MOSFET များ၏ အဓိက ကန့်သတ်ချက်များ နှင့် triodes များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ခြင်း

Field Effect Transistor ကို အတိုကောက်အဖြစ်MOSFETအဓိက အမျိုးအစား နှစ်ခု ရှိပါတယ်- လမ်းဆုံ ကွင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ပြွန်များနှင့် သတ္တုအောက်ဆိုဒ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ နယ်ပယ် အကျိုးသက်ရောက်မှု ပြွန်များ။ MOSFET ကို conductivity တွင်ပါဝင်ပတ်သက်သောသယ်ဆောင်သူအများစုနှင့်အတူ unipolar transistor အဖြစ်လည်းလူသိများသည်။ ၎င်းတို့သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသော သွင်းအားကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ဆူညံသံ နည်းပါးခြင်း၊ ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် အခြားသော ဝိသေသလက္ခဏာများကြောင့် ၎င်းသည် bipolar transistors နှင့် power transistor တို့နှင့် ပြိုင်ဆိုင်မှုပြင်းထန်စေသည်။

I. MOSFET ၏ အဓိက ကန့်သတ်ချက်များ

1၊ DC ဘောင်များ

Saturation drain current သည် gate နှင့် source အကြားဗို့အား သုညနှင့် ညီမျှပြီး Drain နှင့် source အကြား ဗို့အားသည် pinch-off voltage ထက် ပိုကြီးသောအခါ သက်ဆိုင်သည့် drain current အဖြစ် သတ်မှတ်နိုင်သည်။

Pinch-off voltage UP- UDS သည် သေချာသောအခါ ID ကို သေးငယ်သော လျှပ်စီးသို့ လျှော့ချရန် UGS လိုအပ်သည်၊

အဖွင့်ဗို့အား UT- UDS သည် အချို့သောတန်ဖိုးတစ်ခုသို့ ID ကိုယူဆောင်ရန် UGS လိုအပ်သည်။

2၊ AC ကန့်သတ်ချက်များ

Low-frequency transconductance gm : မြောင်းပေါ်ရှိ ဂိတ်ပေါက်နှင့် အရင်းအမြစ်ဗို့အား ထိန်းချုပ်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ဖော်ပြသည်။

Inter-pole capacitance- MOSFET ၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်း သုံးခုကြားရှိ စွမ်းရည်သည် သေးငယ်လေ၊ စွမ်းဆောင်ရည် ပိုကောင်းလေဖြစ်သည်။

3၊ ကန့်သတ်ဘောင်များ

Drain၊ source breakdown voltage- ယိုစီးမှု သိသိသာသာ တက်လာသောအခါ UDS သည် ပြိုကွဲသွားသောအခါ ပြိုကွဲသွားလိမ့်မည်။

Gate breakdown voltage- junction field effect tube ၏ ပုံမှန်လည်ပတ်မှု၊ gate နှင့် source ၏ reverse bias state ရှိ PN junction အကြားတွင် ပြိုကွဲမှုဖြစ်ပေါ်ရန် လက်ရှိ ကြီးမားလွန်းပါသည်။

II ၏ဝိသေသလက္ခဏာများMOSFETs

MOSFET တွင် အသံချဲ့စက်တစ်ခုပါရှိပြီး အသံချဲ့စက်ဖြင့် ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ Triode နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အောက်ပါလက္ခဏာများ ရှိပါသည်။

(1) MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်သည့်ကိရိယာဖြစ်ပြီး အလားအလာကို UGS မှ ထိန်းချုပ်ထားသည်။

(2) MOSFET ၏ input မှ current သည် အလွန်သေးငယ်သောကြောင့် ၎င်း၏ input resistance သည် အလွန်မြင့်မားပါသည်။

(၃) လျှပ်ကူးနိုင်မှု အတွက် သယ်ဆောင်သူ အများစုကို အသုံးပြုသောကြောင့် ၎င်း၏ အပူချိန် တည်ငြိမ်မှု ကောင်းမွန်သည်။

(၄) ၎င်း၏ အသံချဲ့စက်ပတ်လမ်း၏ ဗို့အားချဲ့ကိန်းကိန်းသည် triode ထက် သေးငယ်သည်။

(၅) ဓာတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ကို ပိုမိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း။

တတိယ၊MOSFET နှင့် transistor နှိုင်းယှဉ်

(1) MOSFET source, gate, drain and triode source, base, set point pole တို့၏ အခန်းကဏ္ဍနှင့် သက်ဆိုင်ပါသည်။

(2) MOSFET သည် ဗို့အားထိန်းချုပ်ထားသော လက်ရှိကိရိယာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းသည် သေးငယ်သည်၊ ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းမှာ ညံ့ဖျင်းပါသည်။ triode သည် လက်ရှိထိန်းချုပ်ထားသော ဗို့အားကိရိယာဖြစ်ပြီး ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းသည် အားကောင်းသည်။

(၃) MOSFET gate သည် အခြေခံအားဖြင့် current မယူပါ။ နှင့် triode အလုပ်လုပ်သည်, base သည်အချို့သောလျှပ်စီးကြောင်းစုပ်ယူပါလိမ့်မယ်။ ထို့ကြောင့် MOSFET gate input resistance သည် triode input resistance ထက် မြင့်မားသည်။

(4) MOSFET ၏လျှပ်ကူးမှုဖြစ်စဉ်တွင် polytron ပါ၀င်ပြီး triode တွင် carriers နှစ်မျိုးဖြစ်သည့် polytron နှင့် oligotron ပါ၀င်ပြီး ၎င်း၏ oligotron ၏ အာရုံစူးစိုက်မှုသည် အပူချိန်၊ ဓါတ်ရောင်ခြည်နှင့် အခြားအချက်များကြောင့် များစွာသက်ရောက်မှုရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် MOSFET၊ Transistor ထက် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည် ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။ ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေတွေ အများကြီးပြောင်းလဲလာတဲ့အခါ MOSFET ကို ရွေးချယ်သင့်ပါတယ်။

(5) MOSFET သည် source metal နှင့် substrate တို့နှင့် ချိတ်ဆက်သောအခါ၊ source နှင့် drain များကို ဖလှယ်နိုင်ပြီး လက္ခဏာများ များစွာမပြောင်းလဲဘဲ transistor ၏ collector နှင့် emitter ကို လဲလှယ်လိုက်သောအခါ၊ လက္ခဏာများသည် ကွဲပြားပြီး β တန်ဖိုး၊ လျှော့ချထားသည်။

(၆) MOSFET ၏ အသံထွက်ပုံသည် သေးငယ်သည်။

(၇) MOSFET နှင့် triode တို့သည် အသံချဲ့စက် ဆားကစ်များနှင့် switching circuit အမျိုးမျိုးဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားနိုင်သော်လည်း ယခင် ပါဝါနည်းပါးခြင်း၊ အပူတည်ငြိမ်မှု မြင့်မားခြင်း၊ ပံ့ပိုးဗို့အား ကျယ်ပြန့်သောကြောင့် ၎င်းကို အကြီးစားနှင့် အလွန်ကြီးသော-အကြီးစားများတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ စကေးပေါင်းစပ်ထားသော ဆားကစ်များ။

(8) triode ၏ ခံနိုင်ရည်မှာ ကြီးမားပြီး MOSFET ၏ ခံနိုင်ရည်မှာ သေးငယ်သောကြောင့် MOSFET များကို ပိုမိုထိရောက်မှုရှိသော ခလုတ်များအဖြစ် ယေဘုယျအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။