N အမျိုးအစား၊ P အမျိုးအစား MOSFET ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမသည် တူညီသည်၊ MOSFET သည် မြောင်းလက်ရှိ၏အထွက်ဘက်ခြမ်းကိုအောင်မြင်စွာထိန်းချုပ်နိုင်စေရန်အတွက် MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ဗို့အားထည့်သွင်းခြင်းမှတစ်ဆင့်၊ အားသွင်းသိုလှောင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော base current ကြောင့် switching time လုပ်ဖို့ triode နှင့်မတူဘဲ device ၏ဝိသေသလက္ခဏာများကိုထိန်းချုပ်ရန်၊ switching applications များတွင် MOSFET ၏ switching applications များတွင်၊MOSFET ရဲ့ switching speed သည် triode ထက် ပိုမြန်သည်။
switching power supply တွင် အသုံးများသော MOSFET open drain circuit တွင် drain ကို open drain ဟု ခေါ်သည်၊ open drain circuit ဟုခေါ်သော load နှင့် ချိတ်ဆက်သည်၊ load သည် voltage မည်မျှမြင့်သည်နှင့် ချိတ်ဆက်သည်၊ ဖွင့်နိုင်သည်၊ turn off လုပ်နိုင်သည်။ load current သည် switching devices များလုပ်ဆောင်ရန် MOSFET ၏နိယာမဖြစ်သည့် စံပြ analog switching device ဖြစ်ပြီး၊ MOSFET သည် ပိုမို circuit ပုံစံဖြင့် switching ပြုလုပ်ရန်ဖြစ်သည်။
ပါဝါထောက်ပံ့ရေးအက်ပ်များကို ကူးပြောင်းခြင်း၏စည်းကမ်းချက်များအရ၊ ဤအက်ပ်လီကေးရှင်း လိုအပ်သည်။ MOSFETs အခြေခံ buck converter တွင် အသုံးများသော DC-DC ပါဝါထောက်ပံ့မှုကဲ့သို့ အချိန်အခါအလိုက် လုပ်ဆောင်ရန်၊ ပိတ်ရန်၊ switching function ကိုလုပ်ဆောင်ရန် MOSFET နှစ်ခုပေါ်တွင် မှီခိုနေရသည်၊ ဤခလုတ်များသည် စွမ်းအင်ကို သိုလှောင်ရန်၊ ဝန်ထံသို့ စွမ်းအင်ထုတ်လွှတ်ရန် inductor တွင် အလှည့်အပြောင်း၊ ရာနှင့်ချီသော kHz သို့မဟုတ် 1 MHz ထက်ပိုသော၊ အဓိကအားဖြင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားလေ သံလိုက်အစိတ်အပိုင်းများ သေးငယ်လေဖြစ်သည်။ ပုံမှန်လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း MOSFET သည် conductor တစ်ခုနှင့် ညီမျှသည်၊ ဥပမာ၊ စွမ်းအားမြင့် MOSFETs၊ အသေးစားဗို့အား MOSFETs၊ circuits၊ power supply သည် MOS ၏ အနည်းဆုံး conduction ဆုံးရှုံးမှုဖြစ်သည်။
MOSFET PDF ကန့်သတ်ချက်များ၊ MOSFET ထုတ်လုပ်သူများသည် on-state impedance ကိုသတ်မှတ်ရန်အတွက် RDS (ON) ဘောင်ကို အောင်မြင်စွာအသုံးပြုခဲ့ပြီး အက်ပ်လီကေးရှင်းများပြောင်းရန်အတွက် RDS (ON) သည် အရေးကြီးဆုံးကိရိယာ၏လက္ခဏာဖြစ်သည်။ ဒေတာစာရွက်များသည် RDS (ON)၊ ဂိတ် (သို့မဟုတ်) ဗို့အား VGS နှင့် switch မှတဆင့်စီးဆင်းနေသောလက်ရှိနှင့်ဆက်စပ်သည်၊ လုံလောက်သောဂိတ်ဒရိုက်အတွက် RDS (ON) သည် အတော်အတန်တည်ငြိမ်သောဘောင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ စီးဆင်းနေသော MOSFET များသည် အပူထုတ်လုပ်ရန် အလားအလာများပြီး လမ်းဆုံအပူချိန်များ တဖြည်းဖြည်းတိုးလာပါက RDS (ON) တိုးလာနိုင်သည်။MOSFET ဒေတာစာရွက်များသည် MOSFET အထုပ်၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလမ်းဆုံ၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလမ်းဆုံ၏စွမ်းရည်အဖြစ်သတ်မှတ်ထားသည့်အပူခံနိုင်မှုအတိုင်းအတာကိုသတ်မှတ်ပေးပြီး RθJC ကို junction-to-case thermal impedance အဖြစ်သတ်မှတ်သည်။
1၊ ကြိမ်နှုန်းသည် မြင့်မားလွန်းသည်၊ တစ်ခါတစ်ရံ အသံအတိုးအကျယ်ကို လိုက်ရှာရင်း၊ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းဆီသို့ တိုက်ရိုက် ဦးတည်သွားလိမ့်မည်၊ MOSFET ဆုံးရှုံးမှု တိုးလာလေလေ၊ အပူပိုလေလေ၊ လုံလောက်သော အပူကို စွန့်ထုတ်ခြင်း ဒီဇိုင်းကို ကောင်းကောင်းမလုပ်ပါနှင့်၊ မြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်း၊ အမည်ခံ၊ MOSFET ၏လက်ရှိတန်ဖိုး၊ ကောင်းမွန်သောအပူကိုရရှိရန်လိုအပ်ချက်၊ ID သည် အမြင့်ဆုံး လက်ရှိထက်နည်းသည်၊ ပြင်းထန်သော အပူရှိနိုင်သည်၊ လုံလောက်သော အရန်အပူရှိန်များ လိုအပ်သည်။
2၊ MOSFET ရွေးချယ်မှုတွင် အမှားအယွင်းများနှင့် အမှားအယွင်းများ MOSFET အတွင်းပိုင်း ခုခံအား အပြည့်အဝ ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်း မရှိဘဲ၊ MOSFET အပူပေးသည့် ပြဿနာများကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းသည့်အခါတွင် ကူးပြောင်းမှု impedance တိုးလာစေရန် တိုက်ရိုက် ဦးတည်စေမည်ဖြစ်သည်။
3၊ circuit ဒီဇိုင်းပြဿနာများကြောင့် အပူဖြစ်ပေါ်ခြင်း၊ MOSFET သည် MOSFET အပူ၏တိုက်ရိုက်အကြောင်းရင်းဖြစ်သည့် switching state တွင်မဟုတ်ဘဲ၊ MOSFET သည် linear operating state တွင်အလုပ်လုပ်နိုင်စေရန်၊ ဥပမာ၊ N-MOS သည် switching လုပ်သည်၊ G- အဆင့်ဗို့အားသည် V အနည်းငယ်ဖြင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုထက် ပိုမြင့်ရမည်ဖြစ်ပြီး၊ အပြည့်အဝ conduction လုပ်နိုင်စေရန်အတွက် P-MOS သည် ကွဲပြားသည်။ အပြည့်အ၀ဖွင့်မရပါက ဗို့အားကျဆင်းမှုသည် ကြီးလွန်းသဖြင့် ပါဝါသုံးစွဲမှု ဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်ပြီး တူညီသော DC impedance ပိုကြီးလာကာ ဗို့အားကျဆင်းမှုလည်း တိုးလာမည်ဖြစ်ပြီး U* I လည်း တိုးလာမည်ဖြစ်ပြီး ဆုံးရှုံးမှုသည် အပူဆီသို့ ဦးတည်သွားမည်ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၁-၂၀၂၄
