MOSFET ရွေးချယ်မှု | N-Channel MOSFET ဆောက်လုပ်ရေးအခြေခံမူများ

Metal-Oxide-SemIConductor တည်ဆောက်ပုံသည် crystal transistor အဖြစ် အများအားဖြင့် လူသိများသည်။MOSFETMOSFET များကို P-type MOSFETs နှင့် N-type MOSFETs ဟူ၍ ခွဲခြားထားသည်။ MOSFET များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များကို MOSFET ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များဟုလည်း ခေါ်ကြပြီး PMOSFET များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော အနီးကပ်ဆက်စပ်နေသော MOSFET ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊NMOSFETs CMOSFET ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များဟုခေါ်သည်။

မြင့်မားသောအာရုံစူးစိုက်မှုတန်ဖိုးများရှိသော p-type substrate နှင့် n-spreading area နှစ်ခုပါဝင်သော MOSFET ကို n-channel ဟုခေါ်သည်MOSFETနှင့် n-type conductive channel ကြောင့်ဖြစ်ပေါ်လာသော conductive channel သည် n-spreading paths နှစ်ခုတွင် n-spreading paths သည် tube စီးဆင်းသွားသောအခါတွင် အာရုံစူးစိုက်မှုမြင့်မားသောတန်ဖိုးများနှင့်အတူ ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ n-channel ထူထဲသော MOSFET များသည် ဂိတ်ဝတွင် အပြုသဘောဆောင်သော ဦးတည်ဘက်လိုက်မှုကို အတတ်နိုင်ဆုံး မြှင့်တင်သည့်အခါတွင် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းမှ ဖြစ်ပေါ်လာသော n-channel နှင့် gate source operation သည် threshold voltage ထက်ကျော်လွန်သည့် operating voltage လိုအပ်သောအခါမှသာ ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ n-channel depletion MOSFET များသည် gate voltage အတွက် အဆင်သင့်မဖြစ်သေးသော အရာများ (gate source operation အတွက် သုည၏ operating voltage လိုအပ်သည်)။ n-channel light depletion MOSFET သည် n-channel MOSFET သည် gate voltage (gate source operating requirement operating voltage is zero) ကို ပြင်ဆင်မထားသောအခါတွင် conductive channel ကို ဖြစ်ပေါ်သည့် n-channel MOSFET တစ်ခုဖြစ်သည်။

NMOSFET ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များသည် N-channel MOSFET ပါဝါထောက်ပံ့သည့် ဆားကစ်များ၊ NMOSFET ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များ၊ သွင်းသွင်းခံနိုင်ရည်သည် အလွန်မြင့်မားသည်၊ အများစုသည် ပါဝါစီးဆင်းမှုကို စုပ်ယူမှုကို ချေဖျက်ရန် မလိုအပ်သောကြောင့်၊ CMOSFET နှင့် NMOSFET ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များကို ထည့်သွင်းရန်မလိုဘဲ၊ ပါဝါစီးဆင်းမှု၏ဝန်ကိုထည့်သွင်းတွက်ချက်ပါ။NMOSFET ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ တစ်ခုတည်းအုပ်စုအပြုသဘောဆောင်သောကူးပြောင်းပါဝါကိုရွေးချယ်မှုအများစု ထောက်ပံ့ရေးပတ်လမ်း ပါဝါထောက်ပံ့ရေးဆားကစ်များ NMOSFET ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်အများစုသည် အပြုသဘောဆောင်သော ပါဝါထောက်ပံ့မှု circuit တစ်ခုတည်းကို အသုံးပြုကြပြီး နောက်ထပ်အတွက် 9V ကို အသုံးပြုသည်။ CMOSFET ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များသည် NMOSFET ပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များကဲ့သို့ တူညီသော switching power supply circuit ပါဝါထောက်ပံ့မှု circuit ကို အသုံးပြုရန်သာ လိုအပ်ပြီး NMOSFET ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များနှင့် ချက်ချင်း ချိတ်ဆက်နိုင်ပါသည်။ သို့သော် NMOSFET မှ CMOSFET သို့ ချက်ခြင်းချိတ်ဆက်ထားသောကြောင့် NMOSFET အထွက်ဆွဲအားခုခံမှုသည် CMOSFET ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းသော့ဆွဲအားခုခံမှုထက်နည်းသောကြောင့်၊ ထို့ကြောင့် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသောခြားနားချက် Pull-up resistor R ကိုအသုံးပြုရန်ကြိုးစားပါ၊ resistor R ၏တန်ဖိုးသည် ယေဘုယျအားဖြင့် 2 မှ 100KΩ။

N-channel ထူထပ်သော MOSFETs တည်ဆောက်ခြင်း။
P-type ဆီလီကွန်အလွှာတစ်ခုတွင်၊ မူးယစ်ဆေးဝါးသုံးစွဲမှုတန်ဖိုးနည်းသော N အပိုင်းနှစ်ပိုင်းကို ပြုလုပ်ထားပြီး D နှင့် အရင်းအမြစ် s အဖြစ်ဆောင်ရွက်ရန်အတွက် လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကို အလူမီနီယမ်သတ္တုဖြင့် ထုတ်ယူထားသည်။

ထို့နောက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်း မျက်နှာပြင်တွင် အလွန်ပါးလွှာသော ဆီလီကာ လျှပ်ကာပြွန်အလွှာကို ဖုံးအုပ်ထားကာ မြောင်းထဲတွင် တံခါးပေါက်အဖြစ် အခြားသော အလူမီနီယမ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အရင်းအမြစ်ကြားရှိ လျှပ်ကာပြွန်၊

အလွှာထဲတွင် N-channel ထူသော MOSFET ပါ၀င်သော လျှပ်ကူးပစ္စည်း B ကိုလည်း ထုတ်နိုင်သည်။ MOSFET အရင်းအမြစ်နှင့် အလွှာသည် ယေဘူယျအားဖြင့် အတူတကွ ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ စက်ရုံရှိ ပိုက်အများစုသည် ၎င်းနှင့် ကြာရှည်စွာ ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ ၎င်း၏ တံခါးပေါက်နှင့် အခြားလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို ပိုက်ကြားတွင် ကာရံထားသည်။