I. MOSFET ၏အဓိပ္ပါယ်
ဗို့အား မောင်းနှင်သော မြင့်မားသော လက်ရှိ စက်ပစ္စည်းများ၊ MOSFETs အထူးသဖြင့် ပါဝါစနစ်များတွင် ဆားကစ်များတွင် အသုံးချမှု အများအပြားရှိသည်။ Parasitic diodes ဟုလည်းသိကြသော MOSFET body diodes ကို ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၏ lithography တွင်မတွေ့ရှိရသော်လည်း၊ မြင့်မားသောရေစီးကြောင်းများဖြင့်မောင်းနှင်သောအခါနှင့် inductive loads များရှိနေသည့်အခါ reverse protection နှင့် current continuation ကိုပေးဆောင်သောသီးခြား MOSFET စက်များတွင်တွေ့ရှိရပါသည်။
ဤဒိုင်အိုဒပါရှိခြင်းကြောင့် MOSFET စက်ပစ္စည်းသည် အားသွင်းပြီးသွားသည့် အားသွင်းပတ်လမ်းတွင်ကဲ့သို့ ဆားကစ်တစ်ခုအတွင်း ကူးပြောင်းခြင်းကို မမြင်နိုင်ဘဲ၊ ပါဝါကို ဖယ်ရှားပြီး ဘက်ထရီသည် အပြင်ဘက်သို့ ပြောင်းပြန်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းမှာ အများအားဖြင့် မလိုလားအပ်သော ရလဒ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
ယေဘူယျဖြေရှင်းချက်မှာ reverse power supply ကိုကာကွယ်ရန်အနောက်ဘက်တွင် diode ကိုထည့်ရန်ဖြစ်သည်၊ သို့သော် diode ၏ဝိသေသလက္ခဏာများသည် forward ဗို့အားကျဆင်းမှု 0.6 ~ 1V အတွက်လိုအပ်ကြောင်းဆုံးဖြတ်သည်၊ ၎င်းသည်အညစ်အကြေးမြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းတွင်ပြင်းထန်သောအပူထုတ်ပေးခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ စွမ်းအင်နှင့် အလုံးစုံ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။ အခြားနည်းလမ်းမှာ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုရရှိရန် MOSFET ၏ ခံနိုင်ရည်နိမ့်ကျမှုကို အသုံးပြု၍ နောက်သို့ MOSFET ကို ထပ်ထည့်ရန်ဖြစ်သည်။
conduction ပြီးနောက်၊ MOSFET ၏ ဦးတည်ရာမဟုတ်သော၊ ထို့ကြောင့် pressureized conduction ပြီးနောက်၊ ၎င်းသည် ဝါယာကြိုးတစ်ခုနှင့် ညီမျှသည်၊ သာ ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ on-state ဗို့အားကျဆင်းခြင်းမရှိပါ၊ များသောအားဖြင့် မီလီအိုးအနည်းငယ်အထိ saturated on-resistance ကို သတိပြုသင့်သည်။အချိန်မီ milliohmsနှင့် လမ်းညွှန်မဟုတ်သော၊ DC နှင့် AC ပါဝါကို ဖြတ်သန်းခွင့်ပြုသည်။
II MOSFET ၏လက္ခဏာများ
1၊ MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာဖြစ်ပြီး မြင့်မားသောရေစီးကြောင်းများကိုမောင်းနှင်ရန် တွန်းကန်အားအဆင့်မလိုအပ်ပါ။
2၊ မြင့်မားသော input ကိုခုခံ;
3၊ ကျယ်ပြန့်သောလည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး၊ မြင့်မားသောကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း၊ နိမ့်ကျခြင်း။
4, AC သက်သောင့်သက်သာမြင့်မားသော impedance, နိမ့်ဆူညံသံ။
၅၊ပြိုင်တူအများအပြားအသုံးပြု၍ အထွက်လက်ရှိကို တိုးမြှင့်ပါ။
ဒုတိယအချက်၊ ကြိုတင်ကာကွယ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် MOSFET များအသုံးပြုခြင်း။
1၊ MOSFET ကို ဘေးကင်းစွာ အသုံးပြုကြောင်း သေချာစေရန်အတွက်၊ မျဉ်းကြောင်းဒီဇိုင်းတွင်၊ ပိုက်လိုင်း၏ ပါဝါစုပ်ယူမှု၊ အမြင့်ဆုံး ယိုစိမ့်မှု အရင်းအမြစ်ဗို့အား၊ ဂိတ်ရင်းမြစ် ဗို့အားနှင့် လက်ရှိ ကန့်သတ်ချက်တန်ဖိုးများထက် မကျော်လွန်သင့်ပါ။
၂၊ အသုံးပြုနေသော MOSFET အမျိုးအစား အမျိုးမျိုး ရှိရမည်။တင်းကြပ်စွာ ထားရှိပါ။ MOSFET အော့ဖ်ဆက်၏ polarity ကိုလိုက်နာရန် circuit သို့လိုအပ်သောဘက်လိုက်ဝင်ရောက်မှုနှင့်အညီ။
3. MOSFET ကို တပ်ဆင်သည့်အခါ အပူဒြပ်စင်နှင့် မနီးကပ်စေရန် တပ်ဆင်မှုအနေအထားကို အာရုံစိုက်ပါ။ ဆက်စပ်ပစ္စည်းများ၏တုန်ခါမှုကိုတားဆီးရန်အတွက်အခွံကိုတင်းကျပ်ထားရမည်။ ပင်တွယ်များကို ကွေးညွှတ်ခြင်းနှင့် ယိုစိမ့်ခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် ပင်ကို အမြစ်အရွယ်အစား 5 မီလီမီတာထက် ကြီးသောနေရာတွင် ပြုလုပ်သင့်သည်။
4၊ အလွန်မြင့်မားသော input impedance ကြောင့် MOSFET များသည် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှင့် သိုလှောင်မှုအတွင်း pin မှ အတိုချုံးထားရမည်ဖြစ်ပြီး ဂိတ်ပေါက်၏ပြင်ပမှ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သော ပြိုကွဲနိုင်ချေများကို ကာကွယ်ရန်အတွက် သတ္တုအကာအရံများဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသည်။
5. လမ်းဆုံ MOSFET များ၏ ဂိတ်ဗို့အားကို နောက်ပြန်မဆုတ်နိုင်ဘဲ အဖွင့်ဆားကစ်အခြေအနေတွင် သိမ်းဆည်းထားနိုင်သော်လည်း ၎င်းတို့အသုံးမပြုသည့်အခါတွင် insulated-gate MOSFET များ၏ input resistance သည် အလွန်မြင့်မားသောကြောင့် electrode တစ်ခုစီသည် short-circuit ဖြစ်ရပါမည်။ insulated-gate MOSFET များကို ဂဟေဆက်သောအခါ၊ source-drain-gate ၏အမိန့်ကို လိုက်နာပြီး ပါဝါပိတ်၍ ဂဟေဆော်ပါ။
MOSFET များကို ဘေးကင်းစွာ အသုံးပြုနိုင်ရန် သေချာစေရန်၊ MOSFETs ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အသုံးပြုမှုတွင် ဆောင်ရွက်ရမည့် ကြိုတင်သတိထားချက်များကို အပြည့်အဝနားလည်ရန် လိုအပ်သည်၊ အထက်ဖော်ပြပါ အကျဉ်းချုပ်သည် သင့်အား ကူညီပေးလိမ့်မည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။
ပို့စ်အချိန်- မေ ၁၅-၂၀၂၄
