MOSFET သည် Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ၏ အတိုကောက်ဖြစ်ပြီး လျှပ်စီးကြောင်းစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်ရန် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကို အသုံးပြုသည့် terminal semiconductor စက်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အောက်တွင် MOSFET ၏ အခြေခံ ခြုံငုံသုံးသပ်ချက် ဖြစ်ပါသည် ။
1. အဓိပ္ပါယ်နှင့် အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။
- အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်- MOSFET သည် ဂိတ်ဗို့အား ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် မြောင်းနှင့် ရင်းမြစ်ကြားရှိ လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းကို ထိန်းချုပ်သည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာဖြစ်သည်။ ဂိတ်ပေါက်ကို အရင်းအမြစ်မှ လျှပ်ကာနှင့် လျှပ်ကာပစ္စည်းများ (ပုံမှန်အားဖြင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်) အလွှာဖြင့် ဖောက်ထုတ်ထားသောကြောင့် ၎င်းကို insulated gate field-effect transistor ဟုခေါ်သည်။
- အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း- MOSFET များကို conductive channel အမျိုးအစားနှင့် gate voltage ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ်အခြေခံ၍ အမျိုးအစားခွဲခြားထားပါသည်။
- N-channel နှင့် P-channel MOSFETs- conductive channel အမျိုးအစားပေါ် မူတည်.
- Enhancement-mode နှင့် Depletion-mode MOSFETs- gate voltage ၏ လွှမ်းမိုးမှုအပေါ် အခြေခံ၍ conductive channel ၊ ထို့ကြောင့် MOSFET များကို N-channel မြှင့်တင်မှု-မုဒ်၊ N-channel depletion-mode၊ P-channel မြှင့်တင်မုဒ်၊ နှင့် P-channel depletion-mode ဟူ၍ လေးမျိုးခွဲခြားထားသည်။
2. Structure နှင့် Working Principle
- ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံ- MOSFET တွင် အခြေခံ အစိတ်အပိုင်း သုံးခု ပါ၀င်သည်- ဂိတ် (G)၊ မြောင်း (D) နှင့် အရင်းအမြစ် (S)။ ပေါ့ပေါ့ပါးပါး အစွန်းအထင်းခံရသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာတစ်ခုတွင်၊ အလွန်အမင်း စွန်းထင်းသော အရင်းအမြစ်နှင့် ရေဆင်းဒေသများကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာများဖြင့် ဖန်တီးထားသည်။ ဤဒေသများကို ဂိတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြင့် ထိပ်တွင်ရှိသော insulating အလွှာဖြင့် ပိုင်းခြားထားသည်။
- လုပ်ငန်းအခြေခံမူ- N-channel မြှင့်တင်မှု-မုဒ် MOSFET ကို နမူနာအဖြစ် ယူ၍ ဂိတ်ဗို့အား သုညဖြစ်သောအခါ၊ မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်ကြားတွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းမရှိသောကြောင့် မည်သည့်လျှပ်စီးကြောင်းမှ မစီးဆင်းနိုင်ပါ။ gate voltage သည် သတ်မှတ်ထားသော အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ တိုးလာသောအခါ (“turn-on voltage” သို့မဟုတ် “threshold voltage” ဟုရည်ညွှန်းသည်)၊ gate အောက်ရှိ insulating layer သည် inversion layer (N-type thin layer) ကို အလွှာမှ အီလက်ထရွန်များကို ဆွဲဆောင်ပါသည်။ လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းကို ဖန်တီးသည်။ ၎င်းသည် မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်အကြား လျှပ်စီးကြောင်းကို စီးဆင်းစေပါသည်။ ဤလျှပ်ကူးလမ်းကြောင်း၏ အကျယ်ကို တံခါးဗို့အား၏ ပြင်းအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။
3. အဓိက လက္ခဏာများ
- High Input Impedance- ဂိတ်ပေါက်အား အရင်းအမြစ်မှ လျှပ်ကာအလွှာဖြင့် လျှပ်ကာထားသောကြောင့် MOSFET ၏ input impedance သည် အလွန်မြင့်မားသောကြောင့် ၎င်းသည် high-impedance circuits များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
- ဆူညံသံနည်းပါးခြင်း- MOSFET များသည် လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ဆူညံသံအတော်လေးနည်းပါးပြီး ၎င်းတို့အား တင်းကြပ်သောဆူညံသံလိုအပ်ချက်များရှိသော ဆားကစ်များအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။
- ကောင်းသောအပူတည်ငြိမ်မှု- MOSFET များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး ကျယ်ပြန့်သောအပူချိန်များတွင် ထိထိရောက်ရောက်လည်ပတ်နိုင်သည်။
- ပါဝါစားသုံးမှုနည်းခြင်း- MOSFET များသည် အဖွင့်အပိတ် နှစ်ခုလုံးတွင် ပါဝါအနည်းငယ်သာ စားသုံးကြပြီး ပါဝါနည်းသော ဆားကစ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။
- High Switching Speed- ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့် ကိရိယာများဖြစ်သည့် MOSFET များသည် မြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆားကစ်များအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။
4. လျှောက်လွှာဧရိယာများ
MOSFET များကို အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ်ဆားကစ်များ၊ အထူးသဖြင့် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းများ၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများနှင့် ကွန်ပျူတာများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းတို့သည် အသံချဲ့စက်များ၊ ဆားကစ်များပြောင်းခြင်း၊ ဗို့အားထိန်းညှိဆားကစ်များနှင့် အခြားအရာများတွင် အခြေခံ အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် ဆောင်ရွက်ကြပြီး signal amplification၊ switching control နှင့် voltage stabilization ကဲ့သို့သော လုပ်ဆောင်ချက်များကို အသုံးပြုနိုင်မည်ဖြစ်သည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် MOSFET သည် ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်လက္ခဏာများပါရှိသော မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော semiconductor ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ နယ်ပယ်များစွာရှိ အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်များတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
တင်ချိန်- စက်တင်ဘာ ၂၂-၂၀၂၄
