အသုံးများသော ပါဝါမြင့် MOSFET များ၏ လုပ်ဆောင်မှုနိယာမကို မိတ်ဆက်ခြင်း။

ယနေ့ခေတ်တွင် အသုံးများသော ပါဝါမြင့်သည်။MOSFET၎င်း၏လုပ်ငန်းဆောင်တာသဘောတရားကို အတိုချုံးမိတ်ဆက်ပေးရန်။ သူ့ကိုယ်ပိုင်အလုပ်ကို ဘယ်လိုသဘောပေါက်လဲဆိုတာ ကြည့်ပါ။

Metal-Oxide-Semiconductor ဆိုသည်မှာ Metal-Oxide-Semiconductor ဖြစ်ပြီး၊ ဤအမည်သည် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းရှိ MOSFET ၏ဖွဲ့စည်းပုံကို အတိအကျဖော်ပြသည်- ဆိုလိုသည်မှာ- ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် သတ္တုနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် သတ္တုပေါင်းစပ်သည့် စက်၏ဖွဲ့စည်းပုံအချို့တွင်၊ တံခါး၏။

MOSFET ၏ရင်းမြစ်နှင့် မြောင်းများသည် P-type backgate တွင် N-type ဇုန်များဖြစ်ခြင်းကြောင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။ အခြေအနေအများစုတွင်၊ ချိန်ညှိမှု၏အဆုံးနှစ်ခုသည် စက်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမထိခိုက်စေသော်လည်း၊ ဧရိယာနှစ်ခုသည် တူညီနေသော်လည်း၊ ထိုသို့သောကိရိယာကို အချိုးကျသည်ဟု ယူဆပါသည်။

အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း- N-channel နှင့် P-channel နှစ်ခုစီ၏ လိုင်းပစ္စည်းအမျိုးအစားနှင့် insulated gate type အရ၊ လျှပ်ကူးမုဒ်အရ- MOSFET အား ကုန်ခမ်းခြင်းနှင့် မြှင့်တင်ခြင်းအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသောကြောင့် MOSFET ကို N-channel လျော့နည်းခြင်းနှင့် မြှင့်တင်ခြင်းအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသည်။ P-channel လျော့နည်းခြင်းနှင့် အဓိက အမျိုးအစား လေးခုကို မြှင့်တင်ခြင်း။

MOSFET ၏လည်ပတ်မှုနိယာမ - ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသွင်ပြင်လက္ခဏာများMOSFET၎င်းသည် conductive တွင်ပါဝင်သော polarity carrier (polys) တစ်ခုတည်းကိုသာ လုပ်ဆောင်ပြီး unipolar transistor ဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးနိုင်သော ယန္တရားသည် ပါဝါနိမ့် MOSFET နှင့် အတူတူပင်ဖြစ်သည်၊ သို့သော် တည်ဆောက်ပုံမှာ ကြီးမားသော ခြားနားချက် ရှိသည်၊ ပါဝါနည်းသော MOSFET သည် အလျားလိုက်လျှပ်ကူးသည့် ကိရိယာဖြစ်ပြီး ပါဝါ MOSFET ဒေါင်လိုက်လျှပ်ကူးပစ္စည်း အများစုသည် VMOSFET ဟုလည်းသိကြကာ၊ MOSFET ကို အလွန်တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသော၊ စက်၏ဗို့အားနှင့် လက်ရှိခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ အဓိကအင်္ဂါရပ်မှာ သတ္တုတံခါးနှင့် ချန်နယ်ကြားရှိ ဆီလီကာ လျှပ်ကာအလွှာရှိသောကြောင့် မြင့်မားသော input resistance ရှိပြီး၊ tube သည် n-type conductive channel ကိုဖွဲ့စည်းရန် မြင့်မားသောပြင်းအား နှစ်ခုဖြစ်သော n diffusion zone တွင် လုပ်ဆောင်သည်။ n-channel မြှင့်တင်မှု MOSFET များကို ရှေ့ဘက်ဘက်လိုက်ဖြင့် ဂိတ်သို့ အသုံးချရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ဂိတ်ရင်းမြစ်ဗို့အားသည် n-channel MOSFET မှထုတ်ပေးသော conductive channel ၏ အတိုင်းအတာဗို့ထက် ကြီးနေမှသာ အသုံးပြုနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ n-channel depletion အမျိုးအစား MOSFETs များသည် ဂိတ်ဗို့အားအသုံးမပြုသောအခါတွင် conducting channel များကိုထုတ်ပေးသည့် n-channel MOSFETs (gate source voltage သည် သုညဖြစ်သည်)။

MOSFET ၏လည်ပတ်မှုနိယာမမှာ VGS ကိုအသုံးပြု၍ "induced charge" ဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသောလျှပ်စီးကြောင်း၏အခြေအနေအားပြောင်းလဲရန် VGS ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် "induced charge" ပမာဏကိုထိန်းချုပ်ရန်နှင့်ထို့နောက် drain current ကိုထိန်းချုပ်ရန်ရည်ရွယ်ချက်အောင်မြင်ရန်ဖြစ်သည်။ ပြွန်များထုတ်လုပ်ရာတွင် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းအမြောက်အများ ပေါ်ပေါက်လာသည့်အတွက် insulating အလွှာ၏လုပ်ငန်းစဉ်အားဖြင့်၊ ထို့ကြောင့် interface ၏ အခြားတစ်ဖက်တွင် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သော တာဝန်ခံများကို ပိုမိုဆွဲဆောင်နိုင်ပြီး N အတွင်းရှိ အညစ်အကြေးများ မြင့်မားစွာ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်နိုင်စေရန်၊ VGS = 0 တွင်ပင် conductive channel တစ်ခုဖွဲ့စည်းခြင်းနှင့်ချိတ်ဆက်ထားသောဒေသသည်ကြီးမားသောယိုစိမ့်သောလက်ရှိ ID လည်းရှိသည်။ ဂိတ်ဗို့အားပြောင်းလဲသောအခါတွင်၊ ချန်နယ်အတွင်းရှိအားသွင်းသည့်ပမာဏသည်လည်းပြောင်းလဲသွားသည်၊၊ လမ်းကြောင်း၏လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်း၏အကျယ်နှင့်ကျဉ်းမြောင်းမှုနှင့်ပြောင်းလဲသွားသည်၊ ထို့ကြောင့် gate voltage နှင့်အတူ leakage current ID သည် ပြောင်းလဲသွားသည်။ လက်ရှိ ID သည် ဂိတ်ဗို့အားနှင့် ကွဲပြားသည်။

ယခုလျှောက်လွှာMOSFETကျွန်ုပ်တို့၏လူနေမှုဘဝအရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးစဉ်တွင် လူအများ၏ သင်ယူမှု၊ အလုပ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို အလွန်တိုးတက်စေပါသည်။ ရိုးရှင်းသောနားလည်မှုအချို့မှတဆင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် ၎င်းကို ကျိုးကြောင်းဆီလျော်စွာ နားလည်မှုရှိသည်။ ၎င်းကို ကိရိယာတစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုရုံသာမက ၎င်း၏ဝိသေသလက္ခဏာများ၊ အလုပ်၏နိယာမကိုလည်း ပိုမိုနားလည်သဘောပေါက်ကာ ပျော်ရွှင်စရာများစွာကို ပေးစွမ်းမည်ဖြစ်သည်။