စွမ်းအားမြင့် MOSFET အပူစွန့်ထုတ်သည့်ကိရိယာ၏ ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းအကြောင်း အတိုချုပ်ပြောပါ။

အပူပျံ့စေသောကိရိယာတွင် အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံ အဖုံး 100 နှင့် ဆားကစ်ဘုတ် 101 ပါ၀င်သည်။ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ကာတင်း 100 တွင် စီစဥ်ထားသည်။ ဘေးချင်းကပ် MOSFETs 102 အများအပြားကို ဆားကစ်ဘုတ် 101 ပင်ချောင်းများမှတစ်ဆင့် နှစ်ဖက်စလုံးသို့ ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ၎င်းတွင် MOSFET 102 အား ဖိသိပ်ရန် အပူစုပ်ထုတ်ခြင်း ဖိအား ဘလောက် 103 လည်း ပါ၀င်ပြီး MOSFET 102 သည် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံနှင့် နီးကပ်နေစေရန်အတွက် အပူပေးသည့် ဖိအားတုံး 103 တွင် ၎င်းကို ဖြတ်၍ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေချန်နယ် 104 ရှိသည်။ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 104 ကို ဘေးချင်းကပ်လျက် MOSFETs 102 များစွာဖြင့် ဒေါင်လိုက်စီစဉ်ထားသည်။
heat dissipation pressure block 103 သည် MOSFET 102 အား အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံကို ဖိထားပြီး MOSFET 102 ၏ အပူတစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကို အိမ်ရာ 100 သို့ သယ်ဆောင်သွားပါသည်။ အပူ၏ အခြားအစိတ်အပိုင်းကို heat dissipation block 103 သို့ လည်းကောင်း၊ အိမ်ရာ 100 သည် အပူကို လေထဲသို့ လွင့်စေသည်။ heat dissipation block 103 ၏ အပူကို ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေချန်နယ် 104 ရှိ အအေးခံရေမှ ဖယ်ထုတ်ပြီး MOSFET 102 ၏ အပူပျံ့ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ 100 သည် heat dissipation pressure block 103 သို့လည်း လုပ်ဆောင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ heat dissipation pressure block 103 သည် အိမ်ရာ 100 အတွင်းရှိ အပူချိန်ကို ပိုမိုလျှော့ချနိုင်ပြီး အိမ်ရာ 100 ရှိ အခြားသော အစိတ်အပိုင်းများ၏ လုပ်ငန်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးတက်စေပါသည်။ casing 100 တွင် အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံပါရှိသောကြောင့် casing 100 တွင် အပူများ အလွယ်တကူစုပုံခြင်းမပြုနိုင်သောကြောင့် circuit board 101 ကို အပူလွန်ကဲပြီး လောင်ကျွမ်းခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပါသည်။ အိမ်ရာ 100 ၏ ဘေးဘက်နံရံတွင် ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 104 နှင့် အပြိုင် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 105 နှင့် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 105 သည် သက်ဆိုင်ရာ MOSFET 102 နှင့် နီးစပ်ပါသည်။ အိမ်ရာ 100 ၏ အပြင်ဘက်နံရံတွင် heat dissipation groove 108 ပါရှိသည်။ Housing 100 ၏ အပူကို အဓိကအားဖြင့် ဒုတိယ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 105 ရှိ အအေးခံရေမှတဆင့် ဖယ်ထုတ်ပါသည်။ အပူ၏အခြားအစိတ်အပိုင်းသည် အိုးအိမ် 100 ၏ heat dissipation effect ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည့် heat dissipation groove 108 မှတဆင့် ပြန့်ကျဲသွားသည်။ heat dissipation pressure block 103 တွင် threaded hole များစွာဖြင့် ပံ့ပိုးပေးသည် 107။ heat dissipation pressure block 103 သည် ၎င်းနှင့် ဆက်နွှယ်နေပါသည်။ အိုးအိမ်၏အတွင်းနံရံ 100 ဝက်အူများ။ ဝက်အူများကို အိမ်ရာ 100 ၏ ဘေးဘက်နံရံများရှိ ချည်ထားသောအပေါက်များမှ 103 အပူ dissipation pressure block 103 ၏ချည်အပေါက်များထဲသို့ ဝက်အူများ ရစ်ပတ်ထားသည်။

လက်ရှိတီထွင်မှုတွင်၊ ချိတ်ဆက်ထားသောအပိုင်း 109 သည် heat dissipation pressure block 103 ၏အစွန်းမှ ကျယ်ပြန့်လာသည်။ ချိတ်ဆက်ထားသောအပိုင်း 109 ကို ချည်ကြိုးအပေါက်များ 107 နှင့် ထောက်ပံ့ပေးထားသည်။ ချိတ်ဆက်သည့်အပိုင်း 109 သည် အိမ်ရာ 100 ၏အတွင်းနံရံနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ screws မှတဆင့်။ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ပံ့ပိုးရန် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံ၏ တစ်ဖက်တစ်ချက်စီတွင် ပံ့ပိုးမှုဘား 106 ကို ပံ့ပိုးပေးထားသည်။ 103 အပူစုပ်ထုတ်မှု ဖိအားတုံး 103 သည် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံနှင့် ဆက်နွှယ်နေသောအခါ၊ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ကြားတွင် ဖိထားသည်။ အပူစွန့်ထုတ်မှုဖိအားတုံး 103 နှင့် ထောက်ကူဘားများ 106။ တပ်ဆင်စဉ်အတွင်း၊ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို ပံ့ပိုးမှုဘား 106 ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဦးစွာချထားပြီး အပူစုပ်ထုတ်မှုဖိအားတုံး 103 ၏အောက်ခြေကို အပေါ်မျက်နှာပြင်နှင့် ဖိထားသည်။ ဆားကစ်ဘုတ်၏ 101. ထို့နောက်၊ အပူပျံ့စေသော ဖိအားတုံး 103 ကို ဝက်အူများဖြင့် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံတွင် တပ်ဆင်သည်။ ဆားကစ်ဘုတ် 101 ကို တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ဖယ်ရှားရာတွင် လွယ်ကူချောမွေ့စေရန် အပူစုပ်ထုတ်ခြင်း ဖိအားတုံး 103 နှင့် ပံ့ပိုးမှုဘား 106 အကြားတွင် ကုပ်ချောင်းတစ်ခုအား ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ဖိအားပိတ်ဆို့ ၁၀၃။ ထို့ကြောင့်၊ circuit board 101 မှထုတ်ပေးသောအပူကို heat dissipation pressure block 103 သို့ပို့ဆောင်ပြီး heat dissipation pressure block 103 ကို ပထမ circulating water channel 104 တွင် cooling water ဖြင့် သယ်ဆောင်သွားသောကြောင့် circuit board 101 ကို အပူလွန်ကဲခြင်းမှကာကွယ်ပေးပါသည်။ နှင့်လောင်။ ဖြစ်နိုင်ရင်၊ MOSFET 102 နှင့် အိမ်ရာ 100 ၏ အတွင်းနံရံကြားတွင် insulating film ကို စွန့်ပစ်ပြီး heat dissipation pressure block 103 နှင့် MOSFET 102 အကြား insulating film ကို စွန့်ပစ်သည်။

စွမ်းအားမြင့် MOSFET အပူစွန့်ထုတ်သည့်ကိရိယာတွင် အခေါင်းပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံ ဘောင် 200 နှင့် ဆားကစ်ဘုတ် 202 ပါ၀င်သည်။ ဆားကစ်ဘုတ် 202 ကို ပိုက် 200 တွင် စီစဉ်ထားသည်။ ဘေးချင်းကပ်လျက် MOSFET 202 အများအပြားကို ဆားကစ်၏အစွန်းနှစ်ဖက်စလုံးသို့ အသီးသီးချိတ်ဆက်ထားသည်။ board 202 တွင် pins များမှတဆင့် MOSFETs 202 သည် အိမ်ရာ 200 ၏ အတွင်းနံရံနှင့် နီးကပ်စေရန်အတွက် MOSFETs 202 အား ဖိသိပ်ရန် အပူ dissipation pressure block 203 ပါ၀င်ပါသည်။ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေချန်နယ် 204 သည် heat dissipation pressure block 203 မှတဆင့် လည်ပတ်နေသည်။ ပထမ လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 204 ကို ဘေးချင်းကပ်လျက် MOSFETs 202 အများအပြားဖြင့် ဒေါင်လိုက်စီစဉ်ထားသည်။ ခွံ၏ ဘေးဘက်နံရံကို အပူ dissipation ပိုက် 205 ကို ထောင့်မှန်အတိုင်း ပံ့ပိုးထားသည်။ ပထမဆုံး လည်ပတ်နေသော ရေလမ်းကြောင်း 204 နှင့် heat dissipation pipe 205 ၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို heat dissipation body 206 ဖြင့် ပံ့ပိုးပေးထားသည်။ ကျန်တစ်ဖက်ကို ပိတ်ထားပြီး heat dissipation body 206 နှင့် heat dissipation pipe 205 တို့သည် အတွင်းပိုင်းကို ပိတ်ကာ ၊ refrigerant သည် အတွင်းအပေါက်တွင် စုစည်းထားသည်။ MOSFET 202 သည် အပူကိုထုတ်ပေးပြီး ရေခဲသေတ္တာကို အငွေ့ပြန်စေသည်။ အငွေ့ပျံသောအခါ အပူဆုံးမှ အပူကို စုပ်ယူသည် (MOSFET 202 အဆုံးနှင့် နီးကပ်သည်)၊ ထို့နောက် အပူပေးဆုံးမှ အအေးခံစွန်း (MOSFET 202 စွန်းမှ ဝေးရာသို့) စီးဆင်းသည်။ အအေးခံသည့်အဆုံးတွင် အအေးနှင့် ထိတွေ့သောအခါ၊ ၎င်းသည် ပြွန်နံရံ၏ အပြင်ဘက်အစွန်ဘက်သို့ အပူထုတ်လွှတ်သည်။ ထို့နောက် အရည်သည် အပူပေးသည့် အဆုံးသို့ စီးဆင်းသွားသဖြင့် အပူ dissipation circuit တစ်ခု ဖြစ်လာသည်။ အငွေ့ပျံခြင်းနှင့် အရည်များမှတဆင့် ဤအပူကို စွန့်ထုတ်ခြင်းသည် သမားရိုးကျ အပူလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ အပူကို ခွဲထုတ်ခြင်းထက် များစွာ ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ heat dissipation body 206 တွင် heat dissipation ring 207 တွင် heat dissipation pipe 205 သို့ ကသိုဏ်း ချိတ်ဆက်ထားသော heat dissipation fin 208 သည် heat dissipation ring 207 သို့ ကသိုဏ်း ချိတ်ဆက်ထားသည်။ heat dissipation fin 208 ကို အအေးခံပန်ကာ 209 နှင့်လည်း အတိအကျ ချိတ်ဆက်ထားသည်။

heat dissipation ring 207 နှင့် heat dissipation pipe 205 သည် ရှည်လျားသော အကွာအဝေး ရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် heat dissipation ring 207 သည် heat dissipation pipe 205 မှ heat dissipation pipe 205 တွင် လျှင်မြန်သော heat dissipation ကို ရရှိရန် heat sink 208 သို့ လျင်မြန်စွာ လွှဲပြောင်းနိုင်ပါသည်။