ပါဝါ MOSFET ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမအကြောင်း

ပါဝါ MOSFET များသည် အဓိက နည်းလမ်းနှစ်မျိုးဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်-

(1) အပြုသဘောဗို့အား D နှင့် S (drain positive၊ source negative) နှင့် UGS=0 သို့ပေါင်းထည့်သောအခါ၊ P body ဒေသနှင့် N drain ဒေသရှိ PN လမ်းဆုံသည် ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်နေပြီး D အကြား လက်ရှိဖြတ်သန်းသွားခြင်းမရှိပါ။ နှင့် S. G နှင့် S အကြား အပြုသဘောဗို့အား UGS ပေါင်းထည့်ပါက၊ ဂိတ်ပေါက်သည် လျှပ်ကာထားသောကြောင့် စီးဆင်းမည်မဟုတ်သော်လည်း ဂိတ်ရှိ အပြုသဘောဗို့အားသည် အောက်ရှိ P ဧရိယာမှ အပေါက်များကို တွန်းထုတ်မည်ဖြစ်ပြီး လူနည်းစု သယ်ဆောင်သူ အီလက်ထရွန်များသည် P region မျက်နှာပြင်သို့ ဆွဲဆောင်ခံရပါက UGS သည် အချို့သော ဗို့အား UT ထက် ကြီးသောအခါ၊ ဂိတ်အောက်ရှိ P ဒေသ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အီလက်ထရွန် အာရုံစူးစိုက်မှုသည် အပေါက်၏ အာရုံစူးစိုက်မှုထက် ကျော်လွန်သွားသည့်အတွက် P-type semiconductor antipattern အလွှာ N-type semiconductor ကို ဖြစ်စေသည်။ ; ဤ antipattern အလွှာသည် အရင်းအမြစ်နှင့် မြောင်းကြားရှိ N-type ချန်နယ်ကို ပုံဖော်ထားသောကြောင့် PN လမ်းဆုံများ ပျောက်ကွယ်သွားစေရန်၊ အရင်းအမြစ်နှင့် Drain conductive နှင့် drain current ID သည် မြောင်းမှတဆင့် စီးဆင်းသွားစေရန် ဖြစ်သည်။ UT ကို turn-on voltage သို့မဟုတ် threshold voltage ဟုခေါ်ပြီး UGS သည် UT ထက် ပိုများလေ၊ လျှပ်ကူးနိုင်မှု အားကောင်းလေ၊ ID သည် ပိုကြီးလေဖြစ်သည်။ UGS သည် UT ထက် ပိုကြီးလေ၊ conductivity အားကောင်းလေ၊ ID ကြီးလေဖြစ်သည်။

(၂) D, S အပေါင်း အနုတ်ဗို့အား (ရင်းမြစ် အပြုသဘော၊ ယိုစီးမှု အနုတ်) တွင် PN လမ်းဆုံသည် အတွင်းဘက်ပြောင်းပြန် ဒိုင်အိုဒနှင့် ညီမျှသော ရှေ့သို့ ဘက်လိုက်သည် (လျင်မြန်သော တုံ့ပြန်မှု လက္ခဏာများ မပါရှိပါ)၊MOSFET reverse blocking စွမ်းရည်မရှိပါက inverse conduction components အဖြစ် မှတ်ယူနိုင်ပါသည်။

    ဟိMOSFET လည်ပတ်မှုနိယာမကိုတွေ့မြင်နိုင်သည်၊ ၎င်း၏ conduction တွင် conductive တွင်ပါဝင်သော polarity carriers တစ်ခုတည်းကိုသာ unipolar transistor ဟုခေါ်သည်။MOSFET drive သည် မကြာခဏသင့်လျော်သော circuit ကိုရွေးချယ်ရန်အတွက် power supply IC နှင့် MOSFET ဘောင်များကိုအခြေခံ၍ MOSFET ကို switching အတွက်ယေဘုယျအားဖြင့်အသုံးပြုသည် power supply drive ပတ်လမ်း။ MOSFET ကို အသုံးပြု၍ switching power supply တစ်ခုကို ဒီဇိုင်းဆွဲသောအခါ၊ လူအများစုသည် MOSFET ၏ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အမြင့်ဆုံးဗို့အားနှင့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်းကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားကြသည်။ သို့သော်၊ လူအများသည် ဤအချက်များကိုသာ စဉ်းစားလေ့ရှိသည်၊ သို့မှသာ circuit သည် ကောင်းမွန်စွာအလုပ်လုပ်နိုင်သော်လည်း ၎င်းသည် ကောင်းမွန်သောဒီဇိုင်းဖြေရှင်းချက်မဟုတ်ပေ။ ပိုမိုအသေးစိတ်သောဒီဇိုင်းအတွက် MOSFET သည် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင် parameter အချက်အလက်ကိုလည်း ထည့်သွင်းစဉ်းစားသင့်သည်။ တိကျသေချာသော MOSFET အတွက်၊ ၎င်း၏မောင်းနှင်မှုပတ်လမ်း၊ drive output ၏အထွတ်အထိပ်လျှပ်စစ် စသည်တို့သည် MOSFET ၏ switching performance ကို သက်ရောက်မှုရှိမည်ဖြစ်သည်။