘောတရား၊ အသုံးချမှုနယ်ပယ်များနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာ လက္ခဏာရပ်များတွင် သိသိသာသာ ကွဲပြားသည်။ ဤကွဲပြားမှုများကို နားလည်ခြင်းဖြင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ဒီဇိုင်းများအတွက် သင့်လျော်သော စက်ပစ္စည်းကို ရွေးချယ်ရာတွင် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုကို သေချာစေသည်။
တင်ချိန်- စက်တင်ဘာ ၂၁-၂၀၂၄
